難波 進 | 理研
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概要
関連著者
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難波 進
理研
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瀬川 勇三郎
理研
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瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス研究センター
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難波 進
理化学研究所
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青柳 克信
理研
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瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス
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瀬川 勇三郎
東北大理:理研pdc
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瀬川 勇三郎
理化学研究所
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瀬川 勇三郎
理研・フォトダイナミクス
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金 弼鉉
理化学研究所
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金 弼鉉
理研
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瀬川 勇三郎
理研CMRG
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河津 璋
東大工
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馬場 哲也
産業技術研 計測標準研究部門
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馬場 哲也
理研
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河津 璋
理化学研究所
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青柳 克信
理研フロンティア
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難波 進
長崎総合科学大
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東 健策
阪大工
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田村 一二三
理化学研究所
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神山 雅英
東大工
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三好 正毅
山口大院理工
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小室 修二
東洋大
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金釜 憲夫
理化学研究所
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Williams R.S.
UCLA
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小室 修二
東洋大工(先端光応用計測研究センター)
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中川 修
阪大基工
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神山 雅英
東大・工・電子工学
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小室 修二
東洋大工
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秋本 利明
理化学研究所
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中山 了
電気通信研究所
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黄 守訓
理化学研究所
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升田 公三
筑波大物質工
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小林 孝嘉
東大理:理研フロンティア
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豊田 浩一
理研
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村上 浩一
筑波大学物質工学系
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田代 英夫
理研フォトダイナミクス研究センター
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布下 正宏
三菱電機
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円城寺 博
理研
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長坂 啓吾
東理大理
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布下 正宏
三菱中研
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布下 正宏
三菱電機 中研
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蒲生 健次
阪大基礎工
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安藤 剛三
理化学研究所
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菅 義夫
東大工
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草野 淳一
理研フロンティアナノ電子材料
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田代 英夫
理研
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小泉 俊郎
理研
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斎藤 仁
東理大理
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松村 啓一
東理大理
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鈴木 和雄
阪大基礎工
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光山 明
理化学研究所
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光山 明
中大工
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一色 正彦
千葉工大
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村 由紀子
通研
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中山 了
通研
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井田 一郎
通研
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塩谷 繁夫
東大物性研
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遠山 嘉一
東大工
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金井 秀三
旭ガラス研
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梅原 敏明
阪大工
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西原 浩
阪大工
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岸本 直樹
東大物性研
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長倉 三郎
理研
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侯 宏啓
理研
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草野 淳一
理研 フロンティア
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Williams R.S.
U.C.L.A.
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三好 正毅
山口大工短大
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Williams R.S.
理研
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岩井 荘八
理研
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水野 幸雄
東大理
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村上 浩一
理研
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小林 孝嘉
理研フロンティア
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円城寺 博
理化学研究所
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岡本 耕輔
理化学研究所
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森 一夫
理化学研究所
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升田 公三
阪大工
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水野 幸雄
東大物理
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佐久間 享子
理化学研究所
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金 弼鉱
理化学研究所
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升田 公三
筑波大
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岡本 耕輔
理化学研究所核融合研究室
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鵜久森 正毅
山口大工短
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小林 考嘉
理研
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大宮 敏敷
上智大理工
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小桧山 茂
大阪光音電気
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九里 聖敏
大阪光音電気
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磯辺 丈廣
理化学研究所
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渡辺 清
理化学研究所
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竹田 幹郎
理化学研究所
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伊藤 清
旭光学K.K.
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中島 清士
理研計器K.K.
