正満 拓也 | 東北大院理

スポンサーリンク

概要

• 安藤 陽一の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 東北大院理の論文著者

関連著者

• 瀬川 耕司

  阪大産研

• 安藤 陽一

  阪大産研

• 相馬 清吾

  東北大WPI

• 佐藤 宇史

  東北大院理

• 高橋 隆

  東北大院理

• 田中 祐輔

  東北大院理

• 正満 拓也

  東北大院理

• 江藤 数馬

  阪大産研

• 菅原 克明

  東北大WPI

• 高橋 隆

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科

• 瀬川 耕司

  (財)電力中央研究所

• Takahashi T

  Gakushuin Univ. Tokyo

• Tamano T

  Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn

• Takahashi T

  Kogakuin Univ. Tokyo Jpn

• Tanaka Toshiaki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 江藤 数馬

  大阪大産研

• 安藤 陽一

  CRIEPI

• 中山 耕輔

  東北大院理

• 菅原 克明

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 佐藤 宇史

  東北大院理:TRiP-JST

• 高山 あかり

  東北大WPI-AIMR

• Novak M.

  阪大産研

もっと見る 閉じる

著作論文

• 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aBF-9 Bi蒸着TlBiSe_2の電子状態 : 高分解能ARPES(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aBF-10 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの電子構造の面方位依存性(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク