菅原 克明 | 東北大WPI

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概要

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関連著者

• 菅原 克明

  東北大WPI

• 佐藤 宇史

  東北大院理

• 菅原 克明

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 高橋 隆

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科

• Tanaka Toshiaki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 高橋 隆

  東北大院理

• Takahashi T

  Gakushuin Univ. Tokyo

• Takahashi T

  Kogakuin Univ. Tokyo Jpn

• Takahashi T

  Department Of Physics Gakushuin University

• Takahashi T

  Hoshi Univ. Tokyo Jpn

• Tokuzawa Tokihiko

  National Institute For Fusion Science

• 相馬 清吾

  東北大WPI

• Tamano T

  Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn

• 高橋 隆

  東北大WPI

• 金谷 康平

  東北大院理

• 相馬 浩吾

  東北大WPI

• 菅原 克明

  東北大院理

• 高山 あかり

  東北大院理

• 佐藤 宇史

  東北大学大学院理学研究科

• Kleeman James

  東北大院理

• 高橋 徹

  東北大院理

• 佐藤 宇史

  東北大院理:TRiP-JST

• 相馬 清吾

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (wpi-aimr)

• 田中 祐輔

  東北大院理

• 佐藤 宇史

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 瀬川 耕司

  阪大産研

• 野口 英一

  東北大院理

• 江藤 数馬

  阪大産研

• 安藤 陽一

  阪大産研

• Guo H.

  東北大院理

• 正満 拓也

  東北大院理

• 荒金 俊行

  東北大院理

• 田子 豊

  東北大院理

• 瀬川 耕司

  (財)電力中央研究所

• Sun Yujie

  東北大院理

• 水野 健太

  東北大院理

• 高坂 研一郎

  東北大院理

• 江藤 数馬

  大阪大産研

• 本間 康平

  東北大院理

• 安藤 陽一

  CRIEPI

• 高野 義彦

  物材機構

• 川原田 洋

  早大理工

• 中山 耕輔

  東北大院理

• Richard P.

  東北大WPI

• Wang N.

  中国科学院

• Ding H.

  中国科学院

• 岡崎 宏之

  岡山大院自然

• 佐藤 直記

  いわき明星大理工

• 佐々木 実

  山形大理

• 関場 陽一

  東北大院理

• Chen G.

  中国科学院物理研

• Luo J.

  中国科学院物理研

• 田崎 義昭

  東京大学大学院 工学系研究科

• 石井 聡

  筑波大加速器

• 石井 聰

  筑波大・研基セ

• 脇田 高穂

  Jst-crest:岡山大理界面

• 脇田 高徳

  東北大院理:東大物性研

• 平井 正明

  岡山大院自然:岡山大理界面

• 岡崎 宏之

  岡大院自然

• 村岡 祐治

  岡大院自然

• 横谷 尚睦

  岡大院自然

• 脇田 高徳

  岡大理界面

• 平井 正明

  岡大理界面

• 石井 聡

  物材機構

• 入山 慎吾

  早大理工

• 岩谷 克也

  東北大WPI-AIMR

• 清水 亮太

  東北大WPI-AIMR

• 森 貴之

  東北大院理

• 村岡 祐治

  岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面

• 岡崎 宏之

  岡山大院自然:jst-crest

• Luo J.

  中国科学院

• 菅原 克明

  東北大WIP

• 佐藤 直記

  いわき明星大学教養部

• 佐藤 直記

  いわき明星大科学技術

• 石井 聡

  横浜国立大学大学院工学府物理工学コース

• 石井 聰

  筑波大 研基セ

• 高野 義彦

  (独)物質・材料研究機構

• Dai X.

  中国科学院物理研

• Fang Z.

  中国科学院物理研

• 川原 田洋

  早大理工

• 脇田 高徳

  Jst-crest:岡山大理界面

• 伊勢 一樹

  東北大院理

• Wang Z.

  ボストン大

• 佐藤 直記

  いわき明星大

• 横谷 睦尚

  岡大院自然

• Chen G.

  中国科学院

• Wang Z

  ボストン大

• 伊勢 一樹

  東北大多元研

• Fang Z.

  中国科学院

• 川原田 洋

  早稲田大学理工学術院

• 佐々木 実

  山形大学理学部

• Wang N.

