InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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高出力・短波長紫外LED・LDは白色照明、高密度光記録、医療をはじめ幅広い用途への応用が考えられ今後の開発が大変期待されている。我々はAlGaNにInを加えInAlGaN混晶にすると、In組成変調効果によって300-350nmの紫外域で室温・高輝度発光が得られ、紫外発光素子として利用価値が高いことを明らかにしてきた。今回、InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化を検討した。高Al組成p型AlGaNを用いることにより、InAlGaN4元混晶LEDの短波長化を行い、308-314nmのシングルピーク発光を得た。また、GaN基板上にInAlGaN量子井戸LEDを作製し、貫通転位の影響を除去することにより飛躍的な高効率化を達成し、351nmにおいて3.8mWのCW出力を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
-
木山 誠
住友電工アドバンストマテリアル研究所
-
平山 秀樹
理化学研究所
-
秋田 勝史
住友電工アドバンストマテリアル研究所
-
中村 孝夫
住友電工アドバンストマテリアル研究所
-
青柳 克信
東京工業大学
-
青柳 克信
理研
-
中村 孝夫
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
-
青柳 克信
立命館大学coe推進機構
-
青柳 克信
理研フロンティア
-
中村 孝夫
山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻
-
中村 孝夫
住友電工半導体研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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