鈴木 悠介 | 筑波大数理物質
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概要
関連著者
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鈴木 悠介
筑波大数理物質
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門脇 和男
筑波大数理
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柏木 隆成
筑波大数理物質
-
茂筑 高士
物材機構
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門脇 和男
筑波大数理物質
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小松 雅
筑波大数理物質
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門脇 和男
筑波大数理物質,CREST-JSP,WPI-MANA
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門脇 和男
筑波大数理物質:CREST-JST:WPI-MANA
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Das Pradip
筑波大数理物質
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相馬 清吾
東北大WPI
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佐藤 宇史
東北大院理
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高橋 隆
東北大院理
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中山 耕輔
東北大院理
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山田 裕
新潟大理
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大村 彩子
新潟大超域
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中山 敦子
新潟大超域
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石川 文洋
新潟大学院自然
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榮永 茉利
新潟大院自然
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石川 文洋
新潟大理
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大村 彩子
新潟大超域研
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榮永 茉利
新潟大学院自然
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石川 文洋
横浜国立大学工学部
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田中 祐輔
東北大院理
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中山 敦子
新潟大学超域
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大村 彩子
新潟大院自然研
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Ding H.
中国科学院
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門脇 和男
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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Das P.
筑波大数理物質
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Xu N.
中国科学院
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Zhang P.
中国科学院
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樋口 雄一郎
新潟大理
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金道 浩一
東大物性研
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中野 智志
物材機構
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梅澤 浩太郎
東北大院理
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相馬 浩吾
東北大WPI
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高橋 隆
東北大学原子分子材料科学高等研究機構:東北大学大学院理学研究科
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近藤 晃弘
東大物性研
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茂筑 高士
NIMS
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中野 智志
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ超高圧グループ
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石川 文洋
新潟大院自然
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茂筑 高士
筑波大学数理物質:物材機構超伝導材料セ
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茂筑 高士
超伝導材料研究センター
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鈴木 真介
横浜国大院環境情報
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石川 文洋
新潟大院自然系
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茂筑 高志
金材技研
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鈴木 悠介
早大理工
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Tamano T
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
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Takahashi T
Kogakuin Univ. Tokyo Jpn
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Takahashi T
Hoshi Univ. Tokyo Jpn
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Tokuzawa Tokihiko
National Institute For Fusion Science
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Tanaka Toshiaki
Plasma Research Center University Of Tsukuba
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柏木 隆成
筑波大工
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吉崎 亮造
筑波大数理
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Richard P.
中国科学院
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中山 耕輔
東北大院理:jst-crest
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田島 香澄
筑波大数理物質
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佐藤 宇史
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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相馬 清吾
東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (wpi-aimr)
-
佐藤 宇史
東北大院理:TRiP-JST
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松澤 理子
新潟大院自然系
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相馬 清悟
東北大WPI
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落合 崇幸
新潟大理
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古崎 亮造
筑波大数理物質
-
吉埼 亮造
筑波大数理物質
-
君塚 郁哉
筑波大数理物質
著作論文
- 22aTN-7 Cu_xBi_2Se_3超伝導体の高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 23aTR-5 銅をドープしたトポロジカル絶縁体Cu_xBi_2Se_3の超伝導特性(23aTR トポロジカル絶縁体(トポロジカル超伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pBD-9 Cu_xBi_2Se_3の超伝導特性と結晶構造(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pBD-4 Cu_xBi_2Se_3の高分解能ARPES : Cu濃度依存性(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aEA-1 ビスマス系トポロジカル絶縁体の物性評価(21aEA トポロジカル超伝導・マヨラナ粒子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-19 Cu_Bi_2(Te_xSe_)_3における超伝導転移の圧力効果(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aEA-4 Cu_xBi_2Se_3における多体相互作用 : 高分解能ARPES(21aEA トポロジカル超伝導・マヨラナ粒子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXG-2 高圧力下におけるBi_2Te_2Seの結晶構造探索(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXG-1 Bi_2Te_2Seの電気抵抗測定と圧力誘起超伝導(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXG-6 Bi系トポロジカル絶縁体の磁場中輸送特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDD-5 強磁場を用いたBi_2Se_3の磁気抵抗とホール効果測定(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDD-13 トポロジカル絶縁体Cu_xBi_2Se_3の超伝導発現に関する研究(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aBF-5 キャリア制御したBi_2Se_3の磁場中輸送特性(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))