首藤 健一 | 横浜国立大学工学部知能物理工学科
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概要
関連著者
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首藤 健一
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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大野 真也
横国大工
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大野 真也
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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首藤 健一
横国大工
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田中 正俊
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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横浜国大工
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横浜国大工
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理研
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NHK放送技研
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横浜国立大工
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NHK技研
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横浜国大工
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小間 大弘
横国大工
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広大放射光セ
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落合 俊之
横国大工
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河村 紀一
NHK技研
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小間 大弘
横浜国立大学
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西岡 広明
横国大工
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市川 雄一
横国大工
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佐藤 和成
横国大工
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寅丸 雅光
横浜国大工
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山崎 紀明
横浜国大工
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中山 史人
横浜国大工
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山崎 貴彦
横浜国大工
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落合 俊之
横浜国大工
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為谷 亮太
横浜国大工
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九鬼 隆良
横国大工
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小泉 順也
横浜国立大学
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滝澤 純一
横浜国立大学
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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前田 昭徳
愛知工業大学
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落合 鎮康
愛知工業大学
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大橋 朝夫
愛知工業大学
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小嶋 憲三
愛知工業大学
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岡本 昭夫
大阪府立産業技術総合研究所
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高橋 正光
日本原子力研究所放射光科学研究センター
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田村 和久
北海道大学大学院理学研究科
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近藤 敏啓
北海道大学大学院理学研究科
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田中 彰博
アルバック・ファイ(株)
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李 奎毅
大阪大学工学部
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尾浦 憲治郎
大阪大学工学部
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平井 正明
岡山大学自然科学研究科
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長谷川 和彦
大阪大学大学院工学研究科
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中野 寛之
愛知工業大学
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浦谷 文博
大阪府立産業技術総合研究所
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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奥田 昌宏
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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安井 利明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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柿崎 明人
東京大学物性研究所
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安 振連
岡山大学自然科学研究科
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服部 望
岡山大学自然科学研究科
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森居 隆史
岡山大学自然科学研究科
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日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大学自然科学研究科
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井上 昭浩
福井工業高等専門学校
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田中 正俊
横国大院工
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鈴木 隆則
理研
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白尾 徹郎
理化学研究所播磨研究所X線干渉光学研究室
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吉川 俊夫
愛知工業大学総合技術研究所
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水木 純一郎
日本原子力研究所
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吉村 雅満
豊田工業大学
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小嶋 薫
豊田工業大学
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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杉本 敏司
大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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松田 巌
東大理
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橋本 和博
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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鈴木 隆則
防衛大応物
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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小林 司
アネルバ(株)プロセス開発研究所
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長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
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竹内 晃久
(財)高輝度光科学研究センター
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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清水 克祐
三菱重工業(株)
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内田 悦行
愛知工業大学
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武智 誠次
大阪大学大学院工学研究科
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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田中 勝敏
大阪大学大学院工学研究科附属超高温理工学研究施設
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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上田 一之
豊田工業大学 ナノハイテクリサーチセンター
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鷹野 一朗
工学院大学電気工学科
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沢田 芳夫
工学院大学電気工学科
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酒井 明
京都大学工学部付属メゾ材料研究センター
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
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高木 望
日本真空技術
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廣木 成治
日本原子力研究所・那珂研究所
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丹澤 貞光
日本原子力研究所・那珂研究所
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野田 耕司
放射線医学総合研究所
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藤本 圭一
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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大倉 重治
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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本多 信一
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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片山 光浩
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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櫻井 芳昭
大阪府立産業技術総合研究所
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佐藤 吉博
高エネルギー加速器研究機構
