尾浦 憲治郎 | 大阪大学工学部
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概要
関連著者
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尾浦 憲治郎
大阪大学工学部
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尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
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平尾 孝
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大阪大学大学院工学研究科電子工学専政
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Honda Shin-ichi
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University
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久保 理
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
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久保 理
大阪大学工学部電子工学科
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大阪大学工学部電子工学科
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FCTプロジェクト/JFCC
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FCTプロジェクト/JFCC
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原田 徹
大阪大学工学部電子工学科
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小橋 宏司
(財)ファインセラミックスセンター Fct研究本部
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小橋 宏司
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布瀬 暁志
大阪大学工学部電子工学科
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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国分 清秀
電子技術総合研究所
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Saranin A
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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前田 昭徳
愛知工業大学
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落合 鎮康
愛知工業大学
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大橋 朝夫
愛知工業大学
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小嶋 憲三
愛知工業大学
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岡本 昭夫
大阪府立産業技術総合研究所
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美馬 宏司
大阪市立大学
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高橋 正光
日本原子力研究所放射光科学研究センター
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田村 和久
北海道大学大学院理学研究科
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近藤 敏啓
北海道大学大学院理学研究科
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田中 彰博
アルバック・ファイ(株)
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古田 寛
大阪大学工学部
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古田 寛
JFCC/NEDOフェロー
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目黒 貴一
住友電工伊丹研究所
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今井 貴浩
住友電工伊丹研究所
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平井 正明
岡山大学自然科学研究科
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長谷川 和彦
大阪大学大学院工学研究科
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中野 寛之
愛知工業大学
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辻 啓太
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
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浦谷 文博
大阪府立産業技術総合研究所
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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奥田 昌宏
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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安井 利明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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安 振連
岡山大学自然科学研究科
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服部 望
岡山大学自然科学研究科
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森居 隆史
岡山大学自然科学研究科
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日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大学自然科学研究科
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井上 昭浩
福井工業高等専門学校
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吉川 俊夫
愛知工業大学総合技術研究所
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水木 純一郎
日本原子力研究所
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加藤 敏郎
名古屋大学工学部
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清水 肇
電子技術総合研究所
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生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
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吉村 雅満
豊田工業大学
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小嶋 薫
豊田工業大学
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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杉本 敏司
大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター
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川田 正国
電子技術総合研究所
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村上 寛
電子技術総合研究所
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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橋本 和博
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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小林 司
アネルバ(株)プロセス開発研究所
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長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
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竹内 晃久
(財)高輝度光科学研究センター
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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清水 克祐
三菱重工業(株)
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内田 悦行
愛知工業大学
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武智 誠次
大阪大学大学院工学研究科
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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田中 勝敏
大阪大学大学院工学研究科附属超高温理工学研究施設
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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上田 一之
豊田工業大学 ナノハイテクリサーチセンター
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鷹野 一朗
工学院大学電気工学科
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沢田 芳夫
工学院大学電気工学科
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大西 秀朗
大阪大学工学部
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内藤 正路
大阪大学工学部
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酒井 明
京都大学工学部付属メゾ材料研究センター
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
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高木 望
日本真空技術
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大西 秀朗
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター
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廣木 成治
日本原子力研究所・那珂研究所
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丹澤 貞光
日本原子力研究所・那珂研究所
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野田 耕司
放射線医学総合研究所
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辻 啓太
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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生野 孝
阪大工
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櫻井 芳昭
大阪府立産業技術総合研究所
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佐藤 吉博
高エネルギー加速器研究機構
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平松 成範
高エネルギー物理学研究所
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片山 光浩
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka U
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鈴木 芳生
(財)高輝度光科学研究センター
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山本 雅彦
大阪大学大学院工学研究科
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文 元鐵
大阪大学産業科学研究所
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田辺 徹美
高エネルギー加速器研究機構(kek)
