異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

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概要

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プラズマスパッタ成膜法によって、加熱したガラス基板上にITO膜を作成し、膜の電気特性を膜厚の関数として調べた。その結果、膜厚が200nm以上の場合において、抵抗率が約1×10^<-4>Ωcmの良好な導電性を有する膜の形成に成功し、ITO膜の低抵抗化を実現した。低抵抗化が実現した要因は、膜のキャリア密度の大幅な増大である。また、無加熱基板上に作成した膜と加熱基板上に作成した膜の電気特性を膜厚の関数として見たときに、薄い膜厚領域(初期成長層)では双方の振る舞いが著しく異なっていることがわかった。検討の結果、膜成長初期に形成された層が以降の膜成長を支配し、それによって膜厚が厚い領域での電子キャリアが増大していることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-04-10

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