安藤 陽一 | CRIEPI

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概要

• 同名の論文著者
• CRIEPIの論文著者

関連著者

• 安藤 陽一

  CRIEPI

• 瀬川 耕司

  (財)電力中央研究所

• 安藤 陽一

  阪大産研

• 瀬川 耕司

  阪大産研

• 相馬 清吾

  東北大WPI

• 佐藤 宇史

  東北大院理

• 高橋 隆

  東北大院理

• 高橋 隆

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科

• Takahashi T

  Gakushuin Univ. Tokyo

• Tamano T

  Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn

• Takahashi T

  Kogakuin Univ. Tokyo Jpn

• Tanaka Toshiaki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 江藤 数馬

  大阪大産研

• 江藤 数馬

  阪大産研

• 中山 耕輔

  東北大院理

• 田中 祐輔

  東北大院理

• Ren Zhi

  阪大産研

• 佐々木 聡

  阪大産研

• 佐藤 宇史

  東北大院理:TRiP-JST

• 安藤 陽一

  大阪大学産業科学研究所

• 辛 埴

  東大物性研

• 田中 耕一郎

  京大院理

• 菅原 克明

  東北大WPI

• 小森 文夫

  東大物性研

• 石田 行章

  東大物性研

• 大西 義人

  京大院理

• 金 聖憲

  東大物性研

• 瀬川 耕司

  大阪大学産業科学研究所

• 吉澤 俊介

  東大物性研

• Ren Z.

  阪大産研

• 野村 円香

  東北大院理

• 正満 拓也

  東北大院理

• 鳥羽 俊伸

  阪大産研

• 片山 尚幸

  バージニア大

• Taskin Alexey

  阪大産研

• 菅原 克明

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 渡部 俊太郎

  東大物性研

• 藤森 淳

  東大新領域

• 澤 博

  名古屋大学

• クリーナー マルクス

  京大院理

• Shen Z-X

  Stanford大

• 田中 清尚

  東大理

• 八木 創

  東大理

• 八木 創

  愛媛大院理工:名大院理

• Malaeb Walid

  東大物性研

• 吉田 鉄平

  Stanford 大

• 斎藤 英治

  東北大金研工大応セラ研

• 田中 耕一郎

  京大院理:京大icems

• 安藤 陽一

  大阪大産研

• 相馬 清吾

  東北大wpi-aimr

• 梶原 瑛祐

  東北大金研

• 瀬川 耕司

  大阪大産研

• クリーナー M.

  大阪大学産業科学研究所

• 佐々木 聡

  大阪大学産業科学研究所

• Kriener Markus

  阪大産研

• 任 之

  阪大産研

• 近藤 猛

  東大物性研

• 中島 祐貴

  東大物性研

• Chen Cuangtian

  中国科学院

• Cailleau Herve

  レンヌ第一大学

• Lorenc Maciej

  レンヌ第一大学

• 野村 健太郎

  東北大金研

• Fu Liang

  阪大産研

• Zhou X-J

  Stanford Univ.

• 瀬川 耕司

  CRIEPI

• Lavrov A.N

  CRIEPI

• 宮町 俊生

  東大物性研

• Taskin A.A.

  阪大産研

• 片山 尚幸

  名古屋大学工学部

• 菅原 健人

  名古屋大学工学部

• Shen Z-X

  Stanford Univ.

• 澤 博

  名古屋大学工学部

• 塩見 雄毅

  東北大金研・WPI-AIMR

• 斎藤 英治

  東北大金研・WPI-AIMR:CREST:原研ASRC

• 吉田 鉄平

  Stanford Univ.

• 野村 健太郎

  東北大金研・WPI-AIMR

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著作論文

• 28pXG-5 トポロジカル絶縁体のバルクヘテロ構造制御によるディラックコーンの操作(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-4 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの高分解能ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-3 Pb系トポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果 : スピン分解ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-2 レーザー励起型角度分解光電子分光で観察したカリウム蒸着により変化するトポロジカル絶縁体の表面電子状態(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXG-4 ドープされたトポロジカル結晶絶縁体Sn_In_xTeの超伝導特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pEJ-9 トポロジカル絶縁体における非平衡キャリアの緩和ダイナミクスII(28pEJ 超高速現象,領域5(光物性))
• 29aXG-3 トポロジカル超伝導候補物質Cu_xBi_2Se_3の熱力学的特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXG-8 Nb蒸着したトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTeSe_yのSTM/STS測定(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 6pXE-16 希薄ドープYBa2Cu3O7-δの角度分解光電子分光(高温超伝導(光学的性質),領域8)
• 25aJA-3 STMおよび時間分解光電子分光によるBi_Sb_Te_Se_の電子状態(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pDK-9 トポロジカル超伝導体候補物質Sn_In_xTeの電子構造 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aDD-14 トポロジカル超伝導体候補物質Cu_xBi_2Se_3における放射光X線構造解析(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aDK-9 超伝導Tl_5Te_3のポイントコンタクト分光(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aJA-8 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aDD-9 円偏光フェムト秒パルスによるトポロジカル絶縁体からのテラヘルツ電磁波発生(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aDK-7 スピンポンプによるトポロジカル絶縁体へのスピン注入と起電力発生(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pPSA-13 Pb系ホモロガス相トポロジカル絶縁体新物質の探索(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pDK-8 トポロジカルクリスタル絶緑体(Pb, Sn)Teの電子状態 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pAA-9 おわりに : 新物質探索のまとめと今後の展望(主題:トポロジカル絶縁体・超伝導体の新物質・新構造,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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