鎌田 憲彦 | 埼玉大学工学部
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概要
関連著者
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鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
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鎌田 憲彦
埼玉大 工
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鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科
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福田 武司
埼玉大学大学院理工学研究科
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福田 武司
埼玉大学理工学研究科
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照沼 大陽
埼玉大学理工学研究科
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照沼 太陽
埼玉大学工学部機能材料工学科
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鎌田 憲彦
埼玉大学理工学研究科
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照沼 大陽
埼玉大学工学部
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Kamata Norihiko
Atr Optical And Radio Communications Research Laboratories
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本多 善太郎
埼玉大院理工
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本多 善太郎
埼玉大学大学院理工学研究科
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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Kamata Norihiko
Department Of Functional Materials Science And Engineering Saitama University
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平山 秀樹
理研
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本多 善太郎
埼玉大学大学院
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幡野 健
埼玉大学理工学研究科
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相原 聡
NHK放送技術研究所
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鎌田 憲彦
埼玉大学 大学院理工学研究科
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鎌田 憲彦
埼玉大工
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藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所
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五十嵐 航平
埼玉大学大学院理工学研究科
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平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
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相原 聡
埼玉大学工学部機能材料工学科
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木島 直人
三菱化学科学技術研究センター
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小林 諒平
埼玉大学理工学研究科
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幡野 健
埼玉大学工学部 機能材料工学科
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大橋 智昭
埼玉大学
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大橋 智昭
理研
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佐藤 弘基
埼玉大学工学部機能材料工学科
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福田 武司
埼玉大学
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浅木 裕隆
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
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南雲 公二
埼玉大学工学部機能材料工学科
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南雲 公二
埼玉大学工学部 機能材料工学科
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久保田 節
NHK放送技術研究所
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谷岡 健吉
NHK放送技術研究所
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高野 隆好
BEANSプロジェクト
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石井 礼仁
埼玉大学工学部 機能材料工学科
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頓所 真司
埼玉大学工学部機能材料工学科
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木島 直人
三菱化学科技研センター
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乗松 潤
理研
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山形 豊
理化学研究所
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西堀 晃
埼玉大学工学部 機能材料工学科
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山田 興治
埼玉大学工学部機能材料工学科
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山田 興治
埼玉大学工学部
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山田 興治
埼玉大 工
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高野 隆好
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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乗松 潤
独立行政法人理化学研究所
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野口 憲路
独立行政法人理化学研究所
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兼崎 真一
埼玉大学工学部機能材料工学科
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山形 豊
理化学研究所vcad加工応用チーム
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梅田 真人
埼玉大学工学部機能材料工学科
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浅野 俊
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
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朱 正明
理化学研究所
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平山 秀樹
理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム
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朱 正明
理化学研究所vcad加工応用チーム
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萩原 政幸
阪大極限セ
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香取 浩子
理研
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宮川 和典
NHKエンジニアリングサービス
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松原 智樹
