26aTH-3 Bi_<1-x>Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2011-03-03

著者

• Taskin Alexey

  阪大産研

• 安藤 陽一

  阪大産研

• 中村 史一

  東大院理

• 武市 泰男

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 小森 文夫

  東京大学物性研究所

• 小宇佐 友香

  慶応義塾大学理工学部化学科

• 柿崎 明人

  東京大学物性研究所

• 松田 巌

  東大理

• 安藤 陽一

  大阪大学産業科学研究所

• 近藤 寛

  慶応大理工

• 松田 厳

  東大物性研

• 近藤 寛

  慶応大学

• 小宇佐 友香

  慶応理工

• 近藤 寛

  慶応理工

• 近藤 寛

  慶應義塾大学

• 中村 史一

  東大物性研究所

• angelo Marie

  INSP Paris

• D'angelo Marie

  Insp Paris

• 中村 史一

  東大物性研

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