低速イオン散乱・反跳法による水素終端Si(001)表面上Ge薄膜成長のその場観察
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概要
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- 2001-03-20
著者
-
尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
-
尾浦 憲治郎
大阪大学工学部
-
片山 光浩
大阪大学工学研究科電子工学専攻
-
Katayama Mitsuhiro
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
尾浦 憲治郎
阪大工
-
藤野 俊明
大阪大学工学部電子工学科
-
藤野 俊明
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
奥野 智久
大阪大学工学研究科電子工学
-
藤野 俊明
大阪大学工学研究科電子工学専攻
-
片山 光浩
大阪大学工学研究科
-
尾浦 憲治郎
大阪大学工学研究科
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