  中国科学院物理研

• 安藤 陽一

  大阪大産研

• Fisk Z.

  カリフォルニア大

• 瀬川 耕司

  大阪大産研

• 川原田 洋

  早大理工学術院

• Dai X.

  中国科学院

• 一杉 太郎

  東北大WPI

• 清水 亮太

  東北大WPI

• 岩谷 克也

  東北大WPI

• 高山 あかり

  東北大WPI-AIMR

• Kleeman J.

  東北大院理

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著作論文

• C_6Caの層間電子超伝導(最近の研究から)
• 22pGV-6 SiC上グラフェンの光電子分光(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGP-3 Liドープグラフェン/SiCの高分解能ARPES(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pHL-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:III(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 20pGQ-1 Bi薄膜の超高分解能スピン分解ARPES(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHL-1 単層及び多層グラフェンの高分解能ARPES(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 30aTL-2 光電子分光による高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの金属-絶縁体転移前後の電子状態の観測(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aYG-4 ミニモットスピン検出器の開発とV族半金属表面のRashba効果の観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYE-6 グラフェンの高品質化と高分解能ARPES(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pXA-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:II(新分光法,MCD/MLD,領域5,光物性)
• 30aVA-2 鉄系高温超伝導体Ba_K_xFe_2As_2の超伝導ギャップの直接観測 : 高分解能ARPES(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
• 28aYH-6 単層および多層グラフェンの作成と高分解能ARPES(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYH-6 CaC_6の超伝導ギャップと電子-格子相互作用 : 高分解能ARPES(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aVA-10 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
• 21pTA-5 光電子分光を用いたグラフェンと関連物質の電子状態の観測と展望(21pTA 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン研究の焦点-新しい挑戦-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aWF-2 CaC_6の超高分解能ARPES(21aWF フラーレン・超伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aYD-2 In-"1x1"/Si(111)の電子状態の温度依存性 : 高分解能ARPES(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
• 20aYD-1 Pb/Si(111)の高分解能ARPES(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
• 25aWX-3 Bi(111)表面のスピン分解微細電子構造(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRG-2 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:IV(23pRG 光電子分光・放射光真空紫外分光・MCD・X線発光,領域5(光物性))
• 23pRA-12 水素終端したSiC上の2層グラフェンの高分解能ARPES(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRA-11 Liドープした二層グラフェンの高分解能ARPES(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRE-9 Bi_Sb_x(x=0.023)の高分解能ARPES(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
• 28pTA-5 Kドープした2層グラフェン/H-SiCの高分解能ARPES(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aHG-5 新トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の高分解能ARPES(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aTB-5 SiC上に作成したC_6LiC_6の微細電子構造 : 超高分解能ARPES(25aTB 層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-11 2層グラフェン/H-SiCのKドープ量依存性 : 高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-10 Caドープしたグラフェンの超高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTN-9 Kドープした2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(21aTN 光電子分光(強相関系,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 26pSB-7 水素終端化したSiC上のグラフェンの電子状態の積層数依存性 : 高分解能ARPES(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pAC-7 水素終端化したSiC上のグラフェンの高分解能ARPES(25pAC 光電子分光,領域5(光物性))
• 19aEC-4 水素終端化したSiC上の単層・多層グラフェンの高分解能ARPES(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aFJ-10 水素終端化したSiC上多層グラフェンの高分解能ARPES(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 20aFJ-9 High-resolution ARPES study of C8AC8(A=K,Rb)
• 29aXP-2 アルカリドープ2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aXP-1 2層グラフェン層間化合物C_6AC_6(A=Li,Ca)の電子構造解析(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pXT-6 原子層膜物質の準粒子状態(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aEJ-8 単層グラフェンにおけるバンドギャップ制御 : 高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 29aXP-4 酸素吸着グラフェンの高分解能ARPES(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 29aEJ-9 W(110)表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pJA-6 積層制御グラフェン層間化合物の光電子分光(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pDB-7 Fe/W(110)の高分解能ARPES(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 28pDB-6 単層グラフェンの酸素吸着量依存性 : 高分解能ARPES(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 28aDK-2 酸素吸着グラフェンのバンドギャップ制御 : 高分解能ARPES(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• 28aBF-9 Bi蒸着TlBiSe_2の電子状態 : 高分解能ARPES(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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