NHK放送技術研究所
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鈴木 四郎
NHK放送技術研究所
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福田 武司
埼玉大院理工
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鎌田 憲彦
埼玉大院理工
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山口 朋彦
埼玉大学大学院理工学研究科
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石橋 幸治
独立行政穂人理化学研究所
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石橋 幸治
理化学研究所
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山口 廣信
埼玉大学 理工学研究科
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伊賀 貴浩
埼玉大学理工学研究科
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大川 裕司
Nhk放送技術研究所:静岡大学大学院
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平山 秀樹
独立行政穂人理化学研究所
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大橋 智昭
独立行政穂人理化学研究所
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江上 典文
NHK放送技術研究所
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宮川 和典
NHK放送技術研究所
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高畠 保
NHK放送技術研究所
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近藤 行廣
松下電工株式会社ウェル・ラボ
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平山 秀樹
BEANSプロジェクト
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福原 三世
埼玉大学工学部 機能材料工学科
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荒又 幹夫
信越化学(株)
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小森谷 光央
埼玉大学 理工学研究科
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田島 右副
理化学研究所
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近藤 行廣
松下電工株式会社
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高木 健次
埼玉大学
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高木 健次
埼玉大学:理研
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萩原 政幸
阪大極限
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登坂 健志
埼玉大学工学部機能材料工学科
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外岡 和彦
産業総合技術研究所
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渡部 俊久
NHK放送技術研究所
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瀬尾 北斗
NHK放送技術研究所
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古川 昌司
九州工業大学・大学院情報工学研究科
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古部 昭広
産業技術総合研究所
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山形 豊
理研
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山口 廣信
埼玉大学理工学研究科
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小森谷 光央
埼玉大学理工学研究科
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古川 昌司
九州工業大学
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椿 健治
BEANSプロジェクト
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椿 健治
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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斎藤 信雄
NHK放送技術研究所
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斎藤 信雄
(株)国際電気通信基礎技術研究所
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山形 豊
理化学研究所中央研究所
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青山 哲也
理研
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岡本 航
埼玉大学工学部
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江上 典文
Nhk放送技術研究所撮像デバイス
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河本 雄二
埼玉大学理工学研究科
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小原 秀彦
三菱化学科学技術研究センター
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横尾 敏明
三菱化学科学技術研究センター
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石坂 和香奈
埼玉大学工学部機能材料工学科
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岡本 航
埼玉大学工学部機能材料工学科
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松本 晃
埼玉大学工学部
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小原 有司
双葉電子工業株式会社
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松岡 浩司
埼玉大学・工学部・機能材料工学科
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松岡 浩司
埼玉大学工学部
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葛原 弘美
埼玉大学工学部機能材料工学科
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朱 正明
理研
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古部 昭広
産業技術総合研究所 計測フロンティア研究部門
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八百板 善幸
埼玉大学工学部 機能材料工学科
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青山 哲也
埼玉大学:理研
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大橋 智昭
独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム
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近藤 行廣
独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム
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大川 裕司
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
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下村 康夫
(株)三菱化学科学技術研究センター
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下村 康夫
三菱化学科学技術研
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加藤 さやか
埼玉大学理工学研究科
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平野 喜之
NHK放送技術研究所
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早川 知克