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吉信 達夫
大阪大学産業科学研究所
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岩崎 裕
大阪大学産業科学研究所
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関口 敦
日電アネルバ
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岡田 隆弘
千葉工業大学精密機械工学科
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山村 泰道
岡山理科大学
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水野 善之
日本バルカー工業(株)
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広林 茂樹
富山大学工学部
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古橋 秀夫
愛知工業大学 電気学科 情報通信工学専攻
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首藤 健一
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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矢部 勝昌
北海道工業技術研究所
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今井 貴浩
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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藤田 静雄
京都大学大学院
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桜井 利夫
東京大学物性研究所
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久保 富夫
高エネルギー加速器研究機構
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関川 健太郎
埼玉大学
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淡路 晃弘
(財)高輝度光科学研究センター
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高野 秀和
(財)高輝度光科学研究センター
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鈴木 正昭
北海道工業開発試験所
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林 俊雄
日本真空技術(株)技術開発部
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興地 斐男
和歌山工業高等専門学校
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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星野 英光
大阪府立産業技術総合研究所
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石神 逸男
大阪府立産業技術総合研究所
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三浦 健一
大阪府立産業技術総合研究所
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水越 朋之
大阪府立産業技術総合研究所
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町田 和雄
電子技術総合研究所
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岩田 敏彰
電子技術総合研究所
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戸田 義継
電子技術総合研究所
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栗田 康雄
(株)東芝
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本田 登志雄
(株)東芝
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小林 信一
埼玉大学
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鷹野 一朗
工学院大学
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吉竹 正明
大阪府立産業技術総合研究所
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野坂 俊紀
大阪府立産業技術総合研究所
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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山納 康
埼玉大学
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壁谷 善三郎
三菱重工業
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増田 俊雄
名古屋大学全学技術センター工学技術系
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小野 雅敏
電子技術総合研究所
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川本 清
大阪大学工学部電子工学科
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白 良奎
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
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中谷 訓幸
富山大学工学部
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椎崎 貴史
大阪大学工学部電子工学科
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久次米 繁範
大阪大学工学部電子工学科
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戸部 了己
アネルバ(株)
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守 昭人
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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坂本 淳
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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三津橋 武
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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玉川 孝一
日本真空技術・筑波半技研
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斉藤 茂
東京理科大学工学部電気工学科
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須藤 孝一
大阪大学産業科学研究所
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礒野 修治
東京理科大学工学部電気工学科
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山崎 英樹
東京理科大学工学部電気工学科
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村上 伯人
東京理科大学工学部電気工学科
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須東 稔実
東京理科大学工学部電気工学科
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梅沢 朋宏
東京理科大学工学部電気工学科
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江刺家 大亮
東京理科大学工学部電気工学科
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宗村 哲雄
東京理科大学工学部電気工学科
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小原 建治郎
日本原子力研究所
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今井 貴浩
住友電気工業 半導体研
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田村 繁治
経済産業省産業技術総合研究所/(財)高輝度光科学研究センター
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安本 正人
経済産業省産業技術総合研究所
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上條 長生
(財)高輝度光科学研究センター/関西医科大学
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小宮 宗治
日本真空技研
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吉沢 寿夫
富山大学工学部
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中島 尚男
大阪大学産業科学研究所
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加地 博子
岡山理科大学工学部電子工学科
-
大冨 賢一
福岡工業大学
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末金 皇
大阪大学産業科学研究所
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田中 優数
大阪大学産業科学研究所
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奥井 登志子
大阪大学産業科学研究所
-
荒川 勝仁
大阪大学産業科学研究所
-
谷 仁
大阪大学工学部電子工学科
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SARANIN Alexander
ロシア科学アカデミー自動制御プロセス研究所
-
ZOTOV Andrey
ロシア科学アカデミー自動制御プロセス研究所
-
中村 恵
アネルバ株式会社
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塩川 善郎
アネルバ株式会社
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矢城 陽一朗
岡山理科大学総合情報学部
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本間 禎一
千葉工業大学精密機械工学科
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山淵 龍夫
富山大学工学部
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大橋 朝夫
愛知工業大学電気工学科
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田川 雅人
神戸大学工学部機械工学科
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千田 勝久
高エネルギー加速器研究機構
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新垣 良次
高エネルギー加速器研究機構
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吉沢 盛男
高エネルギー加速器研究機構
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山崎 登志成
富山大学工学部
著作論文
- ダイヤモンドへの内部電極の形成とそれを用いた電子放出素子 : エミッタ電極のセルフアライン加工
- 単結晶ダイヤモンドの電子デバイス応用のための微細突起加工
- マグネトロンスパッタ法を用いたカーボンナノチューブの直径及び密度制御
- 高周波マグネトロンスパッタ法による炭素系薄膜の作製と評価
- Si(001)におけるGeデルタドープ層の挙動 -TOF-LEISによる観察-
- 原子状水素が誘起するSi(100)4×3-In 表面の構造変化過程
- カーボンナノ構造の低温作製
- Si上金属ナノクラスターの水素誘起自己組織化
- 低速イオン散乱・反跳法による水素終端Si(001)表面上Ge薄膜成長のその場観察
- Ag/SiC(0001)表面上への原子状水素吸着過程のSTM観察
- 飛行時間型直衝突イオン散乱分光法によるSi(111)表面上のSn薄膜成長の観察
- 金属/シリコン初期界面の水素誘起自己組織化
- 「毒」にも「薬」にもなる水素の働きと表面科学
- 原子状水素雰囲気下におけるSi(001)表面上Ge薄膜成長のイオン散乱リアルタイムその場計測
- 高精度RBS共鳴散乱法による薄膜の酸素分析
- サマリー・アブストラクト
- Ar+イオン衝撃したSi (111) 表面上での蒸着Ag原子の挙動
- CMA型AES装置AAS-200による低速イオン散乱分光
- TOF型ICISS/ERDAによる表面解析
- アブストラクト
- 7. 弾性反跳検出分析(ERDA)
- 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素終端Si (111) 面上の銀膜成長過程の観察
- Li+とHe+イオン散乱分光による実用表面の観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)