6a-C4-9 高速イオンビームによるSi(100)清浄表面の水素吸着量の決定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
-
生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
-
梅沢 憲司
阪大工
-
山根 淳二
阪大工
-
梅沢 憲司
阪大(工)
-
山根 淳二
阪大(工)
-
生地 文也
阪大(工)
-
尾浦 憲治郎
阪大(工)
-
塙 輝雄
阪大(工)
-
塙 輝雄
阪大工:(現)大阪
-
生地 文也
九州共立大学工学部
関連論文
- SiC(0001)-(3×3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- ポリジメチルシラン蒸着膜の物性と応用
- 5p-T-5 ERDA/LEEDによるSi(111)-√×√ Ag表面への水素吸着
- 6a-C4-9 高速イオンビームによるSi(100)清浄表面の水素吸着量の決定
- SiC(0001)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究
- 3a-L-8 固体表面水素による低エネルギー^4He^+イオンの散乱
- 4p-X-5 InP(110)表面における低速He^+イオンの散乱過程
- 2p-NM-6 LEED平均化強度法によるSi(III)-Pb吸着構造の解析
- 31p-J-11 LEED平均化強度法によるSi(111)-Ag吸着構造の解析
- 3a-E-12 LEED平均化強度法によるSi(111)√×√-Ag構造解析 〔I〕
- 29p-U-9 LEED平均化強度法によるSi(100)表面構造解析[I]
- 28p-ZF-4 表面モディフィケーションと薄膜成長過程
- 高導電性透明酸化物薄膜の作製に関する研究
- 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
- 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
- 6H-SiC(0001)表面再構成過程のSTM・LEED研究
- 6H-SiC (0001) 再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析
- Si (100)表面における Bi ナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察
- シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成
- 26a-YR-6 Si(100)表面におけるBi誘起新構造のSTM観察
- 7a-PS-5 Bi蒸着Si表面における水素吸着過程のSTM観察
- 29a-PS-35 アルカリイオン散乱によるGaP(001)4×2表面構造の解析
- 27p-PSA-8 Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察
- 29p-BPS-59 高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dのふるまいに関する研究
- 29p-BPS-51 A1単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察
- 24p-R-8 Si(111)-√Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- 5p-E-7 水素終端Si(111)上のAg成長過程のTOF-ICISS観察
- Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察
- 冷間圧延ステンレス鋼板の高光沢表面形成技術に関する研究
- 軸方向等の研磨ロールで冷間圧延したステンレス鋼板の表面性状(加工・加工熱処理)
- 2901 軸方向研磨ロールで冷間圧延したステンレス鋼板の表面性状(S31-1 新技術への取り組み,S31 塑性加工技術の動向とその展開)
- 低比抵抗ITO薄膜形成に関わる界面テンプレート層の存在について(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 低比抵抗ITO薄膜形成に関わる界面テンプレート層の存在について(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 29p-PSB-6 TOF-ICISSによるPb/Si(111)表面の水素誘起エピタキシャルクラスタリングの研究
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- 13a-PS-17 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態III
- 1p-TA-6 Arイオン衝撃Si(100)表面のTOF-ICISS
- 微小領域の帯電を検出するセンサーの開発 : フェライト基板上におけるTi酸化膜の誘電率の検討(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 微小領域の帯電を検出するセンサーの開発 : フェライト基板上におけるTi酸化膜の誘電率の検討(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 反応性Rfマグネトロンスパッタ法によるTi-N薄膜の濡れ性の経時変化(2)
- 反応性Rfマグネトロンスパッタ法によるTi-O, Ti-N薄膜の特性
- 気相膜の応力測定
- 29p-PSB-4 Si(100)面上の水素吸着過程
- 24p-R-12 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素、重水素吸着Si単結晶表面の研究
- 30a-TA-6 水素吸着したSi(111)表面上におけるAgのエピタキシャル成長のLEED観察
- 金属製精密球面グリッド製作法
- 6p-B4-2 TOF-ISSによるAg/Si(111)系表面の観察
- 29a-P-8 TOF型ICISS装置による表面構造解析[I]
- 29a-S-8 In表面における低速イオンの散乱過程
- 27p-C-9 低速アルカリイオン散乱によるSi(111)上のPb膜の解析
- 1p-S-12 低速アルカリイオン散乱によるAu/Si(111)表面構造解析
- 5p-P-4 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
- 5a-E-1 低速アルカリイオン散乱による金属/Si(111)表面の観察
- ISS-LEEDによるSi表面構造の解析(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 2p-RL-5 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
- 1p-KM-5 低速イオン散乱,LEED平均化法:Ag,Au/Si(111)
- 29a-SA-6 高分解能分光法による固体表面からの低エネルギーHe^+イオンの散乱
- 27a-Y-11 ISS・LEED・AESによるSn/Si(111)系の観察
- 27a-Y-10 LEED/CMTAによる表面構造解析
- 1p-A-7 低速イオン散乱分光法(ISS)によるPd/Si(111)系表面構造の観察
- 3a-NT-6 SiおよびAl表面からのHe^+イオン(≤1.5KeV)散乱にみられる非弾性効果
- 1a-A-4 低エネルギーイオン散乱分光における諸問題
- 31p-J-13 LEED-AESによるNi/Si(111)系の表面構造の観察
- 31p-J-12 LEED, ISSによるPb/Si(111)系の超格子構造の観察
- 低速イオン散乱 (表面構造の解析手法(技術ノ-ト))
- 4a-E-1 固体表面における希ガスイオンの中性化過程III:電子相関効果
- 3p-E-3 低速イオン散乱分光によるSi(111)面上のAg薄膜の初期成長過程
- 3a-E-10 金属シリサイドの表面構造に関する研究
- 2a-D-4 Si(111)表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(III)
- 29p-U-11 固体表面における低速イオンの中性化確率
- 29p-U-5 Si(111)-√3Ag表面の光電効果
- 29a-F-11 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(II)
- 2p-Q-4 Si(111)√3-Ag 表面構造のLEED,AES,ISSによる観察
- 2p-Q-3 LEED-AESによるSi(111)面上のPd及びPt薄膜の研究
- 2a-Q-1 固体表面吸着原子によるイオン散乱の理論
- 2p GD-12 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱
- 低速イオン散乱分光装置
- 小型イオン加速器の発展
- 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素終端Si (111) 面上の銀膜成長過程の観察
- 3a-E-2 金属表面上の吸着原子間の相互作用 I