Tamano T | Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn

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概要

• 同名の論文著者
• Univ. Tsukuba Ibaraki Jpnの論文著者

関連著者

• Tamano T

  Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn

• 佐藤 宇史

  東北大院理

• 高橋 隆

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科

• Takahashi T

  Kogakuin Univ. Tokyo Jpn

• Tanaka Toshiaki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 高橋 隆

  東北大院理

• Tokuzawa Tokihiko

  National Institute For Fusion Science

• 相馬 清吾

  東北大WPI

• Takahashi T

  Gakushuin Univ. Tokyo

• Takahashi T

  Hoshi Univ. Tokyo Jpn

• 佐藤 宇史

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 瀬川 耕司

  阪大産研

• 菅原 克明

  東北大WPI

• 安藤 陽一

  阪大産研

• 菅原 克明

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 佐藤 宇史

  東北大院理:TRiP-JST

• 江藤 数馬

  阪大産研

• 中山 耕輔

  東北大院理

• 江藤 数馬

  大阪大産研

• 相馬 浩吾

  東北大WPI

• 相馬 清吾

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (wpi-aimr)

• 瀬川 耕司

  (財)電力中央研究所

• 高橋 隆

  東北大WPI

• 田中 祐輔

  東北大院理

• Kleeman James

  東北大院理

• 高橋 徹

  東北大院理

• 安藤 陽一

  CRIEPI

• 金谷 康平

  東北大院理

• 安藤 陽一

  大阪大学産業科学研究所

• 高坂 研一郎

  東北大院理

• 瀬川 耕司

  大阪大学産業科学研究所

• Takahashi T

  Department Of Physics Gakushuin University

• 小松 誠

  東北大院理

• 中山 耕輔

  東北大院理:jst-crest

• 高山 あかり

  東北大院理

• 野口 英一

  東北大院理

• 梅澤 浩太郎

  東北大院理

• Mase Atsushi

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• TAMANO Teruo

  Plasma Research Center, University of Tsukuba

• Tamano Teruo

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 安藤 陽一

  大阪大産研

• 瀬川 耕司

  大阪大産研

• 野村 円香

  東北大院理

• Qian T.

  中国科学院

• Richard P.

  東北大WPI

• Ding H.

  中国科学院

• 荒金 俊行

  東北大院理

• Bruskin Leonid

  Plasma Research Center University Of Tsukuba:(present) Electronic Company Of New Zealand 19 Newton R

• Bruskin L

  Japan Atomic Energy Research Institute Naka Fusion Research Establishment

• Bruskin Leonid

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• Oyama N

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• Oyama Naoyuki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• ITAKURA Akiyosi

  Plasma Research Center, University of Tsukuba

• Itakura A

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• Itakura Akiyosi

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 銭 天

  中国科学院

• Itakura Akiyoshi

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• Richard P.

  中国科学院

• 荒金 俊行

  東北大WPI

• Ren Z.

  阪大産研

• 正満 拓也

  東北大院理

• 門脇 和男

  筑波大数理物質

• Ren Zhi

  阪大産研

• 佐々木 聡

  阪大産研

• 川原 卓磨

  東北大院理

• Guo H.

  東北大院理

• 松井 浩明

  東北大院理

• Luhmann Neville

  Department Of Applied Science University Of California At Davis

• Luhmann Neville

  Department Of Applied Science University Of California

• 佐藤 宇史

  東北大学大学院理学研究科

• Amato Alex

  PSI

• Chen G.

  中国科学院物理研

• TOKUZAWA Tokihiko

  National Insitute for Fusion Science

• Wang S.

  ボストン大

• 岩谷 克也

  東北大WPI-AIMR

• 清水 亮太

  東北大WPI-AIMR

• 藤井 武則

  東大低温セ

• 朝光 敦

  東大低温センター

• 朝光 敦

  Psi

• KUBOTA Shigeyuki

  Plasma Research Center, University of Tsukuba

• Kubota Shigeyuki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 南 達哉

  阪大産研

• 鈴木 真介

  横浜国大院環境情報

• HOJO Hitoshi

  Plasma Research Center, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8577, Japan

• 門脇 和男

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• Wang S.-C.

  中国人民大

• Chen G.

  中国人民大

• Kubota S

  Sony Co. Atsugi‐shi Jpn

• Hojo Hitoshi

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• Yagi Yasuyuki

  Electrotechnical Laboratory

• Kiwamoto Yasuhito

  Department Of Fundamental Sciences Faculty Of Integrated Human Studies Kyoto University

• YATSU Kiyoshi

  Plasma Research Center, University of Tsukuba

• Yatsu Kiyoshi

  Plasma Research Center The University Of Tsukuba

• Mizuno Koji

  Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University

• Kubota S

  Mitsubishi Electirc Corp. Hyogo Jpn

• Kubota Shigeo

  Research Center Sony Corporation

• ONUMA Tsuyoshi

  Plasma Research Center, University of Tsukuba

• KATOH Masayuki

  Plasma Research Center, University of Tsukuba

• DOMIER Calvin

  Department of Applied Science, University of California at Davis

• TOKUZAWA Tokihiko

  Plasma Research Center, University of Tsukuba

• Ito Yasuhiko

  Plasma Research Center, University of Tsukuba

• Harada Yasoo

  Ultra-High Speed Electronics Department, Microelectronics Research Center, Sanyo Electric, Co., Ltd.

