瀬川 耕司 | 大阪大学産業科学研究所
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概要
関連著者
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瀬川 耕司
大阪大学産業科学研究所
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安藤 陽一
阪大産研
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瀬川 耕司
阪大産研
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安藤 陽一
大阪大学産業科学研究所
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Ren Zhi
阪大産研
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任 之
阪大産研
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佐々木 聡
阪大産研
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佐藤 宇史
東北大院理
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高橋 隆
東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科
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クリーナー マルクス
京大院理
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Tamano T
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
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Takahashi T
Kogakuin Univ. Tokyo Jpn
-
Takahashi T
Hoshi Univ. Tokyo Jpn
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Tokuzawa Tokihiko
National Institute For Fusion Science
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Tanaka Toshiaki
Plasma Research Center University Of Tsukuba
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佐藤 宇史
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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江藤 数馬
阪大産研
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相馬 清吾
東北大WPI
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相馬 浩吾
東北大WPI
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Kriener Markus
京大院理
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高坂 研一郎
東北大院理
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江藤 数馬
大阪大産研
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クリーナー M.
阪大産研
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相馬 清吾
東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (wpi-aimr)
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高橋 隆
東北大院理
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小松 誠
東北大院理
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クリーナー M.
大阪大学産業科学研究所
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佐々木 聡
大阪大学産業科学研究所
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Kriener Markus
阪大産研
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Taskin A.
阪大産研
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和田 祥平
阪大産研
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瀬川 耕司
(財)電力中央研究所
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Takahashi T
Department Of Physics Gakushuin University
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安藤 陽一
大阪大産研
-
瀬川 耕司
大阪大産研
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任 之
大阪大学産業科学研究所
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Kriener M.
阪大産研
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安藤 陽一
CRIEPI
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片山 尚幸
バージニア大
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出田 真一郎
東大理
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吉田 鉄平
東大理
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藤森 淳
東大理
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田中 耕一郎
京大院理
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高山 あかり
東北大院理
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中山 耕輔
東北大院理
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高橋 隆
東北大WPI
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佐藤 宇史
東北大学大学院理学研究科
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藤森 淳
東大新領域
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鄭 国慶
岡山大院自然
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李 政
岡山大院自然
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鄭 国慶
岡大院自然
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澤 博
名古屋大学
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久保田 正人
高エ研
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小野 寛太
高エ研
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西 一郎
東大理
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久保田 正人
高エネ研PF
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小野 寛太
高エネ研PF
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田中 耕一郎
新技術事業団平尾プロジェクト
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田中 耕一郎
京都大
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植村 渉
東大理
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小野 寛太
高工研
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久保田 正人
高工研
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田中 耕一郎
京都大学大学院理学研究科
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南 達哉
阪大産研
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鄭国 慶
阪大基礎工
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大西 義人
京大院理
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李 政
中国科学院
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Fujimori Atsushi
Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Agency:department Of Physics University Of
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Fujimori Atsushi
Department Of Physics And Department Of Complexity Science And Engineering University Of Tokyo:japan
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岩瀬 文達
東大工:分子研
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岩瀬 文達
岡大院自然
-
中山 耕輔
東北大院理:jst-crest
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Kriener M.
大阪大産研
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吉田 遼平
阪大産研
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Ren Z.
阪大産研
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片山 尚幸
名古屋大学工学部
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菅原 健人
名古屋大学工学部
-
澤 博
名古屋大学工学部
-
岩瀬 文達
岡山大院自然
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田中 耕一郎
産総研
著作論文
- 28aHG-8 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導体Cu_xBi_2Se_3の輸送特性(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHG-10 バルク絶縁性の高い新トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seの表面量子振動(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aHB-8 タリウム系トポロジカル絶縁体の高分解能ARPES(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
- 28aHG-9 Cu_xBi_2Se_3の超伝導(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pEH-5 両極ドープ系Y_La_z(Ba_La_x)_2Cu_3O_yの角度分解光電子分光(25pEH 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-4 タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移 : 高分解能ARPES(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTR-12 Cu_xBi_2Se_3のトンネル分光実験(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTR-2 トポロジカル超伝導体Cu_xBi_2Se_3における常伝導状態 : Cu, Bi, Se-NMR(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-14 高バルク抵抗トポロジカル絶縁体におけるスピン偏極輸送特性観測の試み(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-13 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導物質Cu_xBi_2Se_3の電気化学的インターカレーションによる合成(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_Te_Se_における時間分解反射率測定(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTR-9 Cu_xBi_2Se_3の超伝導状態における熱力学的特性(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTR-8 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導物質の輸送特性(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTC-10 バルク絶縁性の高いトポロジカル絶縁体における表面輸送現象(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-16 スピン偏極表面状態が予測されているNaCoO_2の材料研究(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- トポロジカル量子相転移近傍におけるディラック電子の質量獲得(最近の研究から)
- 29aXG-3 トポロジカル超伝導候補物質Cu_xBi_2Se_3の熱力学的特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDD-14 トポロジカル超伝導体候補物質Cu_xBi_2Se_3における放射光X線構造解析(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))