三浦 良雄 | 東北大・通研
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概要
関連著者
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三浦 良雄
東北大・通研
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三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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三浦 雄一
広大院理
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白井 正文
東北大・通研
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白井 正文
東北大通研
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Shirai M
Kyoto Univ. Kyoto
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東口 光晴
広大院理
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島田 賢也
広大放射光
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生天目 博文
広大放射光セ
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生天目 博文
広大放射光
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谷口 雅樹
広大院理
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興地 斐男
和歌山高専
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三浦 良雄
東北大通研
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笠井 秀明
阪大工
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三浦 良雄
阪大工
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飛田 尚寿
広大院理
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崔 小宇
広大院理
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相浦 義弘
産総研
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中西 寛
阪大工
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阿部 和多加
東北大・通研
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辻川 雅人
金沢大自然
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三浦 良雄
東北大
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中西 寛
阪大院工
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笠井 秀明
阪大院工
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長尾 和多加
東北大通研
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Oda T
Kanazawa Univ. Kanazawa Jpn
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小田 竜樹
金沢大自然
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三浦 雄一
広大理
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仲武 昌史
広大放射光
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木村 昭夫
広大院理
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三浦 良雄
阪大院工
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圓山 裕
広大院理
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木村 昭夫
広大理
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齋藤 智彦
東理大理
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谷口 雅樹
広大理
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中島 伸夫
広大院理
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Dino Wilson
阪大工
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興地 斐男
和歌山工業高等専門学校
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杉本 剛
トヨタ自動車
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中島 信夫
東工大理
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Dino W.
阪大院工
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石松 直樹
広大院理
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有田 将司
広大放射光セ
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岩澤 英明
広大放射光
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長谷 泉
産総研
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岩澤 英明
東理大理
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福田 修悟
広大院理
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西村 洋祐
広大理
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成田 尚司
広大理
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掛谷 満
広大理
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東口 光晴
広大理
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柳楽 未来
広大院理
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矢治 光一郎
広大院理
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望戸 力
広大院理
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上野 哲郎
広大院理
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島田 賢也
広大放セ
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宮本 幸治
広大放セ
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田中 克昇
広島大放射光セ
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斉藤 祐児
原研 SPring-8
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矢治 光一郎
京大院理:jst Crest
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沢田 正博
広大放射光
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上野 哲郎
広大理
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成田 尚司
東大物性研
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広瀬 喜久治
阪大院工
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稲垣 耕司
阪大院工
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江見 和展
広島大院理
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圓山 裕
広島大院理
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岩澤 英明
Hsrc Hiroshima Univ.
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斎藤 祐児
Jaeri
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中武 昌史
広大放射光セ
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三浦 良雄
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
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澤田 正博
広大放射光セ
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信原 邦啓
阪大工
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Wilson Agerico
阪大院工
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信原 邦啓
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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稲垣 耕司
阪大院工:jst-crest
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信原 邦啓
トヨタ自動車
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勝藤 拓郎
早大理工
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桑原 英樹
上智大理工
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吉田 良行
産総研
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小林 研介
京大化研
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阪東 寛
産総研
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谷口 雅樹
広大放射光セ
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勝藤 拓郎
早稲田大学先進理工学部
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倉橋 健一郎
東理大理
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大門 寛
奈良先端大物質
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浅井 吉蔵
電通大量子物質
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金好 智子
東理大理
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島田 賢也
広大放射光セ
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長谷 泉
産総研エレクトロニクス
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小林 啓介
JASRI SPring-8
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上田 茂典
物材機構
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山岸 由希
東理大理
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石井 大基
太陽誘電
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小林 義彦
電通大量子物質工
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斉藤 祐児
原子力機構
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飛田 尚寿
Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.
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福田 修悟
Fac. Sci. Hiroshima. Univ.
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中島 伸夫
Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.
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石松 直樹
Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.
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圓山 裕
Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.
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田中 克昇
Fac. Sci. Hiroshima. Univ.
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三浦 雄一
Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.
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東口 光晴
Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.
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島田 賢也
HSRC, Hiroshima. Univ.
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生天目 博文
HSRC, Hiroshima. Univ.
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谷口 雅樹
Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.
