30a-ZD-5 Si(111)-?<3>Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-09-12
著者
-
尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
-
住友 弘二
NTT基礎研
-
生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
-
尾浦 憲治郎
阪大工
-
生地 文也
阪大工
-
田中 保宣
阪大工
-
片山 逸雄
大阪工大 一般教育科
-
片山 逸雄
大阪工業大学応用物理教室
-
木下 敏宏
阪大工
-
生地 文也
九共立大工
-
生地 文也
九州共立大学工学部
関連論文
- SiC(0001)-(3×3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- 選択エッチング法によるナノサイズ炭素エミッタ形成
- ダイヤモンドへの内部電極の形成とそれを用いた電子放出素子 : エミッタ電極のセルフアライン加工
- ダイヤモンドの高度な反応性イオンエッチング
- 単結晶ダイヤモンドの電子デバイス応用のための微細突起加工
- 28a-XK-9 イオン誘起2次電子によるSi L殻電子のイオンビームシャドーイング測定
- Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- 触媒金属微粒子制御による垂直配向カーボンナノチューブ薄膜の作製
- マグネトロンスパッタ法を用いたカーボンナノチューブの直径及び密度制御
- ポリジメチルシラン蒸着膜の物性と応用
- カーボンナノチューブ束ピラー配列からの電界電子放出特性と安定性の評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- エージングによる印刷型カーボンナノチューブエミッターの発光均一性と寿命特性の改善(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ナノカーボン材料の形態制御とデバイス応用探索
- 3. 誘導結合RFプラズマCVD法によるカーボンナノチューブ配向成長(プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
- 5p-T-5 ERDA/LEEDによるSi(111)-√×√ Ag表面への水素吸着
- 6a-C4-9 高速イオンビームによるSi(100)清浄表面の水素吸着量の決定
- SiC(0001)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究
- 人材育成
- 脱溶存酸素・超純水洗浄処理 GaAs(001) 表面に対する熱処理の影響
- 3a-L-8 固体表面水素による低エネルギー^4He^+イオンの散乱
- 4p-X-5 InP(110)表面における低速He^+イオンの散乱過程
- 高周波マグネトロンスパッタ法による炭素系薄膜の作製と評価
- プラズマ化学気相成長法による電界電子エミッター用ナノ構造薄膜の作製と評価
- 7a-PS-8 飛行時間型イオン散乱法によるSi(001)上でのSi固相成長の観察
- Si(001)におけるGeデルタドープ層の挙動 -TOF-LEISによる観察-
- 飛行時間型イオン散乱法によるSi(001)上でのSi固相成長の観察
- 28p-PSB-15 低速イオン散乱におけるセルフブロッキング効果の検討
- 29p-P-7 非同軸型低速イオン散乱による化合物表面の解析
- 24pXC-1 金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20aPS-79 独立駆動型 4 探針 STM を用いた CNT 電気伝導測定
- 原子状水素が誘起するSi(100)4×3-In 表面の構造変化過程
- ナノ構造単結晶ダイヤモンドの精密加工
- 27p-PSA-9 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態
- 28p-ZF-4 表面モディフィケーションと薄膜成長過程
- 30a-PS-3 低エネルギー反跳イオン分光法によるSi(100)-1×1:2H表面水素の観察
- 3p-B-11 低エネルギー希ガスイオンによるSi表面水素反跳にみられる非弾性過程 II
- 30p-YS-12 低エネルギー希ガスイオンによるSi表面水素反跳にみられる非弾性過程
- 29p-F-9 中エネルギーイオン散乱・表面エネルギー損失分光によるSi(001)2×1-Ge相互拡散分析
- 50, 100keV H^+に対するSi(001)2×1:Sb表面における阻止能とエネルギーストラグリング
- 27a-S-3 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiおよびGeの阻止能とストラグリング
- 30p-YB-5 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiの阻止能とストラグリング
- 熱化学気相成長法によるカーボンナノチューブ : 金属微粒子間架橋構造の形成
- 高真空レーザアブレーション法による炭素粒子を核としたカーボンナノチューブの作製と評価
- カーボンナノ構造の低温作製
- 炭素系薄膜の電界電子放出における界面金属の影響
- 脱溶存酸素・超純水によるGaAs(001)表面の洗浄および洗浄表面に対する熱処理の効果
- 高導電性透明酸化物薄膜の作製に関する研究
- 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
- 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
- 中速イオン散乱法によるi(001)基板上Sbダイマーの構造解析
- 3a-J-5 中速イオン散乱法による Si (001) 基板上のGeダイマーの構造解析
- 材料・プロセスイノベーションによる新構造形成への挑戦 : Si/Ge多層膜への酸素イオン注入によるSi/SiO_2/Ge多層構造の形成
- 6H-SiC(0001)表面再構成過程のSTM・LEED研究
- 6H-SiC (0001) 再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析
- Si (100)表面における Bi ナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察
- シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成
- 26a-YR-6 Si(100)表面におけるBi誘起新構造のSTM観察
- 7a-PS-5 Bi蒸着Si表面における水素吸着過程のSTM観察
- 29a-PS-35 アルカリイオン散乱によるGaP(001)4×2表面構造の解析
- 水素誘起自己組織化および走査トンネル顕微鏡を用いたシリコン表面ナノ構造形成
- Si上金属ナノクラスターの水素誘起自己組織化
- 27p-PSA-8 Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察
- 29p-BPS-59 高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dのふるまいに関する研究
- 29p-BPS-51 A1単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察
- 気相雰囲気下の表面プロセスのイオンビームその場計測 : Ge/Si(001)水素サーファクタント媒介エピタキシー
- 17pYH-11 CAICISSによるNH_3-MBE成長GaMnNの評価
- 低速イオン散乱・反跳法による水素終端Si(001)表面上Ge薄膜成長のその場観察
- 24p-R-8 Si(111)-√Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- 30a-H-1 Si(001)ステップ端の原子構造
- 27p-ZS-4 Si(111)√×√-Pb表面へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 27a-ZS-5 中速イオン散乱(MEIS)によるSi(111)-(√×√)Pbの構造解析
- 27a-ZS-4 中速イオン散乱(MEIS)によるGe/Si(111)界面構造解析
- Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察
- 冷間圧延ステンレス鋼板の高光沢表面形成技術に関する研究
- 28a-WB-3 Pb/Si(111)成長初期過程のTOF-ICISS観察
- 29p-PSB-6 TOF-ICISSによるPb/Si(111)表面の水素誘起エピタキシャルクラスタリングの研究
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- Ag/SiC(0001)表面上への原子状水素吸着過程のSTM観察
- 飛行時間型直衝突イオン散乱分光法によるSi(111)表面上のSn薄膜成長の観察
- 金属/シリコン初期界面の水素誘起自己組織化
- 7a-PS-10 Si(111)√x√-Sb表面上への原子状水素吸着に関する研究
- Sb吸着Si表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- 28p-PSB-21 低エネルギー反跳イオン分光法によるSi(100)-1x1:2H表面水素の観察
- 13a-PS-17 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態III
- 29p-PSB-5 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態II
- 29p-PS-15 低エネルギーリコイルイオン分光法による Si(100)-2x1:H 表面水素の観察
- 29p-BPS-60 低エネルギーイオンビームによるSi表面水素の反跳過程
- 29p-PSB-4 Si(100)面上の水素吸着過程
- 第7回原子スケール制御表面界面・ナノ構造国際会議(ACSIN-7)報告
- 原子状水素雰囲気下におけるSi(001)表面上Ge薄膜成長のイオン散乱リアルタイムその場計測
- 2p-PSA-21 低温におけるSi表面吸着水素のERDA観察
- 高精度RBS共鳴散乱法による薄膜の酸素分析
- Pd/Si, Au/Si界面における常温固相反応
- シリコン表面の水素変性と薄膜形成初期過程
- プラズマ化学気相成長法による電界電子エミッター用ナノ構造薄膜の作製と評価
- 7. 弾性反跳検出分析(ERDA)
- 半導体表面における水素媒介エピタキシ-
- 高エネルギーイオンビーム法
- 1a-W-1 100keVH^+に対するSb/Si(001)の表面における阻止能とエネルギーストラグリング(1aW 放射線物理,放射線物理)