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鈴木 芳生
(財)高輝度光科学研究センター
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山本 雅彦
大阪大学大学院工学研究科
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文 元鐵
大阪大学産業科学研究所
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田辺 徹美
高エネルギー加速器研究機構(kek)
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吉信 達夫
大阪大学産業科学研究所
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岩崎 裕
大阪大学産業科学研究所
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松田 厳
東大物性研
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岡田 隆弘
千葉工業大学精密機械工学科
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山村 泰道
岡山理科大学
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水野 善之
日本バルカー工業(株)
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青木 健志
横国大工
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山崎 紀明
横国大院工
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中山 史人
横国大院工
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大野 真也
横国大院工
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寅丸 雅光
横国大院工
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市川 雄一
横国大院工
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山崎 貴彦
横国大院工
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飯田 貴則
横国大院工
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佐藤 和成
横国大院工
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青木 健志
横国大院工
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西岡 広明
横国大院工
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首藤 健一
横国大院工
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飯田 貴則
横浜国大工
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佐藤 和成
横浜国大工
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青木 健志
横浜国大工
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市川 雄一
横浜国大工
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広林 茂樹
富山大学工学部
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古橋 秀夫
愛知工業大学 電気学科 情報通信工学専攻
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藤田 静雄
京都大学大学院
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久保 富夫
高エネルギー加速器研究機構
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関川 健太郎
埼玉大学
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西岡 広明
横浜国立大学工学府
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宮本 泰敬
NHK放送技術研究所
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寅丸 雅光
横国大工
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飯田 貴則
横国大工
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九鬼 隆良
横浜国大工
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三戸部 史岳
横浜国立大学
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鈴木 隆則
防衛大学校
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淡路 晃弘
(財)高輝度光科学研究センター
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高野 秀和
(財)高輝度光科学研究センター
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興地 斐男
和歌山工業高等専門学校
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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星野 英光
大阪府立産業技術総合研究所
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石神 逸男
大阪府立産業技術総合研究所
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三浦 健一
大阪府立産業技術総合研究所
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水越 朋之
大阪府立産業技術総合研究所
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小林 信一
埼玉大学
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鷹野 一朗
工学院大学
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吉竹 正明
大阪府立産業技術総合研究所
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野坂 俊紀
大阪府立産業技術総合研究所
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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山納 康
埼玉大学
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壁谷 善三郎
三菱重工業
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中谷 訓幸
富山大学工学部
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戸部 了己
アネルバ(株)
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守 昭人
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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坂本 淳
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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三津橋 武
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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Deng Dongmel
理研
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Deng Dongmel
理研:埼玉大
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斉藤 茂
東京理科大学工学部電気工学科
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須藤 孝一
大阪大学産業科学研究所
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礒野 修治
東京理科大学工学部電気工学科
-
山崎 英樹
東京理科大学工学部電気工学科
-
村上 伯人
東京理科大学工学部電気工学科
-
須東 稔実
東京理科大学工学部電気工学科
-
梅沢 朋宏
東京理科大学工学部電気工学科
-
江刺家 大亮
東京理科大学工学部電気工学科
-
宗村 哲雄
東京理科大学工学部電気工学科
-
柳 正鐸
Department Of Computer And Communication Taeg University
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田村 繁治
経済産業省産業技術総合研究所/(財)高輝度光科学研究センター
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安本 正人
経済産業省産業技術総合研究所
-
上條 長生
(財)高輝度光科学研究センター/関西医科大学
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吉沢 寿夫
富山大学工学部
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国分 清秀
電子技術総合研究所
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中島 尚男
大阪大学産業科学研究所
-
加地 博子
岡山理科大学工学部電子工学科
-
大冨 賢一
福岡工業大学
-
末金 皇
大阪大学産業科学研究所
-
田中 優数
大阪大学産業科学研究所
-
奥井 登志子
大阪大学産業科学研究所
著作論文
- 26aYG-2 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-6 Si(001)表面におけるTiシリサイド形成過程へのサーファクタント効果の検討(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 表面差分反射分光と反射率差分光を用いたSi(001)表面初期酸化過程のリアルタイム解析
- 酸素存在下におけるSi(001)-2×1上でのチタンシリサイド形成の走査トンネル顕微鏡(STM)観察
- 29pPSB-56 Si(001)表面におけるO_2,NO,CO反応過程の反射分光による検討(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-52 Ruシリサイドのナノ構造作製と電子状態の測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-7 Si(001)表面におけるNO吸着構造の反射分光による解析(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-3 Si表面上におけるRuの拡散と表面構造の観察(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-3 Si(001)表面上の銀薄膜成長過程のリアルタイム反射分光(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 酸素吸着Ti/Si(001)の走査トンネル顕微鏡(STM)観察
- Si(111)面におけるRuシリサイドの形成と成長過程
- 25pTD-4 表面光反射分光によるSi(001)表面反応の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-77 Si(001)表面における電子線励起欠陥形成過程の実時間反射分光(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-78 Ruシリサイドの形成と局所電子状態の測定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aXB-5 Ti/Si(001)表面における局所電子状態の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-11 Ti/Si(001)表面における拡散過程の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 半導体表面からの励起電子誘起脱離(I) : ハロゲン吸着シリコンへの電子・正孔注入の場合
- 25pPSB-9 水素終端Si(001)表面における表面光反射スペクトルの考察(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-46 Si表面上のチタンの拡散とSi吸収によるシリサイドの形成(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Si(111)表面上のBr吸着における多臭化物の形成過程
- Si(001)初期酸化過程における表面差分反射スペクトルの波長依存性
- 14aXG-2 銀原子蒸着が引き起こす Si(111)-√×√-Ag 表面からの SHG 応答変化 : 温度依存性と波長依存性(表面界面電子物性, 領域 9)
- 表面第二高調波発声法によるSi(111)表面の塩素吸着・脱離過程の観測
- 23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- サマリー・アブストラクト
- Si(111)表面反射スペクトルのクラスター計算による評価