埼玉大学工学部機能材料工学科
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塚本 徹
埼玉大学工学部 機能材料工学科
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白井 肇
埼玉大学工学部 機能材料工学科
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我妻 えりか
埼玉大学 理工学研究科
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小林 諒平
埼玉大学 理工学研究科
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本多 善太郎
埼玉大学理工学研究科
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伊賀 貴浩
埼玉大学工学部
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尾島 健太郎
埼玉大学工学部
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小川 博久
埼玉大学工学部
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田中 洋平
埼玉大学工学部機能材料工学科
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田島 右副
理研
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内山 直威
埼玉大学工学部
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山口 朋彦
埼玉大学工学部
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高橋 利光
埼玉大学工学部機能材料工学科
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佐藤 千恵子
埼玉大学工学部機能材料工学科
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頓所 信司
埼玉大学工学部 機能材料工学科
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浅木 裕隆
埼玉大学理工学研究科
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浅木 裕隆
埼玉大学 理工学研究科
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外岡 和彦
北海道工業技術研究所
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 倫明
東京都立大塚病院 外科
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木村 尚次郎
阪大極限セ
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江上 典文
NHK 放送技術研究所
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谷岡 健吉
NHK 放送技術研究所
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山田 興治
埼玉大学大学院
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堺 俊克
NHK放送技術研究所
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生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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青山 哲也
理化学研究所和田超分子科学研究室
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山田 興治
埼玉大理工
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山田 興治
埼玉大
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我妻 えりか
埼玉大学理工学研究科
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木島 直人
三菱化学(株)材料科学研究センター
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阿部 正英
広島国際大学社会環境科学部
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藤木 道也
NTT基礎研
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谷田部 透
独立行政法人理化学研究所
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野口 憲道
独立行政法人理化学研究所
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加瀬 究
理化学研究所VCADモデリング
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加瀬 究
理化学研究所
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相原 聡
NHK 放送技術研究所
-
宮川 和典
NHK 放送技術研究所
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大川 裕司
NHK 放送技術研究所
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松原 智樹
NHK 放送技術研究所
-
鈴木 四郎
NHK 放送技術研究所
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高畠 保
NHK 放送技術研究所
-
斎藤 信雄
NHK 放送技術研究所
-
阿部 正英
NHK 放送技術研究所
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中島 寛
NTT基礎研究所
-
コウ ジュリアン
NTT基礎研究所
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藤木 道也
Ntt物性基礎研
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藤木 道也
Ntt物性基礎研究所 Crest-jst
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高橋 史学
埼玉大学工学部
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Klausing Harald
ハノーバー大学
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荒川 泰彦
ハノーバー大学東京大学先端研
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服部 励治
大阪大学工学部
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須藤 則昭
埼玉大学工学部機能材料工学科
-
雷 康斌
理化学研究所ものつくり情報技術統合化研究プログラム部門
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高野 隆好
理研
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藤川 紗千恵
理研
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谷田部 徹
埼玉大学
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近藤 行廣
理研
-
姜 南圭
東京大学大学院理工学研究科精密機械工学専攻
-
樋口 敏郎
東京大学大学院理工学研究科精密機械工学専攻
-
山内 修平
埼玉大学
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香取 浩子
阪大極限セ
-
木島 直人
埼玉大学工学部機能材料工学科
-
金 永模
埼玉大学
-
相原 聡
Nhk 放送技研
-
鈴木 崇
埼玉大学大学院物質科学部門物質機能領域
-
小林 諒平
埼玉大学大学院物質科学部門物質機能領域
-
青山 哲也
理化学研究所
-
福田 武司
埼玉大学 工学部 機能材料工学科
-
天野 裕貴
埼玉大学工学部機能材料工学科
-
田島 右副
埼玉大学
-
青山 哲也
埼玉大学
-
王 盛
理化学研究所
-
奥津 祥子
埼玉大学工学部機能材料工学科
著作論文
- InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 21pGJ-12 ニッケル二本鎖化合物Ni(bpy)SO_4(H_2O)_2の磁場中での性質(21pGJ 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- フェムト秒ポンププローブ法を利用したシロール誘導体 : フルオレンポリマー混合膜の過渡吸収特性(フレキシブルエレクトロニクス)
- C-13-2 静電塗布法による青色領域に選択的に感度を有する有機撮像素子(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 有機光導電膜を積層したCMOSイメージセンサの試作(センサデバイス・MEMS・一般)
- 有機光導電膜の撮像管による特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- 静電塗布法を用いた有機薄膜の発光スペクトルの制御(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 導電性高分子を陽極に用いた有機EL素子(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ゾルゲルガラスで封止したナノ粒子Eu錯体の劣化特性(ディスプレイ一般)
- ゾルゲルガラスで封止したナノ粒子Eu錯体の劣化特性
- ポリシラン/TPB-塗布型青色EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Eu添加ゾルゲルガラスの焼成温度と発光特性
- ポリジメチルシラン蒸着膜の物性と応用
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展
- 波長選択機能を有する有機光導電膜の特性評価
- シリコン系微粒子の二波長励起フォトルミネッセンス効果
- 機能性色素を分散したポリシラン薄膜の光導電特性
- 電解重合法によるSi-based Particleの合成と基礎物性
- 有機色素分散シリコンポリマー薄膜の光導電特性
- 異種ポリシラン混合薄膜のエネルギー移動と発光特性(2)
- InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価
- 非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス測定
- フェムト秒ポンププローブ法を利用したシロール誘導体-フルオレンポリマー混合膜の過渡吸収特性(フレキシブルエレクトロニクス)
- 有機光導電膜を積層したCMOSイメージセンサの試作(センサデバイス・MEMS・一般)
- ゾルゲル法によるユウロピウム添加青色発光ゾルゲルガラスの作製
- ポリシラン/TPB-塗布型青色EL素子の作製
- 導電性高分子/有機色素混合薄膜素子のEL特性
- 導電性高分子/有機色素混合薄膜素子のEL特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 導電性高分子/有機色素混合薄膜素子のEL特性 (情報ディスプレイ)
- 異種ポリシラン間のエネルギー移動と時分解発光特性
- ポリシランの発光過程と温度依存性
- ポリシランの分子構造と発光特性
- ポリシランの発光効率と応答特性
- 希土類添加ガラスの発光と共鳴エネルギー移動
- Tb^添加蛍光ガラスの選択励起可視発光特性
- ゾルゲルガラスで封止した白色LED用赤色蛍光体の信頼性向上
- 有機光導電膜の撮像管による特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発
- C-13-1 ESD法を用いたP3HT微細構造の形成技術(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 有機光電変換素子におけるシロール誘導体の添加効果(センサ,デバイス,一般)
- Eu錯体による波長変換膜の基盤技術 (特集 太陽電池における光の有効利用技術)
- 有機LB膜へのインターカレーションによる有機無機層状ペロブスカイト発光材料の作成(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- ゾル-ゲルガラスで封止したEu錯体含有蛍光薄膜の信頼性向上(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- C-13-1 アクリルパイプを用いた静電塗布を利用した有機薄膜の成膜技術(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 27aQJ-1 スピン1/2二次元正方格子反強磁性体Cu(pyz)_2(ClO_4)_2の磁場中の性質(量子スピン系(二次元系及びその他),領域3,磁性,磁気共鳴)
- Y_2O_2S:Eu^蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Y_2O_2S:Eu^蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス
- ポリシランを用いた有機EL素子の混色化に関する検討(センサデバイス・MEMS・一般)
- ポリシランを用いた有機EL素子の混色化に関する検討(センサデバイス・MEMS・一般)
- 24pWL-3 コバルトカゴメ格子磁性体Co(N_3)_2(bpg)の相転移(24pWL フラストレーション系(カゴメ格子,理論),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 静電塗布法を利用した太陽電池用有機材料の平坦化技術(有機デバイス全般・一般)
- 静電塗布法の噴射領域の制御技術(有機デバイス全般・一般)
- ポリシラン/有機色素混合薄膜による光機能素子
- 導電性高分子を陽極に用いた有機EL素子(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 静電塗布法を用いた有機薄膜の発光スペクトルの制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 導電性高分子を陽極に用した有機EL素子
- 導電性高分子膜を陽極に用いた有機EL (特集 有機EL・有機TFTの最新事情)
- 21aQH-7 LiをインターカレートしたS=1/2スピンラダーCu(A)X_2の磁性(21aQH 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 顕微光学系によるLED用結晶の2波長励起フォトルミネッセンス評価
- 顕微光学系によるLED用結晶の2波長励起フォトルミネッセンス評価(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 半導体材料中の非発光再結合過程の光学的計測
- BaMgAl10O17:Eu2+蛍光体の熱及び光ルミネッセンス
- 水溶性ポリシラン添加ゾルゲルガラスの光学特性
- 側鎖に光学活性な置換基を有する水溶性ポリシランの合成と評価
- 側鎖に光学活性な置換基を有する水溶性ポリシランの合成と評価
- 光学活性基を側鎖に有するポリシランの合成とその構造
- 有機薄膜を用いた光機能素子応用に関する研究
- ポリシラン-TPB間の共鳴エネルギー移動とEL特性(センサデバイス・MEMS・一般)
- ポリシラン-TPB間の共鳴エネルギー移動とEL特性(センサデバイス・MEMS・一般)
- 光機能性有機薄膜の作製と特性評価に関する研究
- シリコン系微粒子の二波長励起フォトルミネッセンス効果
- 分子間エネルギ移動を利用したポリシラン可視発光EL素子
- 分子間エネルギー移動を利用したポリシラン可視発光EL素子
- 電解重合法によるSi-based Particleの合成と基礎物性
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
- 後処理不要のEu添加青色発光ゾルゲルガラス
- 後処理不要のEu添加青色発光ゾルゲルガラス
- 異種ポリシラン混合薄膜のエネルギー移動と発光特性
- 異種ポリシラン混合薄膜のエネルギー移動と発光特性
- Poly bis (p-propoxyphenyl) silaneの薄膜化と発光特性
- ポリシラン分子間のエネルギー移動と発光過程
- ポリシラン分子間のエネルギー移動と発光過程
- 有機色素を添加したポリシラン薄膜EL素子
- 有機色素添加ポリシラン薄膜の光学特性
- 有機色素添加ポリシラン薄膜の光学特性
- Eu添加ゾルゲルガラスの焼成温度と発光特性
- C-13-4 静電塗布法で形成した有機EL(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- Ba_3Si_6O_N_2:Eu^蛍光体のフォト-及び熱ルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Ba_3Si_6O_N_2:Eu^蛍光体のフォト-及び熱ルミネッセンス評価
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
- AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
- Ba_3Si_6O_N_2:Eu^蛍光体のフォト-及び熱ルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 先端材料応用技術 ポリシラン有機高分子によるEL発光
- トリフェニルアミン構造を有するシロール誘導体を添加したフルオレンポリマー薄膜の過渡吸収評価(センサ,デバイス,一般)
- 静電塗布法における有機薄膜の表面平坦性改善と有機薄膜太陽電池(作製・評価技術・一般,有機材料・一般)
- CS-4-4 シロール誘導体のイオン化ポテンシャル低減と波長選択型有機光電変換素子への応用(CS-4.有機半導体の物性とデバイス応用および今後の展開,シンポジウムセッション)
- C-13-7 静電塗布法を利用した高効率な有機薄膜太陽電池(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 21pGM-5 弱く結合した1次元磁性体Cu(diazine)X_2, (X=Cl,Br)の磁性(21pGM 量子スピン・フラストレーション系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- ゾルゲルガラスによるEu錯体の封止機能
- CS-5-6 有機イメージセンサ用の波長選択型光電変換素子(CS-5.有機分子の特性を活かした材料評価技術とセンシング技術,シンポジウムセッション)
- Ba_3Si_6O_N_2:Eu^蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価
- シロール誘導体の添加による青色有機光電変換素子の高効率化(センサー,デバイス,一般)
- 22-7 有機光導電膜を積層したCMOSイメージセンサの特性評価(第22部門 イメージセンサI)
- 16-4 注入現象による撮像デバイス用有機光導電膜の感度向上(第16部門 情報センシング1)
- Ba_3Si_6O_N_2:Eu^蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 20-11 撮像管評価による有機光導電膜の量子効率改善(第20部門 特殊撮像・新機能新原理のイメージセンサ)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み
- AIGaN系深紫外LEDの進展