25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-08-18

著者

• 松田 巌

  東大物性研

• 武市 泰男

  東大物性研

• 原沢 あゆみ

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 西出 聡悟

  東大物性研

• Ran Fan-Yong

  東大物性研

• 原沢 あゆみ

  東京大学物性研究所

• 柿崎 明人

  東京大学物性研究所

• 松田 巌

  東大理

• 松田 巌

  東大物性研究所

関連論文

• 領域5「Elucidation of ultrafast dynamics on the nanoscale with the short wavelength sources」(第65回年次大会シンポジウムの報告)
• 20pGQ-6 高分解能スピン分解光電子分光によるFe/Pd(001)超薄膜の電子状態と磁性の研究(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHL-3 Si(111)1x1水素終端面の角度分解共鳴光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 24pYH-12 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光2(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTK-1 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
• 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aPS-28 EuNi_2(Sl_Ge_x)_2(x=0.75, 0)の高分解能4d4f共鳴光電子分光
• 放射光と Laser の同期によるポンプ-プローブ時間分解光電子分光装置の開発
• 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
• 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
• 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aPS-132 LaB_6表面電子状態の正逆光電子分光スペクトル(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 25aXQ-12 スピン偏極逆光電子分光装置の開発とその評価III(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 22pPSB-21 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√×√超構造の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aTH-4 Hume-Rothery電子化合物の合金単原子層(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 31a-H-8 Ce/Pd(100)の光電子分光
• 20aQE-7 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aPS-13 Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pPSA-10 時間分解光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 19pPSB-16 C_/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置
• 22aWA-8 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性II
• 25pW-11 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性
• 23pPSB-21 EuNi_2(Si_Ge_x)_2の共鳴光電子分光II
• 30aYE-9 Au(111)表面上のPd薄膜における表面準位(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 27aWP-12 放射光励起STMの開発と性能評価(2)(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 21aYD-5 放射光励起 STM の開発と性能評価
• 29pZH-9 S/GaAs (100) 上の Co クラスターの光電子分光
• 12a-DC-16 CeNiAl_4、CeNi_2Al_5の高分解能共鳴光電子分光
• 25a-ZD-10 CeB_6の共鳴光電子分光
• 25a-ZD-6 CeNi_2Al_3の共鳴光電子分光
• 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 実験技術 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光
• ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
• 30pRD-3 Si(111)1次元表面超構造上Ag薄膜の量子井戸状態・III(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pRD-2 スピン・角度分解光電子分光による(√×√)BiAg/Ag量子薄膜の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pVA-3 高効率スピン分解光電子分光によるFe_3O_4/MgO(001)薄膜の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
• 24pYH-7 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発II(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pTD-5 Si(111)一次元表面超構造上に形成された金属薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pPSA-19 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24pXJ-9 Si(111)一次元表面超構造上のAg薄膜の量子井戸状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pZA-8 角度分解光電子分光法によるMnSi(100)の電子状態の研究(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
• 19aYC-13 Si/SiGeヘテロ構造2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴と電子相関(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光(実験技術)
• 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGV-1 Introduction(Elucidation of ultrafast dynamics on the surface and the nanoscale with the short wavelength sources)
• 27aYG-11 強磁場下独立駆動型多端子装置によるBi/Ag超薄膜の反局在効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-8 2次元光電子バンドマッピングによるRashba系表面状態と量子井戸状態の相互作用の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-22 Si(111)-3×1-Ag表面上Au吸着に伴う√×√超構造の形成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ビスマス量子薄膜における表面状態による電気伝導
• 29pPSB-40 テンプレート効果とCoシリサイドクラスターの原子・電子構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aRD-1 Si(111)√×√-(Au,Ag)構造の相転移(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-4 Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXA-10 Pb超薄膜電気伝導度のbilayer振動 : バンド構造からの考察(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
• 28pPSA-2 高速時間分解放射光光電子分光システムの開発(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 22aXB-10 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究IV(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-8 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究III(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-8 PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 領域5「Concerting researches of real space observations by STM/STS and reciprocal space measurements by High-Resolution ARPES」(2008年秋季大会シンポジウムの報告)
• 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aHC-6 レーザーポンプ-放射光プローブによる軟X線時間分解角度分解光電子分光装置の開発(26aHC 若手奨励賞受賞記念講演/新光源・新分光法,領域5(光物性))
• 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aTH-3 Bi_Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aHE-1 スピン・角度分解光電子分光によるCo doped Fe_3O_4(100)/MgO(100)の電子状態(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-12 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aHE-1 スピン・角度分解光電子分光によるCo doped Fe_3O_4(100)/MgO(100)の電子状態(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pTC-9 Bi_Sb_x(111)表面における準粒子干渉の走査トンネル分光測定(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aHA-10 Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-35 水素吸着によるSrTiO_3(001)表面金属化の研究(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-15 反射高速陽電子回折によるAg(111)薄膜表面上におけるBi原子の吸着位置の解析(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-5 Co吸着Bi_Sb_x (111)表面の走査トンネル分光(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aCK-9 Fe_3O_4/MgO(001)超薄膜の成長とその電子状態の研究(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aXK-9 Pt/Ge(001)表面の一次元金属的な電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSA-14 Si(111)√×√-Inの表面電子構造とキャリアダイナミクス(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSA-48 酸化物半導体表面におけるキャリアダイナミクス : 時間分解軟X線光電子分光法による研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pJA-7 一次元原子鎖Pt/Ge(001)のスピン偏極した擬一次元金属電子状態と構造相転移(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSA-23 In/Si(111)表面における表面光起電力効果の緩和機構 : 時間分解軟X線光電子分光法による研究(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク