微小領域の帯電を検出するセンサーの開発 : フェライト基板上におけるTi酸化膜の誘電率の検討(センサーデバイス・MEMS・一般)
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概要
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当グループは,微小領域(代表例として液晶を構成するTFT小素子)の帯電を検出するセンサーの開発を行っている.センサーは,フェライト基板上に積層したTi酸化膜を誘電体層とし,等価回路的には薄膜コンデンサーと同等な構造である.このTi酸化膜は,メタルのTiをターゲットし,Rfマグネトロンスパッタ法を酸素雰囲気内で適用して形成される.本研究では,Ti酸化膜の成膜条件およびアニール条件と,結晶学的性質及び電気的性質との関係を検討した.その結果,成膜時にフェライト基板の温度を300℃とし,真空中の700℃でアニールを行うと,アナターゼからルチル構造への相転移が生じ,比誘電率が16であるTi酸化膜が得られることが判った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-01
著者
-
生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
-
野澤 忠生
九州共立大
-
能智 紀台
九州共立大学大学院工学研究科機械電子システム工学専攻
-
宮里 淳
三和工機(株)
-
生地 文也
九州共立大学工学部
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