24pRE-9 Bi_<1-x>Sb_x(x=0.023)の高分解能ARPES(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2010-08-18

著者

• 高山 あかり

  東北大院理

• 菅原 克明

  東北大WPI

• 相馬 清吾

  東北大WPI

• 佐藤 宇史

  東北大院理

• 高橋 隆

  東北大院理

• Guo H.

  東北大院理

• 相馬 浩吾

  東北大WPI

• 高橋 隆

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科

• 菅原 克明

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 佐藤 宇史

  東北大学大学院理学研究科

• 佐藤 直記

  いわき明星大理工

• 佐々木 実

  山形大理

• 佐藤 直記

  いわき明星大学教養部

• 佐藤 直記

  いわき明星大科学技術

• Takahashi T

  Gakushuin Univ. Tokyo

• 佐藤 直記

  いわき明星大

• Takahashi T

  Kogakuin Univ. Tokyo Jpn

• Takahashi T

  Hoshi Univ. Tokyo Jpn

• Takahashi T

  Department Of Physics Gakushuin University

• Tokuzawa Tokihiko

  National Institute For Fusion Science

• Tanaka Toshiaki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 佐々木 実

  山形大学理学部

• 相馬 清吾

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (wpi-aimr)

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• 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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• 23aHA-8 高分解能スピン分解ARPESによるBi薄膜における異方的Rashba分裂の観測(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTN-7 Cu_xBi_2Se_3超伝導体の高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 22aTE-11 2層グラフェン/H-SiCのKドープ量依存性 : 高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-10 Caドープしたグラフェンの超高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTN-9 Kドープした2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(21aTN 光電子分光(強相関系,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 高分解能スピン分解光電子分光装置の開発と表面ラシュバ効果の研究
• 高分解能光電子分光によるセメント超伝導体の電子状態
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• 26pSB-7 水素終端化したSiC上のグラフェンの電子状態の積層数依存性 : 高分解能ARPES(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pAC-7 水素終端化したSiC上のグラフェンの高分解能ARPES(25pAC 光電子分光,領域5(光物性))
• 26pBD-4 Cu_xBi_2Se_3の高分解能ARPES : Cu濃度依存性(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pBJ-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yの角度分解光電子分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYA-12 高分解能ARPESによるLaCo_2B_2超伝導体の電子状態(27pYA 鉄砒素系5(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aBJ-5 トポロジカル絶縁体Pb(Bl_Sb_x)_2Te_4の高分解能ARPES(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pCK-3 Bi/Si(111)薄膜における表面電子スピン偏極度の膜厚依存性(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aEC-4 水素終端化したSiC上の単層・多層グラフェンの高分解能ARPES(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aEA-4 Cu_xBi_2Se_3における多体相互作用 : 高分解能ARPES(21aEA トポロジカル超伝導・マヨラナ粒子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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• 28pDB-6 単層グラフェンの酸素吸着量依存性 : 高分解能ARPES(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
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