26pJA-7 一次元原子鎖Pt/Ge(001)のスピン偏極した擬一次元金属電子状態と構造相転移(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 武市 泰男

  東大物性研

• 原沢 あゆみ

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 矢治 光一郎

  京大院理:jst Crest

• 矢治 光一郎

  東大物性研

• 望月 出海

  原子力機構先端基礎研

• 望月 出海

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• 金 聖憲

  東大物性研

• Le Fevre

  Synchrotron SOLEIL

• 大坪 嘉之

  Synchrotron SOLEIL

• Bertran F.

  Synchrotron SOLEIL

• Taleb-Ibrahimi A.

  Synchrotron SOLEIL

• 武市 泰男

  高工研

• 望月 出海

  高工研

関連論文

• 20pGQ-6 高分解能スピン分解光電子分光によるFe/Pd(001)超薄膜の電子状態と磁性の研究(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHL-3 Si(111)1x1水素終端面の角度分解共鳴光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 24pYH-12 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光2(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTK-1 MSi(M=Mn,Co)の角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
• 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aPS-28 EuNi_2(Sl_Ge_x)_2(x=0.75, 0)の高分解能4d4f共鳴光電子分光
• 放射光と Laser の同期によるポンプ-プローブ時間分解光電子分光装置の開発
• 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
• 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
• 30aTL-3 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性II(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aPS-132 LaB_6表面電子状態の正逆光電子分光スペクトル(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 25aXQ-12 スピン偏極逆光電子分光装置の開発とその評価III(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 31a-H-8 Ce/Pd(100)の光電子分光
• 20aQE-7 シリコンの光電子分光 : ボロン濃度依存性(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aPS-13 Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pPSA-10 時間分解光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 19pPSB-16 C_/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置
• 22aWA-8 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性II
• 25pW-11 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性
• 23pPSB-21 EuNi_2(Si_Ge_x)_2の共鳴光電子分光II
• 30aYE-9 Au(111)表面上のPd薄膜における表面準位(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 27aWP-12 放射光励起STMの開発と性能評価(2)(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 21aYD-5 放射光励起 STM の開発と性能評価
• 29pZH-9 S/GaAs (100) 上の Co クラスターの光電子分光
• 12a-DC-16 CeNiAl_4、CeNi_2Al_5の高分解能共鳴光電子分光
• 25a-ZD-10 CeB_6の共鳴光電子分光
• 25a-ZD-6 CeNi_2Al_3の共鳴光電子分光
• 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• NdB_6(110)清浄表面の光電子分光II
• NdB_6(110)清浄表面の光電子分光I
• 24aXB-1 放射光励起STMによる元素分析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTG-4 Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 放射光励起走査トンネル顕微鏡の開発
• 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-1 高効率スピン分解光電子分光装置の開発の現状(光電子分光・放射光真空紫外分光・軟X線発光・散乱,領域5(光物性))
• 21aXB-1 高効率スピン分解光電子分光装置の開発の現状(光電子分光・放射光真空紫外分光・軟X線発光・散乱,領域5(光物性))
• 実験技術 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光
• ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
• 30pRD-3 Si(111)1次元表面超構造上Ag薄膜の量子井戸状態・III(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pRD-2 スピン・角度分解光電子分光による(√×√)BiAg/Ag量子薄膜の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pVA-3 高効率スピン分解光電子分光によるFe_3O_4/MgO(001)薄膜の研究(29pVA 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質等),領域5(光物性))
• 24pYH-7 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発II(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pTD-5 Si(111)一次元表面超構造上に形成された金属薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pPSA-19 超低速電子線回折を用いた高効率スピン分解光電子分光装置の開発(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24pXJ-9 Si(111)一次元表面超構造上のAg薄膜の量子井戸状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pZA-8 角度分解光電子分光法によるMnSi(100)の電子状態の研究(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
• 19aYC-13 Si/SiGeヘテロ構造2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴と電子相関(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 3)
• 14aXD-2 SR-PEEM による酸素 K 吸収端での NiO(100) 表面の反強磁性磁区ドメイン観察(表面・界面磁性, 領域 9)
• 27pPSA-9 Si表面上のGdナノ細線の光電子分光(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 23aWA-5 放射光光電子顕微鏡による微小領域表面磁性の研究
• 21aYD-12 Si 表面上の Gd 一次元鎖構造の光電子分光
• 3p-F-16 Ni単結晶の光電子スピン分解低速電子線回折分光スペクトル(II)
• 26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
• 29a-H-1 CeB_6の共鳴光電子分光 II
• 27p-B-1 YbB_6の共鳴光電子分光
• 26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pXJ-11 Ti/Si(001)表面における拡散過程の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aYB-2 Fe/Rh(001)の温度依存スピン電子状態
• 24aN-1 Fe/Ag(001)表面のスピン分解光電子回折
• 26pR-7 Fe/Rh(001)の構造と電子状態
• 24aS-8 Co/Au(111)の磁気異方性のスピン依存電子状態
• 25aYC-5 fcc Fe/Co(001)のスピン磁気モーメントの膜厚依存性
• 28a-ZH-1 Co/Au(111)磁性薄膜のスピン分解光電子分光
• 25a-YP-15 Ni(110)のスピン分解価電子帯光電子スペクトルにおける磁気円二色性
• 25a-YP-14 円偏光励起スピン分解光電子分光によるNi6eVサテライトの測定
• 25a-YP-11 Fe/Rh(001)の角度分解光電子分光
• 26a-YJ-8 Fe/Rh(001)およびFe/Co(001)の成長モードと電子状態
• 31p-Z-4 Fe(001)のスピン依存表面電子状態
• 低速電子回折型電子スピン検出器を用いた高分解能スピン・角度分解光電子分光(実験技術)
• 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ラシュバ分裂した表面状態との混成により誘起された金属量子井戸状態のスピン分裂
• 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-5 Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-8 PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWX-10 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究(25pWX 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aHE-6 Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aTH-3 Bi_Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aHE-1 スピン・角度分解光電子分光によるCo doped Fe_3O_4(100)/MgO(100)の電子状態(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-12 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aHE-1 スピン・角度分解光電子分光によるCo doped Fe_3O_4(100)/MgO(100)の電子状態(28aHE 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aHA-10 Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aCK-9 Fe_3O_4/MgO(001)超薄膜の成長とその電子状態の研究(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aCK-2 Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性(27aCK 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aFN-6 Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aXK-9 Pt/Ge(001)表面の一次元金属的な電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pJA-7 一次元原子鎖Pt/Ge(001)のスピン偏極した擬一次元金属電子状態と構造相転移(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク