23pGA-6 両極ドープ123系における反強磁性秩序の電子-ホール非対称性(23pGA 銅酸化物2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-03-01

著者

• 瀬川 耕司

  阪大産研

• 安藤 陽一

  阪大産研

• 山田 和芳

  東北大WPI

• 平賀 晴弘

  東北大金研

• 古府 麻衣子

  Virginia大

• Lee S.

  Virginia大

• 塚田 一郎

  電中研

• 藤田 全基

  東北大金研

• Chang S.

  NIST

• 古府 麻衣子

  物性研

• 塚田 一郎

  Trip Jst:電中研

• Fujita M

  Japan Coast Guard Acad. Kure

• Lee S-h.

  Virginia大

• 藤田 元基

  東北大金研

• Fujita M

  Institute For Materials Research Tohoku University

• Fujita Masaki

  Institute For Material Research Tohoku University

• 塚田 一郎

  財団法人 電力中央研究所

関連論文

• 23pGA-6 両極ドープ123系における反強磁性秩序の電子-ホール非対称性(23pGA 銅酸化物2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pHT-8 偏極^3He中性子スピンフィルターの^3Heガス偏極度の評価手段の開発(23pHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pHT-7 偏極^3He中性子スピンフィルターのガラスセルの開発(23pHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pHT-6 中性子散乱用Geモノクロメータ結晶の高度化III(23pHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pHT-3 チョッパー型中性子分光器「四季」の現状(23pHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aHV-11 強磁性体を用いたトポロジカル絶縁体上のスピン偏極電流観測の試み(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aHV-9 スピンホール絶縁体候補物質PbSにおける表面電流存在の可能性(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pGH-12 μSRから眺めた鉄ヒ素系超伝導体(Ba,K)Fe_2As_2及びBa(Fe,Co)_2As_2の磁性と超伝導(20pGH FeAs系超伝導(分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20pPSB-24 Ba_A_x(Fe_T_y)_2As_2の単結晶育成(20pPSB 領域8ポスターセッション(低温III(鉄系超伝導体)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aPS-30 ^3He Filter法による偏極中性子の物性研究への応用 : スピンコントロールデバイスの開発(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aQF-9 BaをLa置換したY123系における反強磁性転移温度の電子 : ホール非対称性(22aQF 高温超伝導(輸送特性・電子ドープ系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pXG-1 スピンホール絶縁体候補物質PbSにおける異常な量子振動(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pPSA-34 Bi_Sb_x単結晶表面を流れるスピン偏極電流観測の試み(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 26pRK-2 アンダードープ領域La_Sr_xCuO_4のアンチノード付近における超伝導ギャップ(高温超伝導(光電子分光,トンネル分光,光学応答など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 28aVL-1 La_Sr_xCuO_4のアンチノード付近における擬ギャップと超伝導ギャップ(28aVL 高温超伝導2(光電子分光・トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pQF-7 La_Sr_CuO_4のレーザー励起角度分解光電子分光(22pQF 高温超伝導(ARPES・同位体効果・梯子系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aQF-8 Y系高温超伝導体の電子ドープ,ホールドープ間の化学ポテンシャルのとび(22aQF 高温超伝導(輸送特性・電子ドープ系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21pWG-4 高温超伝導体における準粒子強度の温度依存性(高温超伝導(ARPES(I)),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pWG-8 La_Sr_xCuO_4における擬ギャップ・超伝導ギャップの温度依存性(高温超伝導(ARPES(I)),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 19pYG-11 高温超伝導銅酸化物におけるモット転移近傍でのホール有効質量のドーピング不変性(領域8,領域5合同,高温超伝導(光電子分光,工学応答),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pPSA-21 電気化学酸化したLa_2CuO_単結晶の輸送特性評価(27pPSA 領域8ポスターセッション(低温I(Cu,Mn,Co,Ru,V酸化物)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 5a-B1-8 スズのジョセフソンネットワークにおける臨界面抵抗
• 24pXA-7 Bi_2Se_3およびPbSにおける異常ホール効果とバルクスピンホール伝導度(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXA-8 トポロジカル絶縁体候補物質タリウム系三元力ルコゲナイド単結晶の輸送特性(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 30aVL-3 強磁場ホール係数からみた常伝導状態の量子相転移(30aVL 高温超伝導3(輸送現象・光学応答など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aXD-9 超伝導を示さない希薄ドープ非双晶YBCO単結晶の極低温における熱伝導率と電気抵抗率(高温超伝導(多層型,揺らぎ),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aPS-111 酸素欠損SmFeAsO_を常圧下で作製する方法の検討(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 27pPSB-61 キャリアコントロールしたPbSにおける磁気輸送物性(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aPS-10 LaFeAsO系超伝導体の単結晶成長における条件の最適化(28aPS 領域8ポスターセッション(低温II(鉄砒素超伝導体,その他)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pTC-12 二元系FeAs単結晶の低温物性(27pTC 鉄砒素超伝導体2(物質探索,輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pYB-5 不足ドープYBCO系に現れる電子的バンドの起源(25pYB 高温超伝導(輸送現象),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19pWP-3 BaをLa置換したY123系における電子的キャリアドープ(19pWP 高温超伝導(輸送現象,置換効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aZR-2 YBCO母物質Mott絶縁体単結晶における輸送特性(24aZR 高温超伝導(輸送現象・光学応答2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pUF-8 反強磁性母物質近傍におけるYBCO単結晶の輸送特性(29pUF 高温超伝導(輸送現象,光学応答),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19pYG-13 非双晶YBCO単結晶における光学伝導度測定と擬ギャップ(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28aHG-8 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導体Cu_xBi_2Se_3の輸送特性(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aHG-7 トポロジカル絶縁体候補物質Pb系三元カルコゲナイドの単結晶作製と輸送特性(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aHG-10 バルク絶縁性の高い新トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seの表面量子振動(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aHG-5 新トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の高分解能ARPES(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aHB-8 タリウム系トポロジカル絶縁体の高分解能ARPES(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
