異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
プラズマスパッタ成膜法によって、加熱したガラス基板上にITO膜を作成し、膜の電気特性を膜厚の関数として調べた。その結果、膜厚が200nm以上の場合において、抵抗率が約1×10^<-4>Ωcmの良好な導電性を有する膜の形成に成功し、ITO膜の低抵抗化を実現した。低抵抗化が実現した要因は、膜のキャリア密度の大幅な増大である。また、無加熱基板上に作成した膜と加熱基板上に作成した膜の電気特性を膜厚の関数として見たときに、薄い膜厚領域(初期成長層)では双方の振る舞いが著しく異なっていることがわかった。検討の結果、膜成長初期に形成された層が以降の膜成長を支配し、それによって膜厚が厚い領域での電子キャリアが増大していることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
-
河野 昭彦
九州共立大学大学院工学研究科機械電子システム工学専攻
-
羅 蘇寧
遼寧工学院
-
村上 達大
九州共立大学工学部
-
生地 文也
九州共立大学工学部
関連論文
- SiC(0001)-(3×3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- ポリジメチルシラン蒸着膜の物性と応用
- 5p-T-5 ERDA/LEEDによるSi(111)-√×√ Ag表面への水素吸着
- 6a-C4-9 高速イオンビームによるSi(100)清浄表面の水素吸着量の決定
- SiC(0001)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究
- 3a-L-8 固体表面水素による低エネルギー^4He^+イオンの散乱
- 4p-X-5 InP(110)表面における低速He^+イオンの散乱過程
- 28p-ZF-4 表面モディフィケーションと薄膜成長過程
- 高導電性透明酸化物薄膜の作製に関する研究
- 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
- 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
- 6H-SiC(0001)表面再構成過程のSTM・LEED研究
- 6H-SiC (0001) 再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析
- Si (100)表面における Bi ナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察
- シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成
- 26a-YR-6 Si(100)表面におけるBi誘起新構造のSTM観察
- 7a-PS-5 Bi蒸着Si表面における水素吸着過程のSTM観察
- 29a-PS-35 アルカリイオン散乱によるGaP(001)4×2表面構造の解析
- 27p-PSA-8 Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察
- 29p-BPS-59 高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dのふるまいに関する研究
- 29p-BPS-51 A1単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察
- 24p-R-8 Si(111)-√Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- 5p-E-7 水素終端Si(111)上のAg成長過程のTOF-ICISS観察
- Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察
- 冷間圧延ステンレス鋼板の高光沢表面形成技術に関する研究
- 軸方向等の研磨ロールで冷間圧延したステンレス鋼板の表面性状(加工・加工熱処理)
- 2901 軸方向研磨ロールで冷間圧延したステンレス鋼板の表面性状(S31-1 新技術への取り組み,S31 塑性加工技術の動向とその展開)
- 低比抵抗ITO薄膜形成に関わる界面テンプレート層の存在について(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 低比抵抗ITO薄膜形成に関わる界面テンプレート層の存在について(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 29p-PSB-6 TOF-ICISSによるPb/Si(111)表面の水素誘起エピタキシャルクラスタリングの研究
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- 13a-PS-17 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態III
- 1p-TA-6 Arイオン衝撃Si(100)表面のTOF-ICISS
- 微小領域の帯電を検出するセンサーの開発 : フェライト基板上におけるTi酸化膜の誘電率の検討(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 微小領域の帯電を検出するセンサーの開発 : フェライト基板上におけるTi酸化膜の誘電率の検討(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 反応性Rfマグネトロンスパッタ法によるTi-N薄膜の濡れ性の経時変化(2)
- 反応性Rfマグネトロンスパッタ法によるTi-O, Ti-N薄膜の特性
- 気相膜の応力測定
- 29p-PSB-4 Si(100)面上の水素吸着過程
- 24p-R-12 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素、重水素吸着Si単結晶表面の研究
- 30a-TA-6 水素吸着したSi(111)表面上におけるAgのエピタキシャル成長のLEED観察
- 金属製精密球面グリッド製作法
- 6p-B4-2 TOF-ISSによるAg/Si(111)系表面の観察
- 29a-P-8 TOF型ICISS装置による表面構造解析[I]
- 29a-S-8 In表面における低速イオンの散乱過程
- 27p-C-9 低速アルカリイオン散乱によるSi(111)上のPb膜の解析
- 1p-S-12 低速アルカリイオン散乱によるAu/Si(111)表面構造解析
- 5a-E-1 低速アルカリイオン散乱による金属/Si(111)表面の観察
- 3p-E-3 低速イオン散乱分光によるSi(111)面上のAg薄膜の初期成長過程
- 2p-Q-4 Si(111)√3-Ag 表面構造のLEED,AES,ISSによる観察
- 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素終端Si (111) 面上の銀膜成長過程の観察