西垣 敏 | 九州工業大学工学部電気工学科

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概要

• 同名の論文著者
• 九州工業大学工学部電気工学科の論文著者

関連著者

• 西垣 敏

  九州工業大学工学部電気工学科

• 内藤 正路

  九州工業大学大学院工学研究院

• 内藤 正路

  九工大工

• 西垣 敏

  九工大工

• 西垣 敏

  九州工業大学大学院工学研究院

• 生地 文也

  九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科

• 生地 文也

  九州共立大学工学部

• 内藤 正路

  九州工業大学工学部電気工学科

• 山田 健二

  石川高専

• 大石 信弘

  熊木電波工業高等専門学校電子工学科

• 大石 信弘

  熊本電波高専

• 西垣 敏

  九州工大工

• 碇 智徳

  宇部工業高等専門学校

• 碇 智徳

  宇部工業高等専門学校電気工学科

• 遠山 尚武

  九州工業大学工学部電子工学科

• 渡邊 晃彦

  九工大工

• 内藤 正路

  九州工大工

• 嶋矢 博

  九工大工

• 生地 文也

  九共大工

• 遠山 尚武

  九州工業大学工学部電気工学科

• 渡辺 晃彦

  九工大工

• 渡邉 晃彦

  九工大工

• 内藤 正路

  九州工大

• 浅成 純子

  九工大工

• 武井 孝樹

  九州工業大学工学部電気工学科

• Tandjoeng Soeparto

  九工大工

• 園田 修治

  九工大工

• 中村 慎太郎

  九州工業大学工学部電気工学科

• 上代 祐藏

  九州工業大学工学部電気工学科

• 吉岩 由人

  九州工業大学工学部電気工学科

• 塗木 貴彦

  九州工業大学工学部電気工学科

• 山内 貴志

  九州工業大学

• 山内 貴志

  九州工業大学大学院工学研究院

• 米久保 喜彦

  九州工業大学大学院工学研究院

• 上田 大志

  九州工業大学大学院工学研究院

• 大門 秀朗

  九州工業大学大学院工学研究院

• 楠 美智子

  財団法人ファインセラミックスセンター

• 楠 美智子

  (財)ファインセラミックスセンター

• 皆元 健太

  九工大工

• 皆元 健太

  九大総理工

• 山田 健二

  石川工業高等専門学校

• 杉万 貴久

  九州工大

• 橋本 誠人

  九州工大

• 岩元 晋

  九工大工

• 嘉藤 貴博

  九工大工

• 伊賀 久雄

  九州工大工

• 上村 一平

  九州工業大学大学院工学研究院

• 古賀 光

  九州工業大学大学院工学研究院

• 小島 健志

  九州工業大学大学院工学研究院

• 植田 謙介

  九州工業大学大学院工学研究院

• 田中 圭介

  九州工業大学工学部電気工学科

• 小野 拓磨

  九州工業大学工学部電気工学科

• 小西 博文

  九州工業大学工学部電気工学科

• 松岡 宏則

  九州工業大学工学部電気工学科

• 北田 昌俊

  九州工業大学工学部電気工学科

• 大垣 真治

  九州工業大学工学部電気工学科

• 大石 信弘

  熊本電波工業高等専門学校電子工学科

• 碇 智徳

  九工大工

• 嘉籐 貴博

  九州工大

• TANDJOENG Soeparto

  九州工大

• 園田 修治

  九州工大

• 勝浦 正光

  九工大工

• 田中 秀樹

  九工大工

• 小西 晶

  九工大工

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著作論文

• SiC(0001)-(3×3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
• Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
• SiC(0001)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究
• 29a-PS-20 アルカリ金属吸着シリコン表面の構造及び電子状態の走査トンネル顕微鏡観察
• 28p-PSB-26 シリコン表面上の金属・水素共吸着系のSTM/STS観察
• 26a-YR-11 Si(111)7×7表面上のK吸着過程 : 中被覆度領域での吸着構造解析
• 24aPS-19 MDSによるSi(001)表面窒素化へのK, O吸着効果の研究
• 29a-PS-11 準安定原子脱励起分光法による半導体表面上のCs吸着とその酸化促進効果の研究
• 7a-PS-7 MDSによるSi(111)表面上Cs吸着の電子状態変化と酸化初期過程
• 29a-PS-37 Cs/GaAs(001)表面上の酸素吸着の準安定原子脱励起分光
• Ge (001) 表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の準安定原子脱励起分光
• スピン偏極MDSによるNi(110)表面の電子状態検出
• GaAs(001)表面上のアルカリ金属・酸素共吸着系の表面局所電子状態
• 31p-PSB-77 Ge(001)表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の表面局所電子状態
• CVD法によるカーボンナノチューブ成長における Buffer 層の影響に関する研究
• 6H-SiC(0001)表面再構成過程のSTM・LEED研究
• レーザー照射効果を用いたカーボンナノチューブの成長制御
• 6H-SiC (0001) 再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析
• Si (100)表面における Bi ナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察
• シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成
• 29a-PS-44 スピン偏極MDSによるO/Ni(110)表面電子状態解析
• 26a-YR-6 Si(100)表面におけるBi誘起新構造のSTM観察
• 31a-PS-5 スピン偏極Heを用いたNi(110)表面電子状態解析
• 7a-PS-5 Bi蒸着Si表面における水素吸着過程のSTM観察
• 29a-PS-35 アルカリイオン散乱によるGaP(001)4×2表面構造の解析
• Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察
• 31a-J-2 GaP(001)清浄及び水素処理面のSTM/STS観察
• 低エネルギーイオン散乱によるGaP (001) 表面の構造解析
• Si表面の水素定量と水素終端面上でのAg薄膜形成初期過程の研究
• 30a-PS-28 GaP(100)清浄及びアルカリ金属吸着表面のISS/LEED

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