生地 文也 | 九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
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概要
関連著者
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生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
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生地 文也
九州共立大学工学部
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尾浦 憲治郎
阪大工
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生地 文也
阪大工
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内藤 正路
九州工業大学大学院工学研究院
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塙 輝雄
阪大工:(現)大阪
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西垣 敏
九州工業大学工学部電気工学科
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塙 輝雄
阪大工
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河野 昭彦
九州共立大学大学院工学研究科機械電子システム工学専攻
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生地 文也
九共立大工
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内藤 正路
九州工業大学工学部電気工学科
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内藤 正路
阪大工
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片山 逸雄
大阪工大 一般教育科
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片山 逸雄
大阪工業大学応用物理教室
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西垣 敏
九州工業大学大学院工学研究院
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大石 信弘
熊木電波工業高等専門学校電子工学科
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尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
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住友 弘二
阪大工
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能智 紀台
九州共立大学大学院工学研究科機械電子システム工学専攻
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野澤 忠生
九州共立大
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田中 保宣
阪大工
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大石 信弘
熊本電波高専
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生地 文也
九共大工
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尾崎 裕一
阪大工
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碇 智徳
宇部工業高等専門学校電気工学科
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古川 昌司
九州工業大学・大学院情報工学研究科
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大西 秀朗
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター
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古川 昌司
九州工業大学
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内藤 正路
九工大工
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西垣 敏
九工大工
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生田 宏
九州共立大学工学部
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山本 普康
九州共立大学工学部
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大西 秀朗
阪大工
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木下 敏宏
阪大工
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山本 普康
九州共立大 工
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羅 蘇寧
遼寧工学院
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村上 達大
九州共立大学工学部
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碇 智徳
宇部工業高等専門学校
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住友 弘二
NTT基礎研
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牧原 義一
九州共立大工
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梅沢 憲司
阪大工
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山根 淳二
阪大工
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柏原 慶一朗
阪大工
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遠山 尚武
九州工業大学工学部電子工学科
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牧原 義一
三重大学教育学部理科教育講座
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牧原 義一
九州共立大
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牧原 義一
九州共立大学工学部教養教室
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田中 顕一郎
阪大工
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武井 孝樹
九州工業大学工学部電気工学科
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嶋矢 博
九工大工
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森岡 肇
阪大工
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宮里 淳
三和工機(株)
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榎木田 仁水
九州共立大学工学部電気工学
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遠山 尚武
九州工業大学工学部電気工学科
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斉藤 光親
阪大工
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牧原 義一
九州共立大学大学院工学研究科機械電子システム工学専攻
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尾浦 憲治郎
大阪大学工学部
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大倉 重治
大阪大学大学院工学研究科電子工学専政
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中村 慎太郎
九州工業大学工学部電気工学科
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鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
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上代 祐藏
九州工業大学工学部電気工学科
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吉岩 由人
九州工業大学工学部電気工学科
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塗木 貴彦
九州工業大学工学部電気工学科
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安藤 忍
阪大工
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内藤 正路
大阪大学工学部
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梅沢 憲司
阪大(工)
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山根 淳二
阪大(工)
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生地 文也
阪大(工)
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尾浦 憲治郎
阪大(工)
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塙 輝雄
