23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 瀬川 耕司

  阪大産研

• 安藤 陽一

  阪大産研

• 高山 あかり

  東北大院理

• 相馬 清吾

  東北大WPI

• 佐藤 宇史

  東北大院理

• 相馬 浩吾

  東北大WPI

• 高橋 隆

  東北大WPI

• 高橋 隆

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科

• 安藤 陽一

  大阪大学産業科学研究所

• Tamano T

  Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn

• 高坂 研一郎

  東北大院理

• Takahashi T

  Kogakuin Univ. Tokyo Jpn

• Takahashi T

  Hoshi Univ. Tokyo Jpn

• Tokuzawa Tokihiko

  National Institute For Fusion Science

• Tanaka Toshiaki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba

• 安藤 陽一

  大阪大産研

• 小松 誠

  東北大院理

• 瀬川 耕司

  大阪大産研

• 瀬川 耕司

  大阪大学産業科学研究所

• Kriener M.

  大阪大産研

• Kriener M.

  阪大産研

• 佐藤 宇史

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 相馬 清吾

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (wpi-aimr)

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• 23aTR-9 Cu_xBi_2Se_3の超伝導状態における熱力学的特性(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTR-8 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導物質の輸送特性(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTC-10 バルク絶縁性の高いトポロジカル絶縁体における表面輸送現象(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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• 25pCK-5 Co吸着Bi_Sb_x (111)表面の走査トンネル分光(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pAD-3 高分解能ARPESによるPb系トポロジカル絶縁体の電子状態(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
• 26pAD-2 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのディラック電子状態の組成依存性(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
• 26pBD-5 トポロジカル超伝導体Cu_xBi_2Se_3の低温電子状態(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pBJ-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yの角度分解光電子分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aEA-1 偏光を用いたレーザー励起型角度分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3の研究(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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• 19aEA-6 トポロジカル絶縁体バルク単結晶におけるイオン液体を用いた表面ドーピング効果(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFJ-13 トポロジカル絶縁体の表面ドーピング制御(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 20aEA-9 TlBi(S,Se)_2のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pPSA-15 コバルト膜を蒸着したトポロジカル絶縁体バルク単結晶の輸送特性(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aEA-8 Pb系トポロジカル絶縁体のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFJ-12 Tl系トポロジカル絶縁体の量子相転移近傍におけるスピン依存電子構造(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
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