• 28aHG-9 Cu_xBi_2Se_3の超伝導(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aTH-3 Bi_Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pEH-5 両極ドープ系Y_La_z(Ba_La_x)_2Cu_3O_yの角度分解光電子分光(25pEH 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
• 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTR-4 タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移 : 高分解能ARPES(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTC-9 Bi_Sb_x(111)表面における準粒子干渉の走査トンネル分光測定(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTR-12 Cu_xBi_2Se_3のトンネル分光実験(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTR-2 トポロジカル超伝導体Cu_xBi_2Se_3における常伝導状態 : Cu, Bi, Se-NMR(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pPSA-14 高バルク抵抗トポロジカル絶縁体におけるスピン偏極輸送特性観測の試み(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pPSA-13 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導物質Cu_xBi_2Se_3の電気化学的インターカレーションによる合成(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTR-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_Te_Se_における時間分解反射率測定(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTR-9 Cu_xBi_2Se_3の超伝導状態における熱力学的特性(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTR-8 トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導物質の輸送特性(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTC-10 バルク絶縁性の高いトポロジカル絶縁体における表面輸送現象(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pPSA-16 スピン偏極表面状態が予測されているNaCoO_2の材料研究(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• トポロジカル量子相転移近傍におけるディラック電子の質量獲得(最近の研究から)
• 25pCK-5 Co吸着Bi_Sb_x (111)表面の走査トンネル分光(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pAD-3 高分解能ARPESによるPb系トポロジカル絶縁体の電子状態(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
• 26pAD-2 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのディラック電子状態の組成依存性(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
• 26pBD-5 トポロジカル超伝導体Cu_xBi_2Se_3の低温電子状態(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pBJ-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yの角度分解光電子分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aEA-1 偏光を用いたレーザー励起型角度分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3の研究(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aEA-9 トポロジカル絶縁体における非平衡キャリアの緩和ダイナミクス(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aEA-6 トポロジカル絶縁体バルク単結晶におけるイオン液体を用いた表面ドーピング効果(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFJ-13 トポロジカル絶縁体の表面ドーピング制御(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 20aEA-9 TlBi(S,Se)_2のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pPSA-15 コバルト膜を蒸着したトポロジカル絶縁体バルク単結晶の輸送特性(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aEA-8 Pb系トポロジカル絶縁体のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFJ-12 Tl系トポロジカル絶縁体の量子相転移近傍におけるスピン依存電子構造(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 20pPSA-17 新奇な超伝導体候補物質TlドープPbTeの単結晶作製(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aEA-7 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのSTM/STS測定(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pEA-7 トポロジカル絶縁体・超伝導体の実験 : 現状と将来展望(18pEA 領域4,領域6,領域8,領域9合同シンポジウム,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-5 トポロジカル絶縁体のバルクヘテロ構造制御によるディラックコーンの操作(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-4 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの高分解能ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-3 Pb系トポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果 : スピン分解ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXG-2 レーザー励起型角度分解光電子分光で観察したカリウム蒸着により変化するトポロジカル絶縁体の表面電子状態(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXG-4 ドープされたトポロジカル結晶絶縁体Sn_In_xTeの超伝導特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pEJ-9 トポロジカル絶縁体における非平衡キャリアの緩和ダイナミクスII(28pEJ 超高速現象,領域5(光物性))
• 29aXG-3 トポロジカル超伝導候補物質Cu_xBi_2Se_3の熱力学的特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXG-8 Nb蒸着したトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTeSe_yのSTM/STS測定(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 25aJA-3 STMおよび時間分解光電子分光によるBi_Sb_Te_Se_の電子状態(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pDK-9 トポロジカル超伝導体候補物質Sn_In_xTeの電子構造 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aDK-9 超伝導Tl_5Te_3のポイントコンタクト分光(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aJA-8 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aDD-9 円偏光フェムト秒パルスによるトポロジカル絶縁体からのテラヘルツ電磁波発生(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pPSA-13 Pb系ホモロガス相トポロジカル絶縁体新物質の探索(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pDK-8 トポロジカルクリスタル絶緑体(Pb, Sn)Teの電子状態 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aBF-9 Bi蒸着TlBiSe_2の電子状態 : 高分解能ARPES(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aBF-11 トポロジカル結晶超伝導体Sn_In_xTeのNMR法による研究(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aBF-10 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの電子構造の面方位依存性(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pAQ-1 トポロジカル絶緑体Bi_Sb_Te_Se_の非占有電子ダイナミクス(30pAQ 領域9,領域4合同 トポロジカル表面,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク