26a-YR-11 Si(111)7×7表面上のK吸着過程 : 中被覆度領域での吸着構造解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-09-05
著者
関連論文
- SiC(0001)-(3×3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- 5p-T-5 ERDA/LEEDによるSi(111)-√×√ Ag表面への水素吸着
- SiC(0001)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究
- 29a-PS-20 アルカリ金属吸着シリコン表面の構造及び電子状態の走査トンネル顕微鏡観察
- 28p-PSB-26 シリコン表面上の金属・水素共吸着系のSTM/STS観察
- 26a-YR-11 Si(111)7×7表面上のK吸着過程 : 中被覆度領域での吸着構造解析
- 27a-Z-4 Ar^+衝撃下におけるGaAs(110)面へのAr、O_2の表面収容過程
- 24a-PS-14 イオンスパッタリングにより放出された二次イオンとフォトンの同時性測定
- 3p-S-2 液体金属イオン源によるHetero-Nuclearクラスターイオンの生成(Al-Li, Al-Na)
- 29a-P-2 イオン衝撃下におけるGaAs単結晶の表面組成と酸素吸着
- 24aPS-19 MDSによるSi(001)表面窒素化へのK, O吸着効果の研究
- 29a-PS-11 準安定原子脱励起分光法による半導体表面上のCs吸着とその酸化促進効果の研究
- 7a-PS-7 MDSによるSi(111)表面上Cs吸着の電子状態変化と酸化初期過程
- 29a-PS-37 Cs/GaAs(001)表面上の酸素吸着の準安定原子脱励起分光
- Ge (001) 表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の準安定原子脱励起分光
- スピン偏極MDSによるNi(110)表面の電子状態検出
- GaAs(001)表面上のアルカリ金属・酸素共吸着系の表面局所電子状態
- 31p-PSB-77 Ge(001)表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の表面局所電子状態
- CVD法によるカーボンナノチューブ成長における Buffer 層の影響に関する研究
- 1a-G-3 イオン衝撃による励起中性原子・イオンの放出と放射脱励起 : O/Mg系
- 30p-T-3 液体金属イオン源による合金クラスターイオンの生成 : Li-Na, Li-Mg
- 6H-SiC(0001)表面再構成過程のSTM・LEED研究
- レーザー照射効果を用いたカーボンナノチューブの成長制御
- 6H-SiC (0001) 再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析
- Si (100)表面における Bi ナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察
- シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成
- 29a-PS-44 スピン偏極MDSによるO/Ni(110)表面電子状態解析
- 26a-YR-6 Si(100)表面におけるBi誘起新構造のSTM観察
- 31a-PS-5 スピン偏極Heを用いたNi(110)表面電子状態解析
- 7a-PS-5 Bi蒸着Si表面における水素吸着過程のSTM観察
- 29a-PS-35 アルカリイオン散乱によるGaP(001)4×2表面構造の解析
- 27p-PSA-8 Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察
- 29p-BPS-59 高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dのふるまいに関する研究
- 29p-BPS-51 A1単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察
- Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察
- 31a-J-2 GaP(001)清浄及び水素処理面のSTM/STS観察
- 29p-PSB-4 Si(100)面上の水素吸着過程
- 24p-R-12 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素、重水素吸着Si単結晶表面の研究
- 30a-TA-6 水素吸着したSi(111)表面上におけるAgのエピタキシャル成長のLEED観察
- 低エネルギーイオン散乱によるGaP (001) 表面の構造解析
- Si表面の水素定量と水素終端面上でのAg薄膜形成初期過程の研究
- 30a-PS-28 GaP(100)清浄及びアルカリ金属吸着表面のISS/LEED
- 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素終端Si (111) 面上の銀膜成長過程の観察
- イオンビーム照射による表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究
- SiC表面分解法を利用した絶縁基板上へのグラフェン形成に関する研究