田中 祐輔 | 東北大院理

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概要

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関連著者

• 佐藤 宇史

  東北大院理

• 高橋 隆

  東北大院理

• 田中 祐輔

  東北大院理

• 相馬 清吾

  東北大WPI

• 中山 耕輔

  東北大院理

• 高橋 隆

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科

• Takahashi T

  Kogakuin Univ. Tokyo Jpn

• Tanaka Toshiaki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 瀬川 耕司

  阪大産研

• 安藤 陽一

  阪大産研

• Tamano T

  Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn

• Ding H.

  中国科学院

• 瀬川 耕司

  (財)電力中央研究所

• Takahashi T

  Gakushuin Univ. Tokyo

• 佐藤 宇史

  東北大院理:TRiP-JST

• 安藤 陽一

  CRIEPI

• 菅原 克明

  東北大WPI

• Richard P.

  中国科学院

• 江藤 数馬

  阪大産研

• Qian T.

  中国科学院

• Gu G.

  ブルックヘブン国立研究所

• Miao H.

  中国科学院

• 正満 拓也

  東北大院理

• Gu G.

  ブルックヘブン国立研

• 梅澤 浩太郎

  東北大院理

• Wen H.

  中国科学院

• Takahashi T

  Hoshi Univ. Tokyo Jpn

• 江藤 数馬

  大阪大産研

• 中山 耕輔

  東北大院理:jst-crest

• 鈴木 悠介

  筑波大数理物質

• 門脇 和男

  筑波大数理

• Richard P.

  東北大WPI

• 松井 浩明

  東北大院理

• 菅原 克明

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 銭 天

  中国科学院

• Tokuzawa Tokihiko

  National Institute For Fusion Science

• 平野 正治

  Erato-jst:東工大フロンティア創造研究セ

• Ren Z.

  阪大産研

• 佐藤 宇史

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• Das P.

  筑波大数理物質

• Xu N.

  中国科学院

• Zhang P.

  中国科学院

• 家城 英

  東北大院理

• 本間 康平

  東北大院理

• 門脇 和男

  筑波大数理物質

• Ren Zhi

  阪大産研

• 佐々木 聡

  阪大産研

• 川原 卓磨

  東北大院理

• 相馬 浩吾

  東北大WPI

• 鈴木 真介

  横浜国大院環境情報

• 門脇 和男

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• Takahashi T

  Department Of Physics Gakushuin University

• Wen H.-H.

  中国科学院

• 相馬 清吾

  東北大wpi-aimr

• Das Pradip

  筑波大数理物質

• 相馬 清吾

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (wpi-aimr)

• 相馬 清悟

  東北大WPI

• Wen H.

  中国科学院:南京大

• 門脇 和男

  筑波大数理物質,CREST-JSP,WPI-MANA

• 宮田 康成

  東北大院理

• Taskin A.A.

  阪大産研

• 高山 あかり

  東北大WPI-AIMR

• Novak M.

  阪大産研

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著作論文

• 27pGW-9 Fe(Te,Se)の高分解能ARPES : Se濃度依存性(27pGW 鉄砒素系(11系),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aTN-7 Cu_xBi_2Se_3超伝導体の高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 23pGM-2 Fe(Te,Se)超伝導体における準粒子ピーク : 高分解能ARPES(23pGM 鉄砒素系(11系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pBD-4 Cu_xBi_2Se_3の高分解能ARPES : Cu濃度依存性(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aEA-4 Cu_xBi_2Se_3における多体相互作用 : 高分解能ARPES(21aEA トポロジカル超伝導・マヨラナ粒子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aGA-10 FeTe_Se_xの電子状態の組成依存性 : 高分解能ARPES(20aGA 鉄砒素系3(光電子分光),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28pXG-5 トポロジカル絶縁体のバルクヘテロ構造制御によるディラックコーンの操作(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-4 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの高分解能ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 29aEJ-9 W(110)表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 26aXG-11 FeTe_Se_x超伝導体の高分解能ARPES(26aXG 鉄砒素系1(輸送特性・光電子分光・理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pDK-9 トポロジカル超伝導体候補物質Sn_In_xTeの電子構造 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pDB-7 Fe/W(110)の高分解能ARPES(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
• 25pDK-8 トポロジカルクリスタル絶緑体(Pb, Sn)Teの電子状態 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aBF-9 Bi蒸着TlBiSe_2の電子状態 : 高分解能ARPES(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aBF-10 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの電子構造の面方位依存性(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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