大西 彰正 | 山形大理
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概要
関連著者
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大西 彰正
山形大理
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佐々木 実
山形大理
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佐々木 実
山形大学理学部
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大西 彰正
山形大 理
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大西 彰正
山形大物
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北浦 守
山形大物
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吉成 武久
山形大理
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山形大理
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金道 浩一
東大物性研
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東大物性研
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磯部 義興
広大院先端
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北浦 守
山形大学理学部
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大西 彰正
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Daegu Univ.
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生天目 博文
広大放射光セ
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広大放射光
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山形大理
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東大物性研
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生天目 博文
広大放射光
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山形大地教
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山形大理
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北浦 守
福井高専
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静岡大学
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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原 和彦
静岡大学電子工学研究所
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根岸 彩子
広大放射光セ
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根岸 寛
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齋藤 充
山形大理
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黒田 康博
山形大理
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Bidadi H.
Tabrizu大理
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鎌田 雅夫
佐賀大シンクロトロン
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齋藤 充
東北大多元研
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根岸 寛
広大先端研
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解 栄軍
物材機構
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大友 孝文
山形大理
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解 栄軍
物質・材料研究機構物質研究所
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原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
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小川 浩二
立命館大学理工学部
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中西 洋一郎
静岡大
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中西 洋一郎
静大電子研
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Bidadi H.
Tabriz Uni.
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Nakanishi Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
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Nakanishi Yoshiki
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磯部 義興
名大院工
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解 栄軍
物質・材料研究機構 ナノセラミックスセンター窒化物粒子グループ
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谷口 雅樹
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解 栄軍
物質・材料研究機構ナノセラミックスセンター
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井口 拓
静岡大学電子工学研究所
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武田 隆史
物質・材料研究機構ナノセラミックスセンター
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広崎 尚人
物質・材料研究機構ナノセラミックスセンター
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解 栄軍
物質・材料研究機構
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李 相俊
山大理
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佐々木 実
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山大理
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山大理
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鎌田 雅夫
佐大シンクロ
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鎌田 雅夫
佐賀大シンクロ
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広大放射光
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広大院理
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Avila Marcos
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京大炉
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Bidadi H.
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島貫 重孝
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いわき明星大
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信州大工
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山形大理
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東 純平
佐賀大slセンター
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有田 将司
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佐藤 仁
広大放射光
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東北大金研
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広大院理
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和大シス工
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いわき明星大理工
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菅 健一
阪大極限セ
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神野 賢一
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秋元 郁子
京大理
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信州大工
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三浦 良雄
東北大・通研
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広大院理
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小矢野 幹夫
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Kulbachinskii V.
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東大物性研
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鴻池 貴子
東大物性研
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谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
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伊藤 稔
信州大学工
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Jahir M.
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TAGUCHI Munetaka
RIKEN/SPring-8
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Arita M
Hokkaido Univ. Sapporo
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東北大理
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藤本 斉
熊本大理
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鎌田 雅夫
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小矢野 幹夫
北陸先端大 マテリアル
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V.a Kulbachinskii
Moscow State Univ.
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Kulbachinskii V.
Physics Faculty Moscow State Univ.
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坂本 政臣
山形大院理工
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林 正彦
秋田大学教育文:crest-jst
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Namatame Hirofumi
広大放セ
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
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Shimada K.
広大放セ
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東 純平
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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東理大理工
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熊川 征司
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三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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林 正彦
東北大院情報
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田中 健一
山形大理
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田中 健一
山形大 理
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吉成 武久
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長坂 慎一郎
山形大理
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ベロズルドク ローディオン
東北大金研
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大野 かおる
東北大金研
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小丸 牧子
山形大理
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Arita M.
広大放セ
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Namatame Hirofumi
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima Univ. Higashi-hiroshima 739-0046 Jpn
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小川 浩二
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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大野 かおる
横国大(工)
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Namatame H.
Hsrc Hiroshima Univ.
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Taniguchi Masaki
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.:hsrc Hiroshima Univ.
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熊川 征司
静岡大学 電子研
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Namatame Hirofumi
Department Of Materials Science Facalty Of Science Hiroshima University
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岩崎 秀夫
北陸先端科学技術大学院大
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佐々木 実
山形大物
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Avila M.
広大院先端物
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Nakatake M.
Hsrc Hiroshima Univ.
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富田 憲一
高エネ研物構研
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生天目 博文
Hisor
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谷口 雅樹
広大院理:hisor
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生天目 博文
放射光科学研究センター
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小川 浩二
佐大シンクロ
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島田 賢也
広島大
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山本 勇
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
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Kim K.-S.
ANCTP POSTECH
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菊地 怜美
山形大理
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伊田 進太郎
九州大院
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渡邊 真太
名古屋大エコトピア
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Taniguchi M.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.:hsrc Hiroshima Univ.
