27aDK-7 スピンポンプによるトポロジカル絶縁体へのスピン注入と起電力発生(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2013-08-26
著者
-
瀬川 耕司
(財)電力中央研究所
-
斎藤 英治
東北大金研工大応セラ研
-
安藤 陽一
大阪大産研
-
梶原 瑛祐
東北大金研
-
江藤 数馬
大阪大産研
-
瀬川 耕司
大阪大産研
-
野村 健太郎
東北大金研
-
安藤 陽一
CRIEPI
-
塩見 雄毅
東北大金研・WPI-AIMR
-
斎藤 英治
東北大金研・WPI-AIMR:CREST:原研ASRC
-
野村 健太郎
東北大金研・WPI-AIMR
関連論文
- 21pGE-13 Lu_2V_2O_7におけるマグノンホール効果の観測(21pGE パイロクロア・フラストレーション系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pGD-12 B20型化合物CoSi,CoGeの熱電特性(22pGD Co酸化物・熱電系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aPS-22 強磁性複合構造におけるスピンポンピングと起電力(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aPS-107 強磁性体/常磁性体接合におけるスピンダイナミクスと逆スピンホール効果(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aPS-106 NiFe/不純物添加Pt接合における逆スピンホール効果(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aTF-8 強磁性/常磁性接合におけるスピン流-磁化ダイナミクス相互作用(27aTF スピンホール・磁気渦・ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pWL-3 強磁性NiFe/非磁性金属接合におけるスピン流 : 磁気ダイナミクス相互作用(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pWB-6 NiFe/Pt接合におけるスピン流-磁気ダイナミクス相互作用(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aWF-1 三角格子反強磁性体CuFeO_2における強誘電相(20aWF 遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aTJ-4 内因性異常ホール効果の非散逸-散逸クロスオーバー(フラストレーション系他,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 28pTH-10 不純物ドープしたFeにおけるスキュー散乱誘起巨大異常ネルンスト効果(28pTH 遍歴電子系・f電子系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pQF-8 Feにおけるスキュー散乱誘起異常ホール流(23pQF Ti酸化物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 強磁性Ni_Fe_/非磁性Au二層膜における磁化ダイナミクススピン注入のマイクロ波強度依存性
- 23pWH-6 Mn系オキシニクタイドSmMnAsOへのキャリアドーピングと絶縁体-金属転移(23pWH 鉄砒素系超伝導(伝道・磁化・熱),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pXP-11 Pb/YIG二層膜における異方的磁束侵入(26pXP 磁束量子系2(理論・電子状態・ダイナミクスなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 遷移金属酸化物単結晶の非双晶化技術 : YBa_2Cu_3O_yを例として(実験技術)
- 25pWQ-8 熱伝導から見た異常ホール流の非散逸性(25pWQ Co酸化物・異常ホール効果他,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aWF-1 強磁性体金属における異常熱ホール効果(強磁性金属,金属絶縁体転移,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- モット絶縁体へのスピン注入
- 磁性絶縁体を用いたスピン流の伝送
- 26aHG-5 新トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の高分解能ARPES(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pEC-14 強磁性絶縁体におけるマグノンホール効果の格子依存性(27pEC 幾何学的フラストレーション,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aTH-1 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_)_2の電子状態(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aHB-8 タリウム系トポロジカル絶縁体の高分解能ARPES(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
- 27pED-9 遍歴らせん磁性体MnPにおける非従来型異常ホール効果(27pED マンガン系物質(マンガン酸化物(構造),遷移金属ニクタイド),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pHF-11 YIG/Pt系におけるスピン流パラメトリック励起の観測(25pHF スピントロニクス(スピン注入,スピンダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aHA-3 TlBi(Se_xS_)_2の表面ディラックコーン電子状態 : 高分解能ARPES(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-9 タリウム系トポロジカル絶縁体の表面ディラック電子状態 : 高分解能ARPES(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-4 タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移 : 高分解能ARPES(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-14 高バルク抵抗トポロジカル絶縁体におけるスピン偏極輸送特性観測の試み(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pGP-10 スピン波ペルチェ効果(21pGP スピントロニクス(スピン流・スピン注入・スピン波),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aGB-12 B20型らせん磁性体MnGeにおける異常ネルンスト効果(24aGB 遷移金属化合物磁性・磁気構造,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pGK-15 らせん磁性体Fe_Sbにおけるスピンカイラリティ起源のホール効果(22pGK 鉄酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pAF-3 熱誘起スピントルクによるスピンポンピング誘起スピン流の制御(26pAF スピントロニクス(スピンポンプ・スピン波・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26pAD-3 高分解能ARPESによるPb系トポロジカル絶縁体の電子状態(26pAD 光電子分光(トポロジカル絶縁体),領域5(光物性))