阪大(工)
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山内 貴志
九州工業大学
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山内 貴志
九州工業大学大学院工学研究院
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米久保 喜彦
九州工業大学大学院工学研究院
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上田 大志
九州工業大学大学院工学研究院
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大門 秀朗
九州工業大学大学院工学研究院
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小林 忠司
阪大工
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服部 励治
大阪大学工学部
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渡邊 晃彦
九工大工
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西垣 敏
九州工大工
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牧原 義一
九州共立大学工学部
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鎌田 憲彦
埼玉大 工
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生田 宏
九共大
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山本 普康
九共大
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森下 秀樹
阪大工
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尾浦 憲治郎
阪大 工
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塙 輝雄
阪大 工
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内藤 正路
九州工大工
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楠村 浩一
阪大工
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田中 圭介
九州工業大学工学部電気工学科
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小野 拓磨
九州工業大学工学部電気工学科
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北田 昌俊
九州工業大学工学部電気工学科
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大垣 真治
九州工業大学工学部電気工学科
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大石 信弘
熊本電波工業高等専門学校電子工学科
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清水 清之
阪大工
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田中 保寛
阪大工
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生地 文也
九共大・院工
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山田 晶彦
阪大工
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田中 秀直
阪大工
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大倉 重治
阪大工
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田辺 達也
阪大工
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井沢 洋介
阪大工
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広瀬 孝昭
阪大工
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片山 光浩
阪大 工
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生地 文也
阪大 工
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冨田 雅己
阪大工
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生地 文也
大阪大学工学部, 電子ビーム研究施設
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生地 文也
大阪大学工学部
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広瀬 孝昭
阪大 工
著作論文
- SiC(0001)-(3×3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- ポリジメチルシラン蒸着膜の物性と応用
- 5p-T-5 ERDA/LEEDによるSi(111)-√×√ Ag表面への水素吸着
- 6a-C4-9 高速イオンビームによるSi(100)清浄表面の水素吸着量の決定
- SiC(0001)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究
- 3a-L-8 固体表面水素による低エネルギー^4He^+イオンの散乱
- 4p-X-5 InP(110)表面における低速He^+イオンの散乱過程
- 高導電性透明酸化物薄膜の作製に関する研究
- 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
- 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
- 6H-SiC(0001)表面再構成過程のSTM・LEED研究
- 6H-SiC (0001) 再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析
- Si (100)表面における Bi ナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察
- シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成
- 26a-YR-6 Si(100)表面におけるBi誘起新構造のSTM観察
- 7a-PS-5 Bi蒸着Si表面における水素吸着過程のSTM観察
- 29a-PS-35 アルカリイオン散乱によるGaP(001)4×2表面構造の解析
- 27p-PSA-8 Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察
- 29p-BPS-59 高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dのふるまいに関する研究
- 29p-BPS-51 A1単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察
- 24p-R-8 Si(111)-√Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察
- 冷間圧延ステンレス鋼板の高光沢表面形成技術に関する研究
- 軸方向等の研磨ロールで冷間圧延したステンレス鋼板の表面性状(加工・加工熱処理)
- 2901 軸方向研磨ロールで冷間圧延したステンレス鋼板の表面性状(S31-1 新技術への取り組み,S31 塑性加工技術の動向とその展開)
- 低比抵抗ITO薄膜形成に関わる界面テンプレート層の存在について(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 低比抵抗ITO薄膜形成に関わる界面テンプレート層の存在について(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 29p-PSB-6 TOF-ICISSによるPb/Si(111)表面の水素誘起エピタキシャルクラスタリングの研究
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- 13a-PS-17 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態III
- 1p-TA-6 Arイオン衝撃Si(100)表面のTOF-ICISS
- 微小領域の帯電を検出するセンサーの開発 : フェライト基板上におけるTi酸化膜の誘電率の検討(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 微小領域の帯電を検出するセンサーの開発 : フェライト基板上におけるTi酸化膜の誘電率の検討(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 反応性Rfマグネトロンスパッタ法によるTi-N薄膜の濡れ性の経時変化(2)
- 反応性Rfマグネトロンスパッタ法によるTi-O, Ti-N薄膜の特性
- 気相膜の応力測定
- 29p-PSB-4 Si(100)面上の水素吸着過程
- 24p-R-12 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素、重水素吸着Si単結晶表面の研究
- 30a-TA-6 水素吸着したSi(111)表面上におけるAgのエピタキシャル成長のLEED観察
- 金属製精密球面グリッド製作法
- 6p-B4-2 TOF-ISSによるAg/Si(111)系表面の観察
- 29a-P-8 TOF型ICISS装置による表面構造解析[I]
- 29a-S-8 In表面における低速イオンの散乱過程
- 27p-C-9 低速アルカリイオン散乱によるSi(111)上のPb膜の解析
- 1p-S-12 低速アルカリイオン散乱によるAu/Si(111)表面構造解析
- 5a-E-1 低速アルカリイオン散乱による金属/Si(111)表面の観察
- 3p-E-3 低速イオン散乱分光によるSi(111)面上のAg薄膜の初期成長過程
- 2p-Q-4 Si(111)√3-Ag 表面構造のLEED,AES,ISSによる観察
- 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素終端Si (111) 面上の銀膜成長過程の観察