26aTH-3 Bi_Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))

元データ 2011-03-03

著者

Taskin Alexey 阪大産研
安藤 陽一 阪大産研
中村 史一 東大院理
武市 泰男 東大物性研
柿崎 明人 東大物性研
中辻 寛 東大物性研
小森 文夫 東大物性研
小森 文夫 東京大学物性研究所
小宇佐 友香 慶応義塾大学理工学部化学科
柿崎 明人 東京大学物性研究所
松田 巌 東大理
安藤 陽一 大阪大学産業科学研究所
近藤 寛 慶応大理工
松田 厳 東大物性研
近藤 寛 慶応大学
小宇佐 友香 慶応理工
近藤 寛 慶応理工
近藤 寛 慶應義塾大学
中村 史一 東大物性研究所
angelo Marie INSP Paris
D'angelo Marie Insp Paris
中村 史一 東大物性研

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