- 27aCE-6 層状縮退半導体CuAgSeの熱電特性及び巨大磁気抵抗効果(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-5 トポロジカル絶縁体Pb(Bl_Sb_x)_2Te_4の高分解能ARPES(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aFJ-13 トポロジカル絶縁体の表面ドーピング制御(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 20aEA-9 TlBi(S,Se)_2のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-15 コバルト膜を蒸着したトポロジカル絶縁体バルク単結晶の輸送特性(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEA-8 Pb系トポロジカル絶縁体のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aFB-8 N=1ランダウ準位におけるパラフェルミオン状態について(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aFJ-12 Tl系トポロジカル絶縁体の量子相転移近傍におけるスピン依存電子構造(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 18pEA-2 トポロジカル絶縁体・超伝導体:概論 : トポロジカル絶縁体・超伝導体研究の最近の進展と今後の展望(18pEA 領域4,領域6,領域8,領域9合同シンポジウム,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aEA-7 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのSTM/STS測定(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-5 トポロジカル絶縁体のバルクヘテロ構造制御によるディラックコーンの操作(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-4 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの高分解能ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-3 Pb系トポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果 : スピン分解ARPES(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-2 レーザー励起型角度分解光電子分光で観察したカリウム蒸着により変化するトポロジカル絶縁体の表面電子状態(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXG-4 ドープされたトポロジカル結晶絶縁体Sn_In_xTeの超伝導特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pEJ-9 トポロジカル絶縁体における非平衡キャリアの緩和ダイナミクスII(28pEJ 超高速現象,領域5(光物性))
- 29aXG-3 トポロジカル超伝導候補物質Cu_xBi_2Se_3の熱力学的特性(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXG-8 Nb蒸着したトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTeSe_yのSTM/STS測定(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aEJ-7 金属吸着したトポロジカル絶縁体表面の高分解能ARPES(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 26aXJ-1 3次元トポロジカル絶縁体における電子相関効果(26aXJ トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- A. Altland and B. Simons著, 新井正男, 井上純一, 鈴浦秀勝, 田中秋広, 谷口伸彦訳, 凝縮系物理における場の理論(上)第2版, 吉岡書店, 京都, 2012, x+539p, 21×15cm, 本体8,000円, [専門・大学院向], ISBN 978-4-8427-0360-2 / A. Altland and B. Simons著, 新井正男, 井上純一, 鈴浦秀勝, 田中秋広, 谷口伸彦訳, 凝縮系物理における場の理論(下)第2版, 吉岡書店, 京都, 2012, 48
- 6pXE-16 希薄ドープYBa2Cu3O7-δの角度分解光電子分光(高温超伝導(光学的性質),領域8)
- 25aJA-3 STMおよび時間分解光電子分光によるBi_Sb_Te_Se_の電子状態(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pDK-9 トポロジカル超伝導体候補物質Sn_In_xTeの電子構造 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDD-14 トポロジカル超伝導体候補物質Cu_xBi_2Se_3における放射光X線構造解析(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aDK-9 超伝導Tl_5Te_3のポイントコンタクト分光(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aJA-8 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-7 金属蒸着TlBiSe_2の電子構造:高分解能ARPES(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aDD-9 円偏光フェムト秒パルスによるトポロジカル絶縁体からのテラヘルツ電磁波発生(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aDK-5 3次元トポロジカル絶縁体における電子相関効果の格子ゲージ理論に基づいた解析(トポロジカル絶縁体(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aDK-7 スピンポンプによるトポロジカル絶縁体へのスピン注入と起電力発生(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pPSA-13 Pb系ホモロガス相トポロジカル絶縁体新物質の探索(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pDK-8 トポロジカルクリスタル絶緑体(Pb, Sn)Teの電子状態 : 高分解能ARPES(トポロジカル絶縁体・超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pAA-9 おわりに : 新物質探索のまとめと今後の展望(主題:トポロジカル絶縁体・超伝導体の新物質・新構造,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))