Takahashi T | Kogakuin Univ. Tokyo Jpn

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概要

• 同名の論文著者
• Kogakuin Univ. Tokyo Jpnの論文著者

関連著者

• 高橋 隆

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科

• Takahashi T

  Kogakuin Univ. Tokyo Jpn

• Tanaka Toshiaki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 佐藤 宇史

  東北大院理

• 高橋 隆

  東北大院理

• Tamano T

  Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn

• Takahashi T

  Hoshi Univ. Tokyo Jpn

• Takahashi T

  Gakushuin Univ. Tokyo

• Tokuzawa Tokihiko

  National Institute For Fusion Science

• 菅原 克明

  東北大WPI

• 相馬 清吾

  東北大WPI

• Takahashi T

  Department Of Physics Gakushuin University

• 菅原 克明

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 佐藤 宇史

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 瀬川 耕司

  阪大産研

• 中山 耕輔

  東北大院理

• 安藤 陽一

  阪大産研

• 佐藤 宇史

  東北大学大学院理学研究科

• 相馬 浩吾

  東北大WPI

• 相馬 清吾

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (wpi-aimr)

• 高橋 隆

  東北大WPI

• 佐藤 宇史

  東北大院理:TRiP-JST

• 中山 耕輔

  東北大院理:jst-crest

• 江藤 数馬

  阪大産研

• 金谷 康平

  東北大院理

• 江藤 数馬

  大阪大産研

• 高山 あかり

  東北大院理

• Richard P.

  東北大WPI

• 高坂 研一郎

  東北大院理

• 梅澤 浩太郎

  東北大院理

• Ding H.

  中国科学院

• 瀬川 耕司

  (財)電力中央研究所

• 田中 祐輔

  東北大院理

• Kleeman James

  東北大院理

• 高橋 徹

  東北大院理

• 安藤 陽一

  CRIEPI

• 川原 卓磨

  東北大院理

• 安藤 陽一

  大阪大学産業科学研究所

• 瀬川 耕司

  大阪大学産業科学研究所

• Qian T.

  中国科学院

• 銭 天

  中国科学院

• 荒金 俊行

  東北大院理

• Chen G.

  中国科学院物理研

• Richard P.

  中国科学院

• 小松 誠

  東北大院理

• Chen G.

  中国人民大

• Ding H.

  中国科学院物理研

• 野口 英一

  東北大院理

• Guo H.

  東北大院理

• Amato Alex

  PSI

• Wang S.

  ボストン大

• 藤井 武則

  東大低温セ

• 朝光 敦

  東大低温センター

• 朝光 敦

  Psi

• Wang S.-C.

  中国人民大

• Fang Z.

  中国科学院

• 安藤 陽一

  大阪大産研

• Fisk Z.

  カリフォルニア大

• 瀬川 耕司

  大阪大産研

• Wang S.

  中国人民大

• 野村 円香

  東北大院理

• 朝光 敦

  東大低温セ

• Wang N.

  中国科学院

• 松井 浩明

  東北大院理

• Neupane M.

  ボストン大

• 菅原 克明

  東北大院理

• Wen H.

  中国科学院

• Capan C.

  University of California

• Wen H.-H.

  中国科学院

• Gu G.

  ブルックヘブン国立研究所

• Wang N.

  中国科学院物理研

• 平野 正治

  Erato-jst:東工大フロンティア創造研究セ

• Miao H.

  中国科学院

• 荒金 俊行

  東北大WPI

• Ren Z.

  阪大産研

• 正満 拓也

  東北大院理

• Gu G.

  ブルックヘブン国立研

• 門脇 和男

  筑波大数理物質

• Ren Zhi

  阪大産研

• 佐々木 聡

  阪大産研

• 佐藤 直記

  いわき明星大理工

• 佐々木 実

  山形大理

• Luo J.

  中国科学院物理研

• 岩谷 克也

  東北大WPI-AIMR

• 清水 亮太

  東北大WPI-AIMR

• Luo J.

  中国科学院

• 菅原 克明

  東北大WIP

• 佐藤 直記

  いわき明星大学教養部

• 佐藤 直記

  いわき明星大科学技術

• 南 達哉

  阪大産研

• 鈴木 真介

  横浜国大院環境情報

• Xu Y.-M.

  ボストン大

• Dai X.

  中国科学院物理研

• Fang Z.

  中国科学院物理研

• 藤井 武則

  東京大学低温センター

• 門脇 和男

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• Wang Z.

  ボストン大

• Fink Z.

  University of California

• Capan C.

  カリフォルニア大学

• 佐藤 直記

  いわき明星大

• Xu X.-M.

  ボストン大

• Fedrov A.

  ALS

• Xu G.

  中国科学院

• Chen G.-F.

  中国人民大学

• Wang N.-L.

  中国科学院

• Wang Z

  ボストン大

• Xu X.-a.

  ボストン大

• 佐々木 実

  山形大学理学部

• 高橋 隆

  東北大院理:東北大wpi

• 相馬 清吾

  東北大wpi-aimr

• 任 之

  阪大産研

• 鈴木 悠介

  筑波大数理物質

• Kriener M.

  大阪大産研

• Das Pradip

  筑波大数理物質

• Kriener M.

  阪大産研

• Capan C.

  カリフォルニア大

• Dai X.

