武市 泰男 | 東大物性研
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概要
関連著者
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武市 泰男
東大物性研
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柿崎 明人
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原沢 あゆみ
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東大物性研
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冉 凡勇
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東口 光晴
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島田 賢也
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飛田 尚寿
広大院理
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田中 克昇
広大院理
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福田 修悟
広大院理
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田中 克昇
広島大放射光セ
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奥山 弘
京大院理
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山上 浩志
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FEVRE P.
SOLEIL/LURE
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TALEB-IBRAHIMI A.
SOLEIL/LURE
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モーラス パオロ
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トプワル ディネシュ
イタリア国立研究所(CNR)
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カルボーネ カルロ
イタリア国立研究所(CNR)
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武市 泰男
東大理
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有賀 哲也
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奥山 弘
京都大学大学院理学研究科
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八田 振一郎
京大院理:jst-crest
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平原 徹
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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大坪 嘉之
京大院理:jst-crest
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望月 出海
原子力機構先端基礎研
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望月 出海
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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小宇佐 友香
慶応理工
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慶応理工
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山上 浩志
京都産業大
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Insp Paris
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Synchrotron SOLEIL
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Bertran F.
Synchrotron SOLEIL
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Synchrotron SOLEIL
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東京大学理学系研究科物理学専攻
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伊藤 孝寛
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安藤 陽一
大阪大学産業科学研究所
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MORAS Paolo
イタリア国立研究所(CNR)
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イタリア国立研究所(CNR)
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大屋 満明
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松並 絢也
東大理
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西岡 貴央
東大理
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神戸大学大学院自然科学研究科
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獅子堂 達也
広大院先端
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中村 史一
東大理
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小河 愛実
東大物性研
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平原 徹
東京大学大学院理学系研究科
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Taskin Alexy
阪大産研
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宮原 寛和
広大院理
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Susaki Tomofumi
Department Of Physics And Department Of Complexity Science And Engineering University Of Tokyo:(pres
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森 亮順
京大院理
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中村 史一
東大理:東大物性研
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FanYong Ran
東大物性研
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angelo Marie
INSP Paris
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何 珂
中国科学院
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矢治 光一郎
JST CREST
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獅子堂 達也
広大先端
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宮本 幸治
HSRC, Hiroshima Univ.
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中村 史一
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金 聖憲
東京大学物性研究所
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宮本 幸治
広大放射光
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望月 出海
高エ研
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武市 泰男
高エ研
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武市 泰男
高工研
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大屋 満明
パナソニック(株) デバイス社 基盤技術開発センター
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望月 出海
高工研
著作論文
- 20pGQ-6 高分解能スピン分解光電子分光によるFe/Pd(001)超薄膜の電子状態と磁性の研究(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYH-12 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光2(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTK-1 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
- 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
- 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 実験技術 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光
- ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
- 30pRD-3 Si(111)1次元表面超構造上Ag薄膜の量子井戸状態・III(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pRD-2 スピン・角度分解光電子分光による(√×√)BiAg/Ag量子薄膜の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pVA-3 高効率スピン分解光電子分光によるFe_3O_4/MgO(001)薄膜の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
- 24pYH-7 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発II(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pTD-5 Si(111)一次元表面超構造上に形成された金属薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pPSA-19 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24pXJ-9 Si(111)一次元表面超構造上のAg薄膜の量子井戸状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pZA-8 角度分解光電子分光法によるMnSi(100)の電子状態の研究(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 19aYC-13 Si/SiGeヘテロ構造2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴と電子相関(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光(実験技術)
- ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
- 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-8 PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aTH-3 Bi_Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aHE-1 スピン・角度分解光電子分光によるCo doped Fe_3O_4(100)/MgO(100)の電子状態(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-12 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aHE-1 スピン・角度分解光電子分光によるCo doped Fe_3O_4(100)/MgO(100)の電子状態(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aHA-10 Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aCK-9 Fe_3O_4/MgO(001)超薄膜の成長とその電子状態の研究(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aXK-9 Pt/Ge(001)表面の一次元金属的な電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pJA-7 一次元原子鎖Pt/Ge(001)のスピン偏極した擬一次元金属電子状態と構造相転移(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))