門脇 和男 | 筑波大数理物質:CREST-JST:WPI-MANA
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概要
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門脇 和男
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筑波大数理
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新潟大学超域
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新潟大理
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浅沼 健太郎
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筑波大数理物質,CREST-JST,WPI-MANA
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石田 和也
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北村 健郎
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南 英俊
筑波大院数理物質,CREST-JST,WPI-MANA
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南 英俊
筑波大数理物質,CREST-JSP,WPI-MANA
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筑波大数理物質
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物材機構
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荒川 友希
筑波大数理物質
著作論文
- 27pYD-1 固有ジョセフソン接合系Bi2212単結晶メサ構造からの電磁波発振と発振線幅(27pYD 磁束量子系2(トンネル効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aXZE-13 Bi2212メサ型テラヘルツデバイスにおける不均一温度分布の影響(29aXZE 磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aXZE-11 Bi2212メサ型THz発振デバイスにおける温度分布と発振特性の比較(29aXZE 磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aXZE-8 固有ジョセフソン接合系Bi2212単結晶メサ構造の磁場下における電磁波発振特性III(29aXZE 磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aXZE-7 固有ジョセフソン接合を用いた電磁波発振の熱処理効果(29aXZE 磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aXG-2 高圧力下におけるBi_2Te_2Seの結晶構造探索(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXG-1 Bi_2Te_2Seの電気抵抗測定と圧力誘起超伝導(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aEN-2 固有ジョセフソン接合によるコヒーレントTHz波発振現象(26aEN 領域6,領域8,領域11合同シンポジウム:超伝導位相制御:量子化・ダイナミクスの物理と応用展開,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 26aEN-2 固有ジョセフソン接合によるコヒーレントTHz波発振現象(26aEN 領域6,領域8,領域11合同シンポジウム:超伝導位相制御:量子化・ダイナミクスの物理と応用展開,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aXT-1 高温超伝導体Bi2212からの周波数可変テラヘルツ発振(27aXT 領域8,領域6合同招待講演,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 29aXG-6 Bi系トポロジカル絶縁体の磁場中輸送特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXZE-12 高温超伝導テラヘルツ波発振素子の新規構造による高出力化への試み(29aXZE 磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aXZE-9 固有ジョセフソン接合系Bi2212単結晶を用いた発振素子の制御と複数動作の試み(29aXZE 磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aXT-1 高温超伝導体Bi2212からの周波数可変テラヘルツ発振(27aXT 領域8,領域6合同招待講演,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aEA-7 固有ジョセフソン接合系Bi2212単結晶を用いた発振素子の制御と複数動作の試みII(磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aEA-3 高温超伝導体単結晶Bi_2Sr_2CaCu_2O_を用いたTHz波発振素子における高周波化への試み(磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aDD-5 強磁場を用いたBi_2Se_3の磁気抵抗とホール効果測定(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aEA-2 高温超伝導体Bi2212単結晶メサ構造を用いたTHz波発振素子の高出力化に向けた最適構造の開拓(磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aEA-1 固有ジョセフソン接合系Bi2212単結晶メサ構造の磁場下におけるTHz波発振特性IV(磁束系・固有ジョセフソン接合,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aDD-13 トポロジカル絶縁体Cu_xBi_2Se_3の超伝導発現に関する研究(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pEC-3 EuFe_2(As_P_x)_2の単結晶育成および磁気抵抗の角度依存性の測定(鉄砒素系1(合成・中性子),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))