  中国科学院

• 門脇 和男

  筑波大数理

• 一杉 太郎

  東北大WPI

• 清水 亮太

  東北大WPI

• 岩谷 克也

  東北大WPI

• Taskin A.A.

  阪大産研

• Kleeman J.

  東北大院理

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著作論文

• C_6Caの層間電子超伝導(最近の研究から)
• 21pGP-3 Liドープグラフェン/SiCの高分解能ARPES(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pHL-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:III(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 20pGQ-1 Bi薄膜の超高分解能スピン分解ARPES(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHL-1 単層及び多層グラフェンの高分解能ARPES(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 23aWH-5 オーバードープBa_K_Fe_2As_2の高分解能ARPES(23aWH 鉄砒素系超伝導(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aRC-11 高分解能ARPESによるNa_xCoO_2の3次元電子構造のドープ量依存性(24aRC 光電子分光(超伝導・磁性・強相関),領域5(光物性))
• 23aWH-2 CaFe_2P_2の高分解能ARPES(23aWH 鉄砒素系超伝導(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aWJ-11 CeSbの微細電子構造 : キセノンプラズマ発光ARPES(26aWJ f電子系一般・アクチナイド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aWX-3 Bi(111)表面のスピン分解微細電子構造(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRG-2 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:IV(23pRG 光電子分光・放射光真空紫外分光・MCD・X線発光,領域5(光物性))
• 23aWH-11 111系鉄ニクタイド超伝導体NaFeAsの高分解能ARPES(23aWH 鉄砒素系超伝導(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pRA-12 水素終端したSiC上の2層グラフェンの高分解能ARPES(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRA-11 Liドープした二層グラフェンの高分解能ARPES(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aWH-1 Ba122系における電子-ホール非対称性 : 光電子分光(23aWH 鉄砒素系超伝導(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pRE-9 Bi_Sb_x(x=0.023)の高分解能ARPES(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
• 25aEE-11 LaFe_2P_2の高分解能ARPES(25aEE 鉄砒素系(122系1),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28pTA-5 Kドープした2層グラフェン/H-SiCの高分解能ARPES(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aHG-5 新トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の高分解能ARPES(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aHB-8 タリウム系トポロジカル絶縁体の高分解能ARPES(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
• 26aTH-8 Bi(111)表面における特異なRashba効果 : 高分解能スピン分解ARPES(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aED-5 Na_xCoO_2における水和効果と超伝導 : 角度分解光電子分光(25aED Co酸化物・熱電材料,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pEJ-6 AFeAs(A=Li,Na)の高分解能ARPES(26pEJ 鉄砒素系(企画講演・111系・その他),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aTB-5 SiC上に作成したC_6LiC_6の微細電子構造 : 超高分解能ARPES(25aTB 層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pGW-9 Fe(Te,Se)の高分解能ARPES : Se濃度依存性(27pGW 鉄砒素系(11系),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTR-4 タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移 : 高分解能ARPES(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pGB-13 Na_xCoO_2のフェルミ面における水和効果と超伝導 : 角度分解光電子分光(23pGB コバルト酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23aHA-8 高分解能スピン分解ARPESによるBi薄膜における異方的Rashba分裂の観測(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTN-7 Cu_xBi_2Se_3超伝導体の高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 23pGM-2 Fe(Te,Se)超伝導体における準粒子ピーク : 高分解能ARPES(23pGM 鉄砒素系(11系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aTE-11 2層グラフェン/H-SiCのKドープ量依存性 : 高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-10 Caドープしたグラフェンの超高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTN-9 Kドープした2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(21aTN 光電子分光(強相関系,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 21pGL-9 高分解能ARPESによる鉄系超伝導体LiFeAsの電子状態(21pGL 鉄砒素系(111,1111系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• トポロジカル量子相転移近傍におけるディラック電子の質量獲得(最近の研究から)
• 角度分解光電子分光で見た鉄系超伝導体におけるディラック電子と擬ギャップ
• 19aEC-4 水素終端化したSiC上の単層・多層グラフェンの高分解能ARPES(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aFJ-10 水素終端化したSiC上多層グラフェンの高分解能ARPES(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 20aFJ-13 トポロジカル絶縁体の表面ドーピング制御(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 20aFJ-9 High-resolution ARPES study of C8AC8(A=K,Rb)
• 20aFJ-12 Tl系トポロジカル絶縁体の量子相転移近傍におけるスピン依存電子構造(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 29aXP-2 アルカリドープ2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXG-5 トポロジカル絶縁体のバルクヘテロ構造制御によるディラックコーンの操作(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-4 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの高分解能ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-3 Pb系トポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果 : スピン分解ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXP-1 2層グラフェン層間化合物C_6AC_6(A=Li,Ca)の電子構造解析(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aEJ-8 単層グラフェンにおけるバンドギャップ制御 : 高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 29aXP-4 酸素吸着グラフェンの高分解能ARPES(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 25pDK-9 トポロジカル超伝導体候補物質Sn_In_xTeの電子構造 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aJA-8 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pJA-6 積層制御グラフェン層間化合物の光電子分光(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pDB-6 単層グラフェンの酸素吸着量依存性 : 高分解能ARPES(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 25pDK-8 トポロジカルクリスタル絶緑体(Pb, Sn)Teの電子状態 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aDK-2 酸素吸着グラフェンのバンドギャップ制御 : 高分解能ARPES(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))

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