低比抵抗ITO薄膜形成に関わる界面テンプレート層の存在について(センサーデバイス・MEMS・一般)
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概要
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プラズマスパッタ法によるガラス基板上のITO膜の電気特性に及ぼす基板温度の影響を調べた.厚い膜厚領域においては,基板を250℃程度に加熱した場合,無加熱の場合と比較して,キャリア密度が約3倍増大し比抵抗値が9.8×10^<-5>Ωcmまで減少していることがわかった.また,基板加熱の有無に関わらず,薄い膜厚領域にキャリアの異常な生成過程が存在することが明らかになった.膜厚の関数としたキャリア数の変化から,テンプレート的に振舞う初期成長層が存在し,これが高いキャリア密度を有する低比抵抗ITO膜を導くと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-01
著者
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