330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
波長250-350nm帯の短波長紫外LEDの開発は最近多くの研究グループで始められているが、その発光効率は依然低いのが現状である。我々はInAlGaN4元混晶量子井戸を発光層に用い、In組成変調効果を用いる事により、波長250-350nm帯の高効率紫外発光デバイスの実現を目指している。今回我々は、InAlGaN4元混晶量子井戸から330nm紫外域において47%の高い内部量子を観測した。また、305nmにおいても12%程度の内部量子効率が得られた。InAlGaN量子井戸LEDをサファイア/AlNテンプレート上に作製し338nmにおいて1.2mWの出力を得た。
- 2005-10-07
著者
-
平山 秀樹
理研
-
鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
近藤 行廣
松下電工株式会社ウェル・ラボ
-
高野 隆好
BEANSプロジェクト
-
高野 隆好
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
-
平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
-
藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所
-
鎌田 憲彦
埼玉大 工
-
大橋 智昭
埼玉大学
-
近藤 行廣
松下電工株式会社
-
大橋 智昭
理研
-
大橋 智昭
独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム
-
近藤 行廣
独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム
-
藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
藤川 紗千恵
独立行政法人 理化学研究所
-
平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
関連論文
- InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 21pGJ-12 ニッケル二本鎖化合物Ni(bpy)SO_4(H_2O)_2の磁場中での性質(21pGJ 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- フェムト秒ポンププローブ法を利用したシロール誘導体 : フルオレンポリマー混合膜の過渡吸収特性(フレキシブルエレクトロニクス)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-13-2 静電塗布法による青色領域に選択的に感度を有する有機撮像素子(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 有機光導電膜を積層したCMOSイメージセンサの試作(センサデバイス・MEMS・一般)
- 有機光導電膜の撮像管による特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
- 静電塗布法を用いた有機薄膜の発光スペクトルの制御(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 導電性高分子を陽極に用いた有機EL素子(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ゾルゲルガラスで封止したナノ粒子Eu錯体の劣化特性(ディスプレイ一般)
- ゾルゲルガラスで封止したナノ粒子Eu錯体の劣化特性
- ポリシラン/TPB-塗布型青色EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Eu添加ゾルゲルガラスの焼成温度と発光特性
- ポリジメチルシラン蒸着膜の物性と応用
- 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
- 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
- 窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED
- Si基板上高品質AlNテンプレートの開発
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- LED-8 サファイア基板上の高品質AINバッファー上に作製した227-261nm深紫外AlGaN系LED
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展
- 深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 250-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの開発 (特集 LED照明の最近の動向)
- 230-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの進展と応用 (特集 こんなところにLED)
- 波長選択機能を有する有機光導電膜の特性評価
- シリコン系微粒子の二波長励起フォトルミネッセンス効果
- 機能性色素を分散したポリシラン薄膜の光導電特性
- 電解重合法によるSi-based Particleの合成と基礎物性
- 有機色素分散シリコンポリマー薄膜の光導電特性
- 異種ポリシラン混合薄膜のエネルギー移動と発光特性(2)
- InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価
- 非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス測定
- フェムト秒ポンププローブ法を利用したシロール誘導体-フルオレンポリマー混合膜の過渡吸収特性(フレキシブルエレクトロニクス)
- 有機光導電膜を積層したCMOSイメージセンサの試作(センサデバイス・MEMS・一般)
- ゾルゲル法によるユウロピウム添加青色発光ゾルゲルガラスの作製
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ポリシラン/TPB-塗布型青色EL素子の作製
- 導電性高分子/有機色素混合薄膜素子のEL特性
- 導電性高分子/有機色素混合薄膜素子のEL特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 導電性高分子/有機色素混合薄膜素子のEL特性 (情報ディスプレイ)
- AlGaN系殺菌用途紫外LEDの進展と今後の展望
- 異種ポリシラン間のエネルギー移動と時分解発光特性
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題
- 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
- 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-4-15 AlGaN系深紫外LEDの高効率化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題(光記録及び磁気記録一般)
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
- 29a-WD-5 実時間実空間差分法シュレーディンガー方程式による線形応答関数の数値計算
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
- AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- AlGaN系深紫外LED
- 窒化物材料系テラヘルツ帯量子カスケードレーザーの開発
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (レーザ・量子エレクトロニクス)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (電子デバイス)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 26pPSB-4 AlGaN三元化合物半導体混晶の赤外反射(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))