-
坂本 政臣
Department Of Material And Biological Chemistry Faculty Of Science Yamagata University
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若松 丈裕
山形大理
-
坂本 政臣
山形大学大学院理工学研究科
著作論文
- 28p-YM-9 (C_nH_NH_3)_2CdCl_4;n=1, 2, 3における固有発光
- 20aYD-7 電荷密度波物質1T-TaS_2の角度分解逆光電子分光(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
- 23pZA-5 層間化合物Fe_xTiSe_2単結晶における輸送特性と超構造の安定性(23pZA 電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pYD-1 層状物質TiSe_2の光電子分光II(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 22pPSA-79 CDW物質η-Mo_4O_の特異な量子ホール効果と磁場誘起Shubnikov-de Haas振動(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aPS-31 層状物質TiSe_2の光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pYK-6 ゼロギャップ近傍における巨大過渡Nernst-Ettingshausen効果(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aPS-15 バルク量子ホール系の示す量子ネルンスト効果(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTH-10 層状物質η-Mo_4O_が示すパルス強磁場下でのカイラル表面状態(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aPS-75 ゼオライト細孔内CdI_2クラスターの光吸収スペクトル(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pPSA-7 β-FeSi_2単結晶における特異な磁化特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-73 強磁場下におけるβ-FeSi_2単結晶の磁気輸送特性(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aXE-11 NiS 単結晶における M-I 転移と過渡熱起電力効果(溶融塩, 金属結合, 合金, 領域 6)
- 12pTM-1 TiSe_2 単結晶における CDW 転移と過渡熱起電力効果 II(電荷密度波, 領域 6)
- 13pPSA-61 ZnO ナノ微粒子の作製と光スペクトル(領域 5)
- 12pPSA-10 3d 遷移金属層間化合物 M_xTiSe_2 単結晶における過渡熱起電力効果(領域 4)
- 29aZK-10 シリコンにおける過渡熱起電力効果 : 励起エネルギー依存性 II
- 29aZK-9 β-FeSi_2 単結晶における過渡熱起電力効果 II
- 31a-A-13 脂質二重層類似の層状結晶を用いた細胞膜の放射線損傷モデル
- 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
- 29aZN-4 La_Sr_CO_4 におけるボルテックスダイナミクス
- 高温超伝導体材料におけるボルテックスのダイナミクス
- 25pRA-6 CsPbCl_3結晶における二次励起子形成過程
- 23pM-8 二次元物質エチルアンモニウム臭化カドミウムの反射スペクトル
- 26pYC-15 層状物質(C_2H_5NH_3)_2CdCl_4の偏光反射スペクトル
- 2p-YK-5 層状化合物(C_nH_NH_3)_2CdCl_4の吸収端スペクトル
- 2a-YG-8 筒状有機分子シクロデキストリン中のアントラセン(C_H_)の光吸収
- 1次元性結晶CsMnCl_3.2H_2Oにおける光誘起金属析出
- 1p-Y-14 シクロデキストリン中のSnI_4クラスターの反射スペクトル
- 25aPS-96 放射光光電子分光によるβ-FeSi_2単結晶の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 26aPS-98 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3単結晶におけるDirac電子の特異な輸送特性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-97 磁性トポロジカル絶縁体における輸送特性に及ぼすフェルミエネルギーのピン止め効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-2 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23aHA-2 放射光励起角度分解光電子光法によるBi_2Te_3の電子状態研究(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-33 光電子分光によるトポロジカル絶縁体GeBi_2Te_4の表面電子状態の観測(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSB-11 層間原子をイオン交換した層状ペロブスカイト酸化物SrBi_2Ta_2O_9における光誘起現象(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-21 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pPSA-34 過渡Nernst-Ettingshausen効果測定によるDirac fermionのカイラル性の解明(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-1 真空紫外光励起による銀ゼオライトの発光特性(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 18pFE-7 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁休Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクス(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-23 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクスII(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-76 A_2ZnCl_4(A=Rb,Cs)におけるオージェ・フリー発光の温度依存性(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 6pSB-2 β-FeSi_2単結晶における過渡熱起電力効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
- 7aQB-3 強磁性体BaIrO_3における電荷密度波転移とキャリアダイナミクス(CDW・超伝導,領域6)
- 24pPSA-34 磁場中過渡熱起電力効果法によるLSCOのボルテックスダイナミックスの解明(24pPSA 理論・高温超伝導,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pYD-10 パルス光励起プラズマ振動によるTHz光発振の計算機シミュレーション(25pYD 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性分野))
- 26pPSB-13 シリコンにおける過渡熱起電力効果 : 励起エネルギー依存性(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))