22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態

元データ 2000-09-10 社団法人日本物理学会

著者

原沢 あゆみ 東大物性研
奥田 太一 東大物性研
春山 雄一 姫工大高度研
木下 豊彦 東大物性研
田中 慎一郎 阪大産研
松井 真二 兵庫県立大高度研
田中 慎一郎 名大理
牧野 秀男 株式会社シリコンテクノロジー
和田 勝男 株式会社シリコンテクノロジー
松井 真二 姫工大高度研
和田 勝男 (株)シリコンテクノロジー
松井 真二 兵庫県立大
春山 雄一 兵庫県立大

関連論文

▼もっと見る