18pFE-7 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁休Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクス(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2012-08-24
著者
-
佐々木 実
山形大理
-
大西 彰正
山形大理
-
東 純平
佐賀大シンクロトロン
-
今村 真幸
神戸大工
-
小川 浩二
佐賀大シンクロ
-
Kim H.-j.
Daegu Univ.
-
北浦 守
山形大理
-
鎌田 雅夫
佐賀大シンクロ
-
高橋 和敏
佐賀大シンクロ
-
東 純平
佐賀大シンクロ
-
今村 真幸
佐賀大シンクロ
-
山本 勇
佐賀大シンクロ
-
東 純平
佐賀大学シンクロ
関連論文
- 21pPSA-12 Si(001)初期酸化表面の時間分解角度分解2光子光電子分光(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-6 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aPS-21 Hemin薄膜の作製と光電子分光II(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 7a-C-7 C_単結晶の低温ガラス相におけるサイト選択励起発光スペクトル
- 31p-D-11 C_単結晶の発光スペクトルと吸収端共鳴励起効果 III
- 30aYG-3 擬一次元結晶ピペリジニウム鉛ハライドにおける光誘起欠陥のESR II
- 22aXD-9 擬一次元結晶ピペリジニウム鉛ハライドにおける光誘起欠陥のESR
- 23pM-4 擬一次元結晶ピペリジニウム鉛ハライドにおける発光の偏光特性
- 26pYB-12 擬一次元結晶ピペリジニウム鉛ハライドの光電子分光
- 28p-YM-9 (C_nH_NH_3)_2CdCl_4;n=1, 2, 3における固有発光
- 20aYD-7 電荷密度波物質1T-TaS_2の角度分解逆光電子分光(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
- 23pZA-5 層間化合物Fe_xTiSe_2単結晶における輸送特性と超構造の安定性(23pZA 電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pYD-1 層状物質TiSe_2の光電子分光II(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 22pPSA-79 CDW物質η-Mo_4O_の特異な量子ホール効果と磁場誘起Shubnikov-de Haas振動(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aPS-31 層状物質TiSe_2の光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pYD-2 1T-TaS_2の価電子帯及び内殻光電子スペクトルの温度依存性(電荷密度波)(領域6)
- 20pTG-11 1T-TaS_2 の角度分解光電子分光
- 30pPSA-11 電荷密度波物質 1T-TaS_2 の光電子分光
- 20aYJ-4 マグネリ相Mo_nO_の赤外反射スペクトル
- 20aYJ-3 二次元電荷密度波物質η-Mo_4O_における負の熱膨張
- 28aTC-7 G_xTiS_2におけるゲスト原子分布と層間距離
- 28aTC-6 精密電子密度分布からみたη-Mo_4O_の電子状態
- 28aTC-5 Mo_4O_のMo-O原子間距離とbond strength
- 28aTC-4 M_xTaS_2 (M: 3d 遷移金属)における特異な輸送現象
- 28aTC-2 lT-Tas_2におけるモットギャップ内構造形成と局在-超伝導転移
- 25aWF-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_における電荷密度波の変形・並進運動に及ぼす端効果
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 25aSA-3 層間化合物Ag_xTiS_2における秩序一無秩序転移のシミュレーション
- 25aSA-2 モリブデン酸化物η-Mo_4O_の放射光を用いた電子密度レベルでの構造研究
- 25aSA-1 モリブデン酸化物Mo_nO_のXANES
- 27pYK-6 ゼロギャップ近傍における巨大過渡Nernst-Ettingshausen効果(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aPS-15 バルク量子ホール系の示す量子ネルンスト効果(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTH-10 層状物質η-Mo_4O_が示すパルス強磁場下でのカイラル表面状態(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aPS-75 ゼオライト細孔内CdI_2クラスターの光吸収スペクトル(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pPSA-7 β-FeSi_2単結晶における特異な磁化特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-73 強磁場下におけるβ-FeSi_2単結晶の磁気輸送特性(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aXE-11 NiS 単結晶における M-I 転移と過渡熱起電力効果(溶融塩, 金属結合, 合金, 領域 6)
- 12pTM-1 TiSe_2 単結晶における CDW 転移と過渡熱起電力効果 II(電荷密度波, 領域 6)
- 13pPSA-61 ZnO ナノ微粒子の作製と光スペクトル(領域 5)
- 12pPSA-10 3d 遷移金属層間化合物 M_xTiSe_2 単結晶における過渡熱起電力効果(領域 4)
- 29aZK-10 シリコンにおける過渡熱起電力効果 : 励起エネルギー依存性 II
- 29aZK-9 β-FeSi_2 単結晶における過渡熱起電力効果 II
- 25aL-3 低次元層状物質Mo_nO_の放射光を用いた構造研究
- 31a-A-13 脂質二重層類似の層状結晶を用いた細胞膜の放射線損傷モデル
- 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
- 29aZN-4 La_Sr_CO_4 におけるボルテックスダイナミクス
- 高温超伝導体材料におけるボルテックスのダイナミクス
- 25pRA-6 CsPbCl_3結晶における二次励起子形成過程
- 23pM-8 二次元物質エチルアンモニウム臭化カドミウムの反射スペクトル
- 26pYC-15 層状物質(C_2H_5NH_3)_2CdCl_4の偏光反射スペクトル
- 2p-YK-5 層状化合物(C_nH_NH_3)_2CdCl_4の吸収端スペクトル
- 2a-YG-8 筒状有機分子シクロデキストリン中のアントラセン(C_H_)の光吸収
- 1次元性結晶CsMnCl_3.2H_2Oにおける光誘起金属析出
- 1p-Y-14 シクロデキストリン中のSnI_4クラスターの反射スペクトル
- 24pPSA-45 低次元伝導体TeMo_5O_の磁化測定II
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 28a-C-9 ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜の過渡熱起電力効果III
- 28a-A-7 電荷密度波の並進運動の計算機シュミレーション : 遮蔽効果
- 28a-A-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のCDWダイナミックス : 鎖間相互作用の効果
- 28a-PS-78 低次元伝導体TeMo_5O_の磁化測定
- 29a-ZF-11 モリブデン酸化物Mo_nO_の結晶育成 II
- 29a-ZF-4 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布IV
- 26p-N-2 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構III
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 25aPS-96 放射光光電子分光によるβ-FeSi_2単結晶の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 25aP-1 電荷密度波の並進運動の計算機シミュレーションII
- 25aL-4 層状半導体Bi_Sn_xTe_3における量子ホール効果II
- 24pYM-6 電荷密度波物質η-Mo_4O_における量子ホール効果の異常
- 24pRE-9 Bi_Sb_x(x=0.023)の高分解能ARPES(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 22pK-12 MnTe_Se_xにおける過渡熱起電力効果
- 25aL-2 電荷密度波物質η-Mo_4O_におけるフォノンのソフト化と電子物性への影響
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 26aPS-98 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3単結晶におけるDirac電子の特異な輸送特性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-97 磁性トポロジカル絶縁体における輸送特性に及ぼすフェルミエネルギーのピン止め効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-2 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25aL-1 層間化合物Fe_xTiS_2及びAg_xTiS_2における原子分布の比較
- 26pC-9 モリブデン酸化物Mo_nO_の輸送現象
- 26pC-8 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布 V
- 23aHA-2 放射光励起角度分解光電子光法によるBi_2Te_3の電子状態研究(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-33 光電子分光によるトポロジカル絶縁体GeBi_2Te_4の表面電子状態の観測(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSB-11 層間原子をイオン交換した層状ペロブスカイト酸化物SrBi_2Ta_2O_9における光誘起現象(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-21 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pPSA-34 過渡Nernst-Ettingshausen効果測定によるDirac fermionのカイラル性の解明(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-1 真空紫外光励起による銀ゼオライトの発光特性(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 18pFE-7 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁休Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクス(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-23 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクスII(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-76 A_2ZnCl_4(A=Rb,Cs)におけるオージェ・フリー発光の温度依存性(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 6pSB-2 β-FeSi_2単結晶における過渡熱起電力効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
- 7aQB-3 強磁性体BaIrO_3における電荷密度波転移とキャリアダイナミクス(CDW・超伝導,領域6)
- 24pPSA-34 磁場中過渡熱起電力効果法によるLSCOのボルテックスダイナミックスの解明(24pPSA 理論・高温超伝導,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pYD-10 パルス光励起プラズマ振動によるTHz光発振の計算機シミュレーション(25pYD 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性分野))
- 26pPSB-13 シリコンにおける過渡熱起電力効果 : 励起エネルギー依存性(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))