金 聖憲 | 東大物性研
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概要
関連著者
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金 聖憲
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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武市 泰男
東大物性研
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柿崎 明人
東大物性研
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矢治 光一郎
京大院理:jst Crest
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矢治 光一郎
東大物性研
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原沢 あゆみ
東大物性研
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原沢 あゆみ
東京大学物性研究所
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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常丸 靖史
東大物性研
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江藤 数馬
阪大産研
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瀬川 耕司
阪大産研
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安藤 陽一
阪大産研
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田中 悟
九大院工
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Ren Zhi
阪大産研
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奥田 太一
広大放射光セ
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Ran Fan-Yong
東大物性研
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柿崎 明人
東京大学物性研究所
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松田 巌
東大理
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松田 厳
東大物性研
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常丸 靖史
東京大学物性研究所
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江藤 数馬
大阪大産研
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梶原 隆司
九大院工
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吉澤 俊介
東大物性研
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奥田 太一
広大放射光セ・先端計測
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奥田 太一
広大放射光
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Visikovsliy Anton
九大院工
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中辻 寛
東工大総理工
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大坪 嘉之
Synchrotron SOLEIL
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辛 埴
東大物性研
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生天目 博文
広大放射光セ
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谷口 雅樹
広大院理
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木村 昭夫
広大理
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島田 賢也
広大放射光
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木村 雅仁
阪大基礎工
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島田 賢也
広大放射光セ
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仲武 昌史
広大放射光
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谷口 雅樹
広大理
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木村 昭夫
広大院理
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宮本 幸治
広大放セ
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黒田 健太
広大院理
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叶 茂
広大院理
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石田 行章
東大物性研
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生天目 博文
広大放射光
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植田 義文
呉高専
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黒田 健太
広大大学院理
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植田 義文
呉工業高等専門学校電気情報工学科
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植田 義文
徳山工業高等専門学校情報電子工学科
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Namatame Hirofumi
広大放セ
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瀬川 耕司
(財)電力中央研究所
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Namatame H.
Hsrc Hiroshima Univ.
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望月 出海
原子力機構先端基礎研
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望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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金 聖憲
広大院理
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Namatame Hirofumi
Department Of Materials Science Facalty Of Science Hiroshima University
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Nakatake M.
Hsrc Hiroshima Univ.
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Ueda Y
Kure National Coll. Technol. Kure Jpn
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Ran FanYong
東大物性研
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Le Fevre
Synchrotron SOLEIL
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武市 泰男
高エ研
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Bertran F.
Synchrotron SOLEIL
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Taleb-Ibrahimi A.
Synchrotron SOLEIL
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安藤 陽一
CRIEPI
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宮町 俊生
東大物性研
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宮本 幸治
広大放射光セ
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大坪 嘉之
京大院理
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八田 振一郎
京大院理
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奥山 弘
京大院理
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有賀 哲也
京大院理
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
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有賀 哲也
京大院理:jst-crest
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奥山 弘
京都大学大学院理学研究科
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八田 振一郎
京大院理:jst-crest
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奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
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大坪 嘉之
京大院理:jst-crest
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宮本 幸冶
広大放射光
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山田 洋平
広大院理
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森 亮順
京大院理
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吉村 継生
東大物性研
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谷口 雅樹
広大院理:hisor
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FanYong Ran
東大物性研
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島田 賢也
広島大
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近藤 猛
東大物性研
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矢治 光一郎
JST CREST
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宮本 幸治
HSRC, Hiroshima Univ.
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中辻 寛
東工大院理工
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宮本 幸治
広大放射光
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望月 出海
高エ研
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武市 泰男
高工研
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望月 出海
高工研
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Fevre Patrick
Synchrotron SOLEIL
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Bertran Francois
Synchrotron SOLEIL
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Taleb-Ibrahimi Amina
Synchrotron SOLEIL
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Harasawa A.
東大物性研
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間瀬 一彦
高エネ研物構研
著作論文
- 25aWX-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面・バルク電子散乱(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のフェルミ面と表面電子散乱(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pPSA-12 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-10 Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aEA-7 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yのSTM/STS測定(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXK-9 Pt/Ge(001)表面の一次元金属的な電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aXG-8 Nb蒸着したトポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTeSe_yのSTM/STS測定(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aJA-3 STMおよび時間分解光電子分光によるBi_Sb_Te_Se_の電子状態(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aJA-11 MBE成長したナノリボン・グラフェンのπ電子状態(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pJA-7 一次元原子鎖Pt/Ge(001)のスピン偏極した擬一次元金属電子状態と構造相転移(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-24 角度分解光電子分光によるPt/Ge(001)表面一次元原子鎖の電子状態観測(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))
- 28pPSA-76 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン.ナノリボンの電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))
- 30pAQ-1 トポロジカル絶緑体Bi_Sb_Te_Se_の非占有電子ダイナミクス(30pAQ 領域9,領域4合同 トポロジカル表面,領域9(表面・界面・結晶成長))