29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-03-12
著者
-
青柳 克信
理研
-
瀬川 勇三郎
理研CMRG
-
瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス研究センター
-
馬場 哲也
産業技術研 計測標準研究部門
-
難波 進
理研
-
馬場 哲也
理研
-
瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス
-
瀬川 勇三郎
理研
関連論文
- InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 29pZB-6 ナノギャップ電極上 C_ クラスター薄膜の伝導特性
- 30p-YP-10 波形制御パルス列レーザー生成Alプラズマ中の軟X線の往復増幅
- 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
- 14aYD-2 MWNT におけるキャリア注入による朝永・ラッティンジャー液体的振る舞いの消失(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 20aXF-13 多層カーボンナノチューブの層間電子輸送
- 28pPSA-20 電流注入効果による磁性細線内磁壁のドラッギング
- 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 波形制御パルス列レーザー生成A1プラズマ中の軟X線の往復増幅
- カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
- 25pSA-11 単層カーボンナノチューブを用いた量子ドットの形成
- 27a-R-6 時間依存衝突輻射モデルによるリチウム様アルミニウム再結合レーザーの利得
- 30a-YB-5 パルス列レーザー生成プラズマによる軟X線レーザーの利得
- ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
- 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
- 26p-YR-8 非S-K GaN量子ドットの成長機構I : 不純物添加によるステップフロー阻害効果
- 31a-YJ-9 GaN量子ドットにおける励起子結合エネルギーの増大
- 5a-E-3 GaN量子ドットの発光スペクトルの温度依存性
- 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
- 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
- 2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
- 2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
- 5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
- 28pRC-16 銅フタロシアニン単結晶の電界効果とキャリヤ輸送特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
- 27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
- 新たなブレークスルーには何が必要か
- 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
- 1a-N-7 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の強磁場依存性
- 28a-ZH-13 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の磁場依存性
- 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
- 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
- 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
- 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
- 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
- 29p-ZQ-12 AlGaN混晶における軟X線吸収の入射角依存性
- 29p-ZQ-11 III-V 族窒化物半導体における軟X線吸収の入射角依存性
- 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
- 29a-PS-55 Ni細線における磁化緩和
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- 28a-A-12 強磁場中でのGaAs/AlGaAs 量子井戸二次元励起子のダイナミクス
- 28a-A-7 GaAs 量子井戸におけるエネルギー緩和
- 27a-P-3 少数不純物、スリットを含む量子細線における電気伝導
- 21pXA-6 単層カーボンナノチューブの電気化学トランジスタ(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 1a-KG-11 GaAs/GaAlAs単一量子井戸における担体のピコ秒ダイナミクス
- 20pTH-11 ホール局在した n 型量子ドットアレーの近接場発光分光
- 31aYE-4 高分解能近接場光学顕微鏡による GaAs 量子ドットの励起子波動関数イメージング II
- 30pYH-12 ホールの局在した n 型量子ドットアレーの円偏向発光分光 II
- 28pTB-12 量子ドット正方格子の空間分解発光スペクトル
- 25pSB-13 量子ドット正方格子の最低励起状態付近発光スペクトル II
- 24pL-9 量子ドット正方格子の最低励起状態付近発光スペクトル
- 25pD-5 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルIII
- 31a-ZH-13 実時間実空間高次差分法を用いた非線形応答関数の計算II
- 30p-ZE-7 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルII
- 28p-YP-2 アモルファス中ナノ微結晶シリコンの紫外反射スペクトル
- 27p-YN-8 GaAs(3,1,1)B基板上InGaAs整列量子ドットの電場下PL測定
- 27p-YN-6 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトル
- 31a-YG-3 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算III
- 31a-YG-2 オーダーN・量子ダイナミクス法による微結晶の誘電関数の計算
- 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング
- InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
- InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用
- InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- 29a-WD-5 実時間実空間差分法シュレーディンガー方程式による線形応答関数の数値計算
- カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
- 23pPSB-34 光アンテナを用いたナノスケール局所電場変調分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 28aYH-5 単電子トランジスタの電磁場環境問題
- 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
- 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
- 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
- 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
- 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
- 7p-J-11 オーダーN・時間依存密度汎関数法による微結晶の誘電関数の計算
- 7p-J-10 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算II
- 28a-YE-1 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算