26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_<1-x>)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2011-03-03
著者
-
江藤 数馬
阪大産研
-
瀬川 耕司
阪大産研
-
安藤 陽一
阪大産研
-
相馬 清吾
東北大WPI
-
佐藤 宇史
東北大院理
-
高橋 隆
東北大院理
-
相馬 浩吾
東北大WPI
-
高橋 隆
東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科
-
安藤 陽一
大阪大学産業科学研究所
-
Tamano T
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
-
高坂 研一郎
東北大院理
-
Takahashi T
Kogakuin Univ. Tokyo Jpn
-
Takahashi T
Hoshi Univ. Tokyo Jpn
-
Takahashi T
Department Of Physics Gakushuin University
-
Tokuzawa Tokihiko
National Institute For Fusion Science
-
Tanaka Toshiaki
Plasma Research Center University Of Tsukuba
-
江藤 数馬
大阪大産研
-
瀬川 耕司
大阪大学産業科学研究所
-
佐藤 宇史
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
-
相馬 清吾
東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (wpi-aimr)
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