原沢 あゆみ | 東京大学物性研究所
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概要
関連著者
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原沢 あゆみ
東京大学物性研究所
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原沢 あゆみ
東大物性研
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柿崎 明人
東大物性研
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松田 巌
東大物性研
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武市 泰男
東大物性研
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奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
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奥田 太一
東大物性研
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柿崎 明人
東京大学物性研究所
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矢治 光一郎
京大院理:jst Crest
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奥田 太一
広大放射光セ
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矢治 光一郎
東大物性研
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松田 巌
東大理
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Ran Fan-Yong
東大物性研
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大野 真也
横国大工
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首藤 健一
横国大工
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小河 愛実
東京大学理学系研究科物理学専攻
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奥田 太一
東京大学物性研究所
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山崎 紀明
横国大工
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中山 史人
横国大工
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大野 真也
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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首藤 健一
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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田中 正俊
横浜国立大学大学院工学府物理情報工学
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市川 雄一
理研
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小森 文夫
東大物性研
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長谷川 幸雄
東大物性研
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江口 豊明
東大物性研
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木下 豊彦
NEDO
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田中 正俊
横国大工
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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何 珂
東大物性研
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佐藤 和成
横浜国立大学工学府
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何 珂
東京大学物性研究所
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西出 聡悟
東大物性研
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脇田 高穂
Jst-crest:岡山大理界面
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脇田 高徳
東北大院理:東大物性研
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平井 正明
岡山大院自然:岡山大理界面
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脇田 高徳
岡大理界面
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小野 雅紀
東大物性研
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平井 正明
岡大理界面
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村岡 祐治
岡大理界面
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横谷 尚睦
岡大理界面
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松田 巌
東京大学物性研究所
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福島 昭子
東京大学物性研究所
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村岡 祐治
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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木下 豊彦
東京大学物性研究所軌道放射物性研究施設筑波分室
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大坪 嘉之
京大院理
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八田 振一郎
京大院理
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奥山 弘
京大院理
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有賀 哲也
京大院理
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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木下 豊彦
東京大学物性研究所
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青木 健志
横浜国立大学工学府
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近藤 寛
慶応大理工
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武市 泰男
東京大学物性研究所
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松田 厳
東大物性研
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小野 雅紀
理化学研究所
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近藤 寛
慶応大学
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飯田 貴則
横浜国立大学工学府
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寅丸 雅光
横浜国立大学工学府
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八田 振一郎
京大院理:jst-crest
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脇田 高徳
Jst-crest:岡山大理界面
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小河 愛実
東大物性研
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横谷 睦尚
岡大院自然
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近藤 寛
慶應義塾大学
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高野 義彦
物材機構
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岡崎 宏之
岡山大院自然
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岡崎 宏之
岡大院自然
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佐伯 邦成
岡大院自然
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長谷川 隆英
東大物性研
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小宇佐 友香
慶応義塾大学理工学部化学科
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山本 達
東京大学物性研究所
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雨宮 健太
物質構造科学研究所
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岡崎 宏之
岡山大院自然:jst-crest
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福島 昭子
東大物性研
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山本 達
東大物性研
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高野 義彦
(独)物質・材料研究機構
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秋山 琴音
東京大学物性研究所
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モーラス パオロ
イタリア国立研究所(CNR)
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トプワル ディネシュ
イタリア国立研究所(CNR)
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カルボーネ カルロ
イタリア国立研究所(CNR)
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市川 雄一
横国大工
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佐藤 和成
横国大工
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山崎 貴彦
横浜国大工
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有賀 哲也
京大院理:jst-crest
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奥山 弘
京都大学大学院理学研究科
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター(jasri)
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大坪 嘉之
京大院理:jst-crest
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木村 昭夫
広大理
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島田 賢也
広大放射光
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木下 豊彦
(財)高輝度光科学研究センター
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中村 史一
東大院理
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木村 雅仁
阪大基礎工
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東口 光晴
広大院理
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島田 賢也
広大放射光セ
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飛田 尚寿
広大院理
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田中 克昇
広大院理
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福田 修悟
広大院理
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高野 耕輔
東大物性研
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蔵 圭司
東大物性研
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山上 浩志
京産大理
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木村 昭夫
広大院理
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中辻 寛
東大物性研
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宮本 幸治
広大放セ
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田中 克昇
広島大放射光セ
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宮本 幸治
広大放射光セ
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小口 多美夫
広大院先端
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田崎 義昭
東京大学大学院 工学系研究科
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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横谷 尚睦
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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近藤 寛
慶応義塾大学理工学部化学科
