26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_<1-x>)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))

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