任之 | 阪大産研

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概要

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著作論文

23aHV-11 強磁性体を用いたトポロジカル絶縁体上のスピン偏極電流観測の試み(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
24pXA-7 Bi_2Se_3およびPbSにおける異常ホール効果とバルクスピンホール伝導度(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
28aHG-8 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導体Cu_xBi_2Se_3の輸送特性(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
26aHG-10 バルク絶縁性の高い新トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seの表面量子振動(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
28aHG-9 Cu_xBi_2Se_3の超伝導(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21pPSA-14 高バルク抵抗トポロジカル絶縁体におけるスピン偏極輸送特性観測の試み(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21pPSA-13 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導物質Cu_xBi_2Se_3の電気化学的インターカレーションによる合成(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
23pTR-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_Te_Se_における時間分解反射率測定(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
23aTR-9 Cu_xBi_2Se_3の超伝導状態における熱力学的特性(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
23aTR-8 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導物質の輸送特性(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
24aTC-10 バルク絶縁性の高いトポロジカル絶縁体における表面輸送現象(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
26pAD-2 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのディラック電子状態の組成依存性(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
25pBJ-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yの角度分解光電子分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
20aFJ-13 トポロジカル絶縁体の表面ドーピング制御(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
29aXG-4 ドープされたトポロジカル結晶絶縁体Sn_In_xTeの超伝導特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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