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田中 正俊
横国大院工
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柴田 祐樹
東大物性研
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新倉 涼太
東大物性研
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田中 義人
理研 SPring-8
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小西 健久
千葉大院融合
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小野 寛太
東京大学大学院工学系研究科
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木原 隆幸
東大工
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柿崎 明人
高エネルギー加速器研究機構・物質構造科学研究所
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中山 健太郎
千葉大学自然科学研究科
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富松 宏太
東大物性研
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小野 寛太
総研大・高エ研
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豊島 弘明
横国大工
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百瀬 辰哉
横国大工
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西岡 広明
横国大工
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宮本 早苗
京大院理
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木下 豊彦
Jasri
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松島 毅
東大物性研
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藤川 高志
千葉大学自然科学研究科
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藤川 高志
千葉大院融合
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藤川 高志
千葉大学融合科学研究科
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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畑田 圭介
千葉大学大学院自然科学研究科
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江口 豊明
東京大学物性研究所
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松島 毅
東京大学物性研究所
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MORAS Paolo
イタリア国立研究所(CNR)
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TOPWAL Dinesh
イタリア国立研究所(CNR)
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CARBONE Carlo
イタリア国立研究所(CNR)
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雨宮 健太
高エネ研物構研
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上床 健
千葉大学自然科学研究科
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田中 壽
千葉大学自然科学研究科
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永松 伸一
千葉大学自然科学研究科
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畑田 圭介
千葉大学自然科学研究科
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小西 健久
千葉大学自然科学研究科
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青木 健志
横国大工
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山崎 紀明
横国大院工
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中山 史人
横国大院工
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大野 真也
横国大院工
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寅丸 雅光
横国大院工
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市川 雄一
横国大院工
-
山崎 貴彦
横国大院工
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飯田 貴則
横国大院工
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佐藤 和成
横国大院工
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青木 健志
横国大院工
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西岡 広明
横国大院工
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首藤 健一
横国大院工
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大野 真也
横浜国大工
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寅丸 雅光
横浜国大工
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飯田 貴則
横浜国大工
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佐藤 和成
横浜国大工
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青木 健志
横浜国大工
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山崎 紀明
横浜国大工
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中山 史人
横浜国大工
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市川 雄一
横浜国大工
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首藤 健一
横浜国大工
-
田中 正俊
横浜国大工
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松田 巌
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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木原 隆幸
東京大学大学院工学系研究科
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寅丸 雅光
横国大工
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小間 大弘
横国大工
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飯田 貴則
横国大工
-
九鬼 隆良
横国大工
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山田 正理
東大物性研
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雨宮 健太
物構研
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獅子堂 達也
広大院先端
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松原 弘佳
京大院理
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雨宮 健太
東大. 理
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Fujikawa Takayuki
Department Of Organic And Polymeric Materials Tokyo Institute Of Technology:(present Address) Displa
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小河 愛実
東大理
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Moras Paolo
Istituto di Struttura della Materia, Consiglio Nazionale delle Ricerche Italy
-
Carbone Carlo
Istituto di Struttura della Materia, Consiglio Nazionale delle Ricerche Italy
-
上野 将司
東大理
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上野 将司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
-
劉 燦華
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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永松 伸一
千葉大工
-
Moras Paolo
Istituto Di Struttura Della Materia Consiglio Nazionale Delle Ricerche Italy
-
Topwal Dinesh
Int'l. Centre For Thcorectical Phys. (ictp) Italy
-
Carbone Carlo
Istituto Di Struttura Della Materia Consiglio Nazionale Delle Ricerche Italy
-
望月 出海
原子力機構先端基礎研
-
望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
-
永松 伸一
分子研
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宮原 寛和
広大院理
-
木原 隆幸
東大院工
-
Susaki Tomofumi
Department Of Physics And Department Of Complexity Science And Engineering University Of Tokyo:(pres
-
横尾 篤
NTT 物性科学基礎研究所
-
長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
-
小宇佐 友香
慶応大理工学部
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中村 史一
東大物性研究所
-
湯川 龍
東大物性研究所
著作論文
- 20pGQ-6 高分解能スピン分解光電子分光によるFe/Pd(001)超薄膜の電子状態と磁性の研究(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pHL-3 Si(111)1x1水素終端面の角度分解共鳴光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 24pYH-12 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光2(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 放射光と Laser の同期によるポンプ-プローブ時間分解光電子分光装置の開発
- 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aQE-7 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 放射光励起走査トンネル顕微鏡の開発
- 30pRD-3 Si(111)1次元表面超構造上Ag薄膜の量子井戸状態・III(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pRD-2 スピン・角度分解光電子分光による(√×√)BiAg/Ag量子薄膜の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pVA-3 高効率スピン分解光電子分光によるFe_3O_4/MgO(001)薄膜の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
- 24pYH-7 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発II(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pTD-5 Si(111)一次元表面超構造上に形成された金属薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pPSA-19 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- Al2p内殻光電子分光におけるプラズモンロス
- 26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-8 2次元光電子バンドマッピングによるRashba系表面状態と量子井戸状態の相互作用の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 表面上の2次元吸着原子ガス相と内殻光電子分光
- 28pPSA-2 高速時間分解放射光光電子分光システムの開発(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 磁気構造観察用放射光光電子顕微鏡(SR-PEEM)の開発
- 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aHC-6 レーザーポンプ-放射光プローブによる軟X線時間分解角度分解光電子分光装置の開発(26aHC 若手奨励賞受賞記念講演/新光源・新分光法,領域5(光物性))
- 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pPSA-12 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aCK-9 Fe_3O_4/MgO(001)超薄膜の成長とその電子状態の研究(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pCK-7 単原子層Pb吸着Ge(111)の電子状態とそのスピン構造(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-3 Si(001)表面上の鉄シリサイドの電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aXK-9 Pt/Ge(001)表面の一次元金属的な電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))