原子状水素が誘起するSi(100)4×3-In 表面の構造変化過程
スポンサーリンク
概要
著者
-
尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
-
尾浦 憲治郎
大阪大学工学部
-
原田 徹
大阪大学工学部電子工学科
-
片山 光浩
大阪大学工学研究科電子工学専攻
-
尾浦 憲治郎
阪大工
-
布瀬 暁志
大阪大学工学部電子工学科
-
柳 正鐸
Department Of Computer And Communication Taeg University
-
Saranin A
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
-
久保 理
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
久保 理
大阪大学工学部電子工学科
-
柳 正鐸
大阪大学工学部電子工学科
-
谷 仁
大阪大学工学部電子工学科
-
藤野 俊明
大阪大学工学部電子工学科
-
SARANIN Alexander
ロシア科学アカデミー自動制御プロセス研究所
-
ZOTOV Andrey
ロシア科学アカデミー自動制御プロセス研究所
-
Zotov A
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
-
Zotov Andrey
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
藤野 俊明
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
Alexander A.
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
藤野 俊明
大阪大学工学研究科電子工学専攻
-
片山 光浩
大阪大学工学研究科
-
尾浦 憲治郎
大阪大学工学研究科
関連論文
- 選択エッチング法によるナノサイズ炭素エミッタ形成
- ダイヤモンドへの内部電極の形成とそれを用いた電子放出素子 : エミッタ電極のセルフアライン加工
- ダイヤモンドの高度な反応性イオンエッチング
- 単結晶ダイヤモンドの電子デバイス応用のための微細突起加工
- 触媒金属微粒子制御による垂直配向カーボンナノチューブ薄膜の作製
- マグネトロンスパッタ法を用いたカーボンナノチューブの直径及び密度制御
- カーボンナノチューブ束ピラー配列からの電界電子放出特性と安定性の評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- エージングによる印刷型カーボンナノチューブエミッターの発光均一性と寿命特性の改善(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ナノカーボン材料の形態制御とデバイス応用探索
- 3. 誘導結合RFプラズマCVD法によるカーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
- 5p-T-5 ERDA/LEEDによるSi(111)-√×√ Ag表面への水素吸着
- 人材育成
- 1p-TA-7 低エネルギー反跳イオン分光(LE-RIS)によるSi(100)表面の水素吸着過程
- 3a-L-8 固体表面水素による低エネルギー^4He^+イオンの散乱
- 4p-X-5 InP(110)表面における低速He^+イオンの散乱過程
- 高周波マグネトロンスパッタ法による炭素系薄膜の作製と評価
- プラズマ化学気相成長法による電界電子エミッター用ナノ構造薄膜の作製と評価
- 7a-PS-8 飛行時間型イオン散乱法によるSi(001)上でのSi固相成長の観察
- Si(001)におけるGeデルタドープ層の挙動 -TOF-LEISによる観察-
- 飛行時間型イオン散乱法によるSi(001)上でのSi固相成長の観察
- 28p-PSB-15 低速イオン散乱におけるセルフブロッキング効果の検討
- 29p-P-7 非同軸型低速イオン散乱による化合物表面の解析
- 24pXC-1 金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20aPS-79 独立駆動型 4 探針 STM を用いた CNT 電気伝導測定
- 29p-U-9 LEED平均化強度法によるSi(100)表面構造解析[I]
- 原子状水素が誘起するSi(100)4×3-In 表面の構造変化過程
- ナノ構造単結晶ダイヤモンドの精密加工
- 27p-PSA-9 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態
- 28p-ZF-4 表面モディフィケーションと薄膜成長過程
- 30a-PS-3 低エネルギー反跳イオン分光法によるSi(100)-1×1:2H表面水素の観察
- 3p-B-11 低エネルギー希ガスイオンによるSi表面水素反跳にみられる非弾性過程 II
- 30p-YS-12 低エネルギー希ガスイオンによるSi表面水素反跳にみられる非弾性過程
- 熱化学気相成長法によるカーボンナノチューブ : 金属微粒子間架橋構造の形成
- 高真空レーザアブレーション法による炭素粒子を核としたカーボンナノチューブの作製と評価
- カーボンナノ構造の低温作製
- 炭素系薄膜の電界電子放出における界面金属の影響
- 水素誘起自己組織化および走査トンネル顕微鏡を用いたシリコン表面ナノ構造形成
- Si上金属ナノクラスターの水素誘起自己組織化
- 27p-PSA-8 Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察
- 29p-BPS-59 高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dのふるまいに関する研究