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吉沢 達夫
理化学研究所
-
吉澤 達夫
理化学研究所
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中川 修
阪大基礎工
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永田 穣
富士通
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武藤 準一郎
東大工
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河本 信彦
理化学研究所
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河本 信彦
理研
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青野 佳子
日大(芸)
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中村 正
富士通
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石田 春雄
千葉大学
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黄 守訓
千葉大学
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石田 春雄
千葉大学工学部
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三好 正毅
山口大工短
著作論文
- 5a-N-6 TEACO_2レーザー励起NH_3のダイオードレーザーによる2重共鳴分光
- 5a-S-3 レーザーによる臭素の同位体分離
- ジャイアント・パルスの実験(II) : 量子エレクトロニクス
- 閃亜鉛鉱型単結晶の電気光学的効果 : 光変調シンポジウム : 一般講演
- レーザー加工 : 電子ビームシンポジウム
- レーザー用ガラス材料の研究 : Nd最適ドープ量と発振スペクトル : 量子エレクトロニクス
- 29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
- 2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
- 2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
- 5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
- 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
- 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
- 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
- 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
- 1a-KG-11 GaAs/GaAlAs単一量子井戸における担体のピコ秒ダイナミクス
- 6a-G-14 ピコ秒レーザーを用いたZnO等の発光寿命の測定 II
- 1a-K-11 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討(II)
- 4p-NE-4 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討
- 6a-H-4 低電圧大容量コンデンサバンクによる放電プラズマの性質 III
- 4p-NE-5 CuClにおける励起子ポラリトンの拡散
- 2p-M-11 GaSeにおける励起子吸収の時間変化
- 2p-M-6 銅ハライド励起子のボトルネックの測定
- 7a-J-18 ピコ秒レーザーを用いたZnOの発光寿命の測定
- 7a-J-14 CuCl励起子分子発光の一軸応力効果
- 5p-Q-2 CdS励起子分子の一軸応力効果
- 2p-Q-5 CdS及びZnOの励起子分子発光の一軸応力効果
- 14a-Y-9 CdS励起子分子発光の一軸応力による分裂
- 22p-H-1 CdS_Se_x混晶の発光
- 5a-L-9 CdS発光の圧力効果
- 10a-Q-12 CdS発光の圧力効果
- シリコン単結晶薄膜(VIII) : 薄膜
- 電子ビームによる金属の加工 : 電子ビームとその応用シンポジウム
- 電子ビームの特殊応用 : 電子ビームとその応用シンポジウム
- CdS蒸着膜の電気的特性 : 表面物理, 薄膜
- シリコン単結晶薄膜(II) : 表面物理, 薄膜
- レーザ加工
- CdS蒸着膜の電気的特性(2) : 表面物理, 薄膜
- 電子ビーム加工の機構 : 電子ビームシンポジウム
- 薄膜能動素子の基礎研究(第四報) : CdS蒸着膜による電界効果型薄膜トランジスター : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 電子ビーム加工とレーザー加工 : 電子ビーム加工シンポジウム
- ガラスレーザーの実験(量子エレクトロニクス)
- 電子ビーム加工法について(電気物理加工特集)
- 4p-B-6 半導体の研究および加工への応用
- 計数式干渉計型ガス分析計 : VI. 測定
- TiO_2透明電導性薄膜について : II. 光学
- 有機染料の電場発光に関する研究 : XXI. 光物性
- 3p-BG-6 共鳴二光子励起下のCuCl励起子系のピコ秒領域動的挙動の測定
- 3p-BG-5 ピコ秒レーザーを用いたCuBrの発光寿命の測定
- 4a-DR-7 共鳴二光子励起下のCuCl励起子分子ポラリトン系のピコ秒領域動的挙動の測定II
- 絶縁物基板上のシリコン単結晶薄膜
- 31p GF-5 ピコ秒トランジェントグレーティング法によるCuCl, CdS素励起の拡散の測定 (I)
- 31p GF-4 ピコ秒可変波長レーザーを用いたポラリトンの分散の測定
- 6a-A-10 色素レーザーによるCdTeの発光測定
- Ni-Cr蒸着膜の組成と電気特性 : 表面物理, 薄膜
- 電子ビーム励起によるレーザー : 電子ビームとその応用シンポジウム
- II-VI化合物の電子線励起レーザー (II) : イオン結晶・光物性
- 薄膜能動素子の基礎研究(第三報) : トンネル効果型三極素子 : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 3a-C-2 CuC1薄膜内の励起子と励起子分子(イオン結晶・光物性)
- 3a-D5-10 GaAs/GaAlAs多重量子井戸からの発光の時間変化(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)