29aEJ-9 W(110)表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2013-03-26
著者
-
菅原 克明
東北大WPI
-
相馬 清吾
東北大WPI
-
佐藤 宇史
東北大院理
-
高橋 隆
東北大院理
-
菅原 克明
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
-
田中 祐輔
東北大院理
-
佐藤 宇史
東北大院理:TRiP-JST
-
本間 康平
東北大院理
関連論文
- C_6Caの層間電子超伝導(最近の研究から)
- 22pGV-6 SiC上グラフェンの光電子分光(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGP-3 Liドープグラフェン/SiCの高分解能ARPES(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pHL-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:III(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 21pGA-5 高分解能光電子分光で見る強相関微細電子構造(21pGA 領域8,領域5,領域3合同シンポジウム:光電子分光によるフェルミオロジー研究の最先端,領域5(光物性))
- 20pGQ-1 Bi薄膜の超高分解能スピン分解ARPES(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pGF-7 CeRu_2Al_のキセノンプラズマ励起光電子分光(23pGF Ce系籠状物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pGA-5 高分解能光電子分光で見る強相関微細電子構造(21pGA 領域8,領域5,領域3合同シンポジウム:光電子分光によるフェルミオロジー研究の最先端,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20pGH-1 LaFeAsOのキセノンプラズマ励起ARPES(20pGH FeAs系超伝導(分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pHL-1 単層及び多層グラフェンの高分解能ARPES(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 30aTL-2 光電子分光による高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの金属-絶縁体転移前後の電子状態の観測(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQF-10 キセノンプラズマ発光によるYb_4As_3の高分解能光電子分光(20aQF Yb化合物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aWR-4 キセノンプラズマ発光によるSmNiC_2の高分解能光電子分光(23aWR f電子系一般,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aYG-4 ミニモットスピン検出器の開発とV族半金属表面のRashba効果の観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-6 グラフェンの高品質化と高分解能ARPES(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pXA-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:II(新分光法,MCD/MLD,領域5,光物性)
- 25pRL-2 Ba_K_xFe_2As_2の超伝導ギャップのドープ量依存性 : 高分解能ARPES(鉄系超伝導体2(光電子分光),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 30aVA-2 鉄系高温超伝導体Ba_K_xFe_2As_2の超伝導ギャップの直接観測 : 高分解能ARPES(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
- 30pTC-9 最適ドープBa_K_Fe_2As_2における多体相互作用 : 高分解能ARPES(30pTC 鉄砒素超伝導体6(光電子分光,STM),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30pTC-8 高分解能ARPESによるホールドープBa_K_xFe_2As_2のフェルミ準位微細電子構造(30pTC 鉄砒素超伝導体6(光電子分光,STM),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aTK-2 1H-,5H,及び6H-CaAISiの高分解能角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 28aYH-6 単層および多層グラフェンの作成と高分解能ARPES(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYH-6 CaC_6の超伝導ギャップと電子-格子相互作用 : 高分解能ARPES(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pYH-3 1000Kにおけるキッシュグラファイトの角度分解光電子分光(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aRA-3 グラフェンの高分解能角度分解光電子分光(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24pWQ-6 キセノンプラズマ発光ARPESによる不純物置換Bi_2Sr_2CaCu_2O_8の超伝導ギャップ(24pWQ 高温超伝導(不純物置換,同位体効果),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTQ-7 キセノンプラズマ発光によるBi系高温超伝導体のバルク敏感超高分解能光電子分光(光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5,光物性)
- 30aVA-10 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
- 21pTA-5 光電子分光を用いたグラフェンと関連物質の電子状態の観測と展望(21pTA 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン研究の焦点-新しい挑戦-,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aWF-2 CaC_6の超高分解能ARPES(21aWF フラーレン・超伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aYD-2 In-"1x1"/Si(111)の電子状態の温度依存性 : 高分解能ARPES(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
- 20aYD-1 Pb/Si(111)の高分解能ARPES(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
- 20aYA-14 La(O_F_x)FeAsの高分解能光電子分光(20aYA 鉄オキシニクタイド1(合成,圧力効果,光電子分光など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aWJ-11 CeSbの微細電子構造 : キセノンプラズマ発光ARPES(26aWJ f電子系一般・アクチナイド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aWX-3 Bi(111)表面のスピン分解微細電子構造(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pRG-2 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:IV(23pRG 光電子分光・放射光真空紫外分光・MCD・X線発光,領域5(光物性))
- 23pRA-12 水素終端したSiC上の2層グラフェンの高分解能ARPES(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRA-11 Liドープした二層グラフェンの高分解能ARPES(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pQE-10 キセノンプラズマ発光ARPESによるPb置換Bi2201の擬ギャップ(20pQE 高温超伝導(置換効果・不純物効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aRH-4 キセノンプラズマ発光ARPESによるBi2201の超伝導ギャップと擬ギャップ(26aRH 高温超伝導(擬ギャップと超伝導ギャップ),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aVA-7 キセノンプラズマ発光ARPESによるCeSbのバンド構造の温度変化(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
- 21aYG-8 キセノンプラズマ発光によるCeSbの高分解能ARPES(21aYG 放射光・分光・回折・光電子分光,領域5(光物性))
- 24pRE-9 Bi_Sb_x(x=0.023)の高分解能ARPES(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 角度分解光電子分光による鉄系超伝導体(Ba,K)Fe2As2の多重超伝導ギャップ
- 24pYH-5 高分解能ARPESによるPb超薄膜のバンド構造(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pTD-4 In-"1x1"/Si(111)のフェルミ面の温度変化(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTK-3 In-"1x1"/Si(111)の高分解能ARPES(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 22aTQ-8 キセノンプラズマ発光による低温超伝導体のバルク敏感超高分解能光電子分光(光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5,光物性)
- 24aXK-6 Pb超薄膜の高分解能角度分解光電子分光(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRH-12 キセノンプラズマ発光によるセメント超伝導体[Ca_Al_O_]^4+(e^-)^4の高分解能光電子分光(25pRH 領域8,領域10合同招待講演,パイロクロア・ダイヤモンド超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pTA-5 Kドープした2層グラフェン/H-SiCの高分解能ARPES(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aHG-5 新トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の高分解能ARPES(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aHB-8 タリウム系トポロジカル絶縁体の高分解能ARPES(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
- 26aTH-8 Bi(111)表面における特異なRashba効果 : 高分解能スピン分解ARPES(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aTB-5 SiC上に作成したC_6LiC_6の微細電子構造 : 超高分解能ARPES(25aTB 層間化合物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-4 タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移 : 高分解能ARPES(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHA-8 高分解能スピン分解ARPESによるBi薄膜における異方的Rashba分裂の観測(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-7 Cu_xBi_2Se_3超伝導体の高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 22aTE-11 2層グラフェン/H-SiCのKドープ量依存性 : 高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-10 Caドープしたグラフェンの超高分解能ARPES(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTN-9 Kドープした2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(21aTN 光電子分光(強相関系,表面・薄膜),領域5(光物性))
- 高分解能光電子分光によるセメント超伝導体の電子状態
- 高分解能スピン分解光電子分光装置の開発と表面ラシュバ効果の研究
- 26pAD-3 高分解能ARPESによるPb系トポロジカル絶縁体の電子状態(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
- 26pAD-2 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのディラック電子状態の組成依存性(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
- 26pSB-7 水素終端化したSiC上のグラフェンの電子状態の積層数依存性 : 高分解能ARPES(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pAC-7 水素終端化したSiC上のグラフェンの高分解能ARPES(25pAC 光電子分光,領域5(光物性))
- 26pBD-4 Cu_xBi_2Se_3の高分解能ARPES : Cu濃度依存性(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pBJ-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yの角度分解光電子分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pYA-12 高分解能ARPESによるLaCo_2B_2超伝導体の電子状態(27pYA 鉄砒素系5(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aBJ-5 トポロジカル絶縁体Pb(Bl_Sb_x)_2Te_4の高分解能ARPES(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pCK-3 Bi/Si(111)薄膜における表面電子スピン偏極度の膜厚依存性(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aEC-4 水素終端化したSiC上の単層・多層グラフェンの高分解能ARPES(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aEA-4 Cu_xBi_2Se_3における多体相互作用 : 高分解能ARPES(21aEA トポロジカル超伝導・マヨラナ粒子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aFJ-10 水素終端化したSiC上多層グラフェンの高分解能ARPES(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 20aFJ-13 トポロジカル絶縁体の表面ドーピング制御(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 20aFJ-9 High-resolution ARPES study of C8AC8(A=K,Rb)
- 20aEA-9 TlBi(S,Se)_2のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEA-8 Pb系トポロジカル絶縁体のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pFE-6 Sb薄膜のスピン分解ARPES(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aFJ-12 Tl系トポロジカル絶縁体の量子相転移近傍におけるスピン依存電子構造(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 29aXP-2 アルカリドープ2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pXG-5 トポロジカル絶縁体のバルクヘテロ構造制御によるディラックコーンの操作(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-4 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの高分解能ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXP-1 2層グラフェン層間化合物C_6AC_6(A=Li,Ca)の電子構造解析(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pXT-6 原子層膜物質の準粒子状態(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29aEJ-8 単層グラフェンにおけるバンドギャップ制御 : 高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 29aXP-4 酸素吸着グラフェンの高分解能ARPES(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 29aEJ-9 W(110)表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pJA-6 積層制御グラフェン層間化合物の光電子分光(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pDB-7 Fe/W(110)の高分解能ARPES(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
- 28pDB-6 単層グラフェンの酸素吸着量依存性 : 高分解能ARPES(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
- 28aDK-2 酸素吸着グラフェンのバンドギャップ制御 : 高分解能ARPES(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 28aBF-9 Bi蒸着TlBiSe_2の電子状態 : 高分解能ARPES(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))