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武田 さくら
奈良先端大物質創成
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東 直人
奈良先端大物質創成
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西出 昌弘
奈良先端大物質創成
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島田 賢也
広大理
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田中 克昇
広大理
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福田 修悟
広大理
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沢田 正博
広大放射光セ
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佐々木 実
山形大理
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川上 正之
鹿児島大理
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大西 彰正
山形大理
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根岸 彩子
広大放射光セ
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根岸 寛
広大院先端物質
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喬 山
広大放射光セ
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喬 山
広大放セ
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生天目 博文
広大放セ
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谷口 雅樹
広大放セ
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三浦 良雄
東北大電通研
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白井 正文
東北大電通研
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崔 芸涛
広大放セ
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叶 茂
広大院理
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竹田 幸治
原研 SPring-8
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池永 英司
JASRI SPring-8
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上田 茂典
NIMS Spring-8
-
小林 啓介
NIMS Spring-8
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鹿又 武
東北学院大工
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宮本 幸治
広大院理
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Mizutani Teruyoshi
Depertment Of Electrical Engineering Nagoya University
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竹田 幸治
原子力機構
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大門 寛
奈良先端大物質創成:crest-jst
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大門 寛
奈良先端大
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池田 伸一
産総研
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小林 義彦
東京医大物理
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阪東 寛
電総研
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坂本 和昭
広大院理
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小林 義彦
東京医大医
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根岸 寛
広大先端研
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吉田 博
阪大産研
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喬 山
広大放射光科学研究センター
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笠井 俊夫
阪大院理
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池永 英司
Crest・jst
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広井 政彦
鹿児島大
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広井 政彦
鹿児島大理工
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武田 幸治
広大放射光セ
-
崔 芸濤
広大放セ
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崔 芸涛
広大院理
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笠井 俊夫
大阪大学大学院理学研究科化学専攻反応物理化学研究室
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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桑原 英樹
上智大学理工学部機能創造理工学科
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池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
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中西 寛
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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沢田 正樽
広大放射光セ
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生天目 榑文
広大放射光セ
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藤森 伸一
原研 SPring-8
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Dino W.
阪大工
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水谷 聡
鹿児島大理
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江見 和展
広大院理
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江見 和展
広大理
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齋藤 祐児
原研
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Dino Wilson
阪大院工
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Dino W
阪大工:阪大理:阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構:デ・ラ・サール大学理
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Kasai H.
阪大工
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坂本 和昭
広島大学大学院理学研究科
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浅井 吉藏
電通大
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Mori T
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Kulatov E.
ロシア科学アカデミー
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Qiao S
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima University
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仲武 昌史
広大放セ
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松田 和久
Fac. of Sci., Kagoshima Univ.
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広井 政彦
Fac. of Sci., Kagoshima Univ.
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川上 正之
Fac. of Sci., Kagoshima Univ.
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石田 尚治
Fac. of Sci., Kagoshima Univ.
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三浦 良雄
東北東大学電気通信研究所
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阿部 和多加
東北東大学電気通信研究所
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白井 正文
東北東大学電気通信研究所
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阿部 和多加
東北大通研
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松田 和久
奈良先端大物質創成
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Mori T
Department Of Organic And Polymeric Materials Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Insut
