反応性Rfマグネトロンスパッタ法によるTi-O, Ti-N薄膜の特性
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概要
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R.f magnetron sputtering involving two reactive gases, oxygen and nitrogen, and Ti metal target is applied to form titanium oxide arid nitride thin films on the glass substrate. Crystal structure and wettability of titanium oxide films strongly depend on the temperature of substrate and the oxygen partial pressure. Crystal or preferred growth of anatase TiO_2 film is hastened by adding nitrogen gas to oxygen gas on deposit.
- 九州共立大学の論文
著者
-
古川 昌司
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
-
牧原 義一
九州共立大工
-
野澤 忠生
九州共立大
-
古川 昌司
九州工業大学
-
牧原 義一
三重大学教育学部理科教育講座
-
牧原 義一
九州共立大
-
牧原 義一
九州共立大学工学部教養教室
-
能智 紀台
九州共立大学大学院工学研究科機械電子システム工学専攻
-
榎木田 仁水
九州共立大学工学部電気工学
-
生地 文也
九州共立大学工学部
-
牧原 義一
九州共立大学大学院工学研究科機械電子システム工学専攻
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