InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題(光記録及び磁気記録一般)
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概要
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波長250-350nm帯の短波長紫外LEDの開発は最近多くの研究グループで始められているが、その発光効率は依然低いのが現状である。これまで我々はInAlGaN4元混晶量子井戸を発光層に用い、In組成変調効果を用いる事により、紫外高効率発光LEDの実現を目指してきた。我々は、InAlGaN4元混晶量子井戸から330nm紫外域において47%の高い内部量子を観測した。また、305nmにおいても12%程度の内部量子効率が得られた。InAlGaN-LEDをサファイア基板上に作製し、波長308nmにおいてサブミリワット動作を確認した。また同様のLEDをGaN基板上に作製し352nmにおいて7.4mWの室温CW出力を得た。
- 2006-03-03
著者
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平山 秀樹
理研
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
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