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Takata Masaki
Jasri Spring-8
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Cui Y.t.
Hsrc Hiroshima Univ.
-
DINO Wilson
Graduate School of Science, Osaka University
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森 竜雄
Nagoya Univ. Aichi Jpn
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Mori Tatsuo
Ibaraki National College Of Technology
-
ネルソン アルボレダ
阪大工
-
Arboleda Jr.
Graduate School Of Engineering Osaka University
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三浦 良雄
大坂大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
笠井 秀明
大坂大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
的場 賢一
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
Miyahara Tsuneaki
Photon Factory National Laboratory For High Energy Physics (kek)
-
斎藤 祐二
大阪大学基礎工学部
-
宮木 雄史
広大院工
-
尾崎 翔
大阪大学核物理研究センター
著作論文
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 22pWF-4 Sr_La_Ti_Cr_xO_3の電子構造のキャリア濃度(y)依存性(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 24aXB-2 低温走査トンネル顕微鏡を用いたNi(111)の表面電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aWG-3 RECoO_3及びPrMnO_3の電子構造(Co酸化物,熱電材料,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20pZA-7 TM-Pt合金(TM=Cr,Fe)の価電子帯共鳴光電子分光(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 18pTG-5 Si反転層中の2次元正孔ガスの角度分解光電子分光 : 光エネルギー依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-6 低温STMを用いたNi(111)表面電子状態の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pPSA-13 Rh(110)の高分解能角度分解光電子分光(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23aYH-2 Cu(110)(2×1)O表面における量子閉じ込め効果(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYD-1 層状物質TiSe_2の光電子分光II(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 27aPS-103 ハーフメタル強磁性体Co_2MnSiの電子状態における温度依存性(27aPS 領域3ポスターセッション(遍歴磁性体・化合物磁性体・f電子系・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aYJ-8 層状ルテニウム酸化物の角度分解光電子スペクトルにおけるキンク構造(Ru系,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aPS-27 磁壁を有する磁性ナノワイヤの電気伝導度に関する第一原理計算(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29pRE-4 角度分解光電子分光を用いたストライプ表面Cu(110)(2×1)Oの表面量子井戸状態の研究(29pRE 光電子分光・逆光電子分光,放射光真空紫外分光,軟X線発光,領域5(光物性))
- 24pQE-13 遷移金属合金FePt_3単結晶の価電子帯光電子分光II(24pQE 軟X線発光・散乱・放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光,領域5(光物性))
- 28pRF-9 遷移金属合金FePt_3単結晶の価電子帯光電子分光(28pRF 光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 23aYC-2 グラファイト表面及びアームチェアエッジと水素の相互作用
- 23aYC-1 グラファイト層内での水素原子・分子の安定状態
- 28pPSB-32 グラファイト端およびグラファイト層内での水素の動的振舞
- 21pYD-5 ホイスラー型合金(Ru_Fe_x)_2CrSiの電子状態(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 高スピン偏極率を有するホイスラー合金/MgO界面の理論設計(スピンエレクトロニクス)
- 22aPS-132 ハーフメタル/絶縁体ヘテロ構造における磁気抵抗の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-13 Co_2CrAl/GaAsヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aYH-3 角度分解光電子分光によるNi(111)Shockley表面準位の電子状態の研究(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pQE-9 高分解能光電子分光によるNiフェルミ面の研究(24pQE 軟X線発光・散乱・放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光,領域5(光物性))
- 24aPS-6 Pb_Ge_xTe単結晶の温度可変高分解能光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 24aZC-5 完全スピン偏極ホイスラー合金/半導体界面の第一原理計算(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 28aZF-4 Si(001) 表面における水素の動的振舞に関する理論
- 飛来する水素原子による金属表面吸着水素のはぎとり反応
- 18aTF-2 はぎとり反応におけるHot-Atomの量子ダイナミクス : 表面被覆率依存性
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-1 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- ホイスラー合金/半導体界面の電子状態計算
- 12aYC-6 閃亜鉛鉱型 CrAs における磁気光学効果の第一原理計算(磁性半導体, 領域 4)
- 高スピン偏極ホイスラー合金Co_2(Cr, Fe)Alの電子状態計算
- 21aTH-12 第一原理計算による IV 族半導体 (Ge, Si) ベース希薄磁性半導体の物質設計
- 26a-YM-10 解離吸着・会合脱離過程での水素分子の回転励起 : Cu表面とPd表面との相違
- 25pTA-5 金属表面近傍における水素原子の振る舞い : 吸着と吸収
- 25aW-12 金属表面上においてホットアトムが関与する素過程のダイナミクス
- 29pRE-5 高分解能角度分解光電子分光によるNi(111)表面電子状態の研究(29pRE 光電子分光・逆光電子分光,放射光真空紫外分光,軟X線発光,領域5(光物性))
- 19pYD-1 Pd(110)の高分解能角度分解光電子分光(光電子分光,領域5(光物性))
- 30pXJ-8 磁性不純物を含むAuナノワイヤーの電気伝導の第一原理計算(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXQ-4 Cu(110)の高分解能角度分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 30aTA-4 金属表面における水素のはぎとり反応 : Eley-Rideal機構とHot-Atom機構
- 25pTA-7 水素分子の金属表面への解離吸着 : 低エネルギー領域での分子回転依存性の異常
- 28pYB-2 Molecular Rotation Effects on the Dissociative Adsorption of H_2 on Si(001)(Surface science and photoemission spectroscopy)
- 20pYD-11 Quantum Dynamics of Hydrogen Interaction with Si(001) : A Coupled Channel Approach
- 走査トンネル顕微鏡によるCu(111)上のCO分子操作に関する理論
- 固体表面での水素分子の回転励起を伴う回析現象
- 25aW-10 遷移金属表面における水素の吸収反応とはぎとり反応のダイナミクスIII
- 25aW-9 銅表面での水素の散乱 : 分子の回折と回転励起
- 24aW-5 金属表面における水素の反応ダイナミクス : コルゲーション効果
- 31a-Q-13 銀表面での水素の吸着と脱離 : コルゲーション効果
- 26a-YM-11 銅表面での水素の解離吸着・会合脱離 : 振動・回転結合効果
- 1p-YF-8 窒素分子の会合脱離 : 振動・回転分布
- 26aPS-43 遷移金属合金/MgO界面における交換結合の第一原理計算(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pJB-9 Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性(23pJB 領域9,領域3合同表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-38 ホイスラー合金/MgO界面におけるノンコリニア磁気構造と交換結合(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pED-7 Ll_0-FeNiおよびFeNi多層膜の結晶磁気異方性の第一原理計算(22pED 領域3,領域9,領域5合同シンポジウム:垂直磁気異方性はどこまで理解されてきたか,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pED-7 L1_0-FeNiおよびFeNi多層膜の結晶磁気異方性の第一原理計算(22pED 領域3,領域9,領域5合同シンポジウム:垂直磁気異方性はどこまで理解されてきたか,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-32 Fe/GaAs界面の結晶磁気異方性に関する理論研究(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pCC-8 スピネル障壁MgAl_2O_4を用いた磁気トンネル接合のスピン依存伝導(20pCC スピントロニクス(スピン依存伝導),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pPSB-13 第一原理計算によるL1_0型FeNiの結晶磁気異方性に及ぼす元素添加の影響評価(量子スピン・フラストレーション・スピングラス・f電子・酸化物・化合物磁性,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))