26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 松田 巌

  東大物性研

• 原沢 あゆみ

  東大物性研

• 奥田 太一

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 首藤 健一

  横国大工

• 原沢 あゆみ

  東京大学物性研究所

• 大野 真也

  横国大工

• 田中 正俊

  横国大工

• 山崎 紀明

  横国大工

• 中山 史人

  横国大工

• 佐藤 和成

  横国大工

• 大野 真也

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 首藤 健一

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 佐藤 和成

  横浜国立大学工学府

• 飯田 貴則

  横浜国立大学工学府

• 寅丸 雅光

  横浜国立大学工学府

• 寅丸 雅光

  横国大工

• 小間 大弘

  横国大工

• 飯田 貴則

  横国大工

• 九鬼 隆良

  横国大工

• 奥田 太一

  広島大学放射光科学研究センター

• 田中 正俊

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

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