26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

元データ 2008-02-29 社団法人日本物理学会

著者

松田 巌 東大物性研
原沢 あゆみ 東大物性研
奥田 太一 東大物性研
柿崎 明人 東大物性研
首藤 健一 横国大工
原沢 あゆみ 東京大学物性研究所
大野 真也 横国大工
田中 正俊 横国大工
山崎 紀明 横国大工
中山 史人 横国大工
佐藤 和成 横国大工
大野 真也 横浜国立大学工学部知能物理工学科
首藤 健一 横浜国立大学工学部知能物理工学科
佐藤 和成 横浜国立大学工学府
飯田 貴則 横浜国立大学工学府
寅丸 雅光 横浜国立大学工学府
寅丸 雅光 横国大工
小間 大弘 横国大工
飯田 貴則 横国大工
九鬼 隆良 横国大工
奥田 太一 広島大学放射光科学研究センター
田中 正俊 横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

関連論文

▼もっと見る