- 29p-BPS-51 A1単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察
- 気相雰囲気下の表面プロセスのイオンビームその場計測 : Ge/Si(001)水素サーファクタント媒介エピタキシー
- 17pYH-11 CAICISSによるNH_3-MBE成長GaMnNの評価
- 低速イオン散乱・反跳法による水素終端Si(001)表面上Ge薄膜成長のその場観察
- 24p-R-8 Si(111)-√Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- 5p-E-7 水素終端Si(111)上のAg成長過程のTOF-ICISS観察
- 28a-WB-3 Pb/Si(111)成長初期過程のTOF-ICISS観察
- 29p-PSB-6 TOF-ICISSによるPb/Si(111)表面の水素誘起エピタキシャルクラスタリングの研究
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- Ag/SiC(0001)表面上への原子状水素吸着過程のSTM観察
- 飛行時間型直衝突イオン散乱分光法によるSi(111)表面上のSn薄膜成長の観察
- 金属/シリコン初期界面の水素誘起自己組織化
- 7a-PS-10 Si(111)√x√-Sb表面上への原子状水素吸着に関する研究
- Sb吸着Si表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- 「毒」にも「薬」にもなる水素の働きと表面科学
- 28p-PSB-21 低エネルギー反跳イオン分光法によるSi(100)-1x1:2H表面水素の観察
- 13a-PS-17 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態III
- 29p-PSB-5 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態II
- 29p-PS-15 低エネルギーリコイルイオン分光法による Si(100)-2x1:H 表面水素の観察
- 29p-BPS-60 低エネルギーイオンビームによるSi表面水素の反跳過程
- 25p-G-11 水素吸着Si表面からの低エネルギー反跳水素イオンのエネルギー分布 I
- 1p-TA-6 Arイオン衝撃Si(100)表面のTOF-ICISS
- 29p-PSB-4 Si(100)面上の水素吸着過程
- 24p-R-12 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素、重水素吸着Si単結晶表面の研究
- 30a-TA-6 水素吸着したSi(111)表面上におけるAgのエピタキシャル成長のLEED観察
- 金属製精密球面グリッド製作法
- 第7回原子スケール制御表面界面・ナノ構造国際会議(ACSIN-7)報告
- 6p-B4-2 TOF-ISSによるAg/Si(111)系表面の観察
- 29a-P-8 TOF型ICISS装置による表面構造解析[I]
- 29a-S-8 In表面における低速イオンの散乱過程
- 27p-C-9 低速アルカリイオン散乱によるSi(111)上のPb膜の解析
- 5a-E-1 低速アルカリイオン散乱による金属/Si(111)表面の観察
- ISS-LEEDによるSi表面構造の解析(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 27a-Y-11 ISS・LEED・AESによるSn/Si(111)系の観察
- 1p-A-7 低速イオン散乱分光法(ISS)によるPd/Si(111)系表面構造の観察
- 3p-E-3 低速イオン散乱分光によるSi(111)面上のAg薄膜の初期成長過程
- 3a-E-10 金属シリサイドの表面構造に関する研究
- 29p-U-5 Si(111)-√3Ag表面の光電効果
- 2p-Q-4 Si(111)√3-Ag 表面構造のLEED,AES,ISSによる観察
- 2p-Q-3 LEED-AESによるSi(111)面上のPd及びPt薄膜の研究
- 原子状水素雰囲気下におけるSi(001)表面上Ge薄膜成長のイオン散乱リアルタイムその場計測
- 2p-PSA-21 低温におけるSi表面吸着水素のERDA観察
- 高精度RBS共鳴散乱法による薄膜の酸素分析
- Pd/Si, Au/Si界面における常温固相反応
- シリコン表面の水素変性と薄膜形成初期過程
- サマリー・アブストラクト
- Ar+イオン衝撃したSi (111) 表面上での蒸着Ag原子の挙動
- CMA型AES装置AAS-200による低速イオン散乱分光
- プラズマ化学気相成長法による電界電子エミッター用ナノ構造薄膜の作製と評価
- TOF型ICISS/ERDAによる表面解析
- アブストラクト
- 7. 弾性反跳検出分析(ERDA)
- 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素終端Si (111) 面上の銀膜成長過程の観察
- Li+とHe+イオン散乱分光による実用表面の観察(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 半導体表面における水素媒介エピタキシ-
- 高エネルギーイオンビーム法
- 26pYF-7 表面における水素介在自己組織化現象とサーファクタント効果(26pYF 領域9シンポジウム主題:水素と固体表面,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 30p-TJ-6 TOF-ICISSスペクトルにおける多重散乱の影響(30pTJ 表面・界面)
- 30p-CH-7 Si(111)表面における低速He^+イオンの中性化と非弾性散乱(放射線物理,第41回年会)