• ONUMA Takeyoshi

  Institute of Applied Physics and Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba

• Gu G.

  ブルックヘブン国立研究所

• Mizuno K

  Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University

• Harada Yasoo

  Ultra-high Speed Electronics Department Microelectronics Research Center Sanyo Electric Co. Ltd.

• Domier Calvin

  Department Of Applied Science University Of California At Davis

• Onuma Tsuyoshi

  Institute Of Applied Physics And Graduate School Of Pure And Applied Sciences University Of Tsukuba

• Katoh Masayuki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 平野 正治

  Erato-jst:東工大フロンティア創造研究セ

• Ito Yasuhiko

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 高橋 隆

  東北大院理:東北大wpi

• 相馬 清吾

  東北大wpi-aimr

• Miao H.

  中国科学院

• Wang S.

  中国人民大

• 任 之

  阪大産研

• 鈴木 悠介

  筑波大数理物質

• Kriener M.

  大阪大産研

• Das Pradip

  筑波大数理物質

• Kriener M.

  阪大産研

• 朝光 敦

  東大低温セ

• 門脇 和男

  筑波大数理

• MIZUNO Kaoru

  Laboratory of Crystal Physics, Faculty of Science, Hiroshima University

• 一杉 太郎

  東北大WPI

• 清水 亮太

  東北大WPI

• 岩谷 克也

  東北大WPI

• Gu G.

  ブルックヘブン国立研

• Taskin A.A.

  阪大産研

• Kleeman J.

  東北大院理

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著作論文

• Initial Measurements from an Ultrashort-Pulse Reflectometer on GAMMA 10
• Millimeter-Wave Phase-Imaging Interferometry Using Two-Dimensional Detector Array
• Application of Orthogonal Wavelet Decomposition to Plasma Fluctuation Study
• 28pTA-5 Kドープした2層グラフェン/H-SiCの高分解能ARPES(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aHG-5 新トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の高分解能ARPES(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aHB-8 タリウム系トポロジカル絶縁体の高分解能ARPES(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
• 26aTH-8 Bi(111)表面における特異なRashba効果 : 高分解能スピン分解ARPES(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aTB-5 SiC上に作成したC_6LiC_6の微細電子構造 : 超高分解能ARPES(25aTB 層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTR-4 タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移 : 高分解能ARPES(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pGB-13 Na_xCoO_2のフェルミ面における水和効果と超伝導 : 角度分解光電子分光(23pGB コバルト酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23aHA-8 高分解能スピン分解ARPESによるBi薄膜における異方的Rashba分裂の観測(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTN-7 Cu_xBi_2Se_3超伝導体の高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 23pGM-2 Fe(Te,Se)超伝導体における準粒子ピーク : 高分解能ARPES(23pGM 鉄砒素系(11系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aTE-11 2層グラフェン/H-SiCのKドープ量依存性 : 高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-10 Caドープしたグラフェンの超高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTN-9 Kドープした2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(21aTN 光電子分光(強相関系,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 21pGL-9 高分解能ARPESによる鉄系超伝導体LiFeAsの電子状態(21pGL 鉄砒素系(111,1111系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• トポロジカル量子相転移近傍におけるディラック電子の質量獲得(最近の研究から)
• 角度分解光電子分光で見た鉄系超伝導体におけるディラック電子と擬ギャップ
• 19aEC-4 水素終端化したSiC上の単層・多層グラフェンの高分解能ARPES(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aFJ-10 水素終端化したSiC上多層グラフェンの高分解能ARPES(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 20aFJ-13 トポロジカル絶縁体の表面ドーピング制御(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 20aFJ-9 High-resolution ARPES study of C8AC8(A=K,Rb)
• 20aFJ-12 Tl系トポロジカル絶縁体の量子相転移近傍におけるスピン依存電子構造(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 29aXP-2 アルカリドープ2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXG-5 トポロジカル絶縁体のバルクヘテロ構造制御によるディラックコーンの操作(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-4 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの高分解能ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-3 Pb系トポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果 : スピン分解ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXP-1 2層グラフェン層間化合物C_6AC_6(A=Li,Ca)の電子構造解析(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aEJ-8 単層グラフェンにおけるバンドギャップ制御 : 高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 29aXP-4 酸素吸着グラフェンの高分解能ARPES(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 25pDK-9 トポロジカル超伝導体候補物質Sn_In_xTeの電子構造 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aJA-8 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pJA-6 積層制御グラフェン層間化合物の光電子分光(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pDB-6 単層グラフェンの酸素吸着量依存性 : 高分解能ARPES(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 25pDK-8 トポロジカルクリスタル絶緑体(Pb, Sn)Teの電子状態 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aDK-2 酸素吸着グラフェンのバンドギャップ制御 : 高分解能ARPES(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))

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