青柳 克信 | 理研フロンティア

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概要

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関連著者

• 青柳 克信

  理研フロンティア

• 青柳 克信

  理研

• 菅野 卓雄

  理研フロンティア

• 菅野 卓雄

  千葉大工

• 青柳 克信

  立命館大学coe推進機構

• 難波 進

  長崎総合科学大

• 石橋 幸治

  理研フロンティア

• 瀬川 勇三郎

  理研フォトダイナミクス

• 瀬川 勇三郎

  理研

• 石橋 幸治

  理研

• 菅野 卓雄

  東洋大学工学部

• 青柳 克彦

  理研フロンティア

• 石橋 幸治

  (独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室

• 草野 淳一

  理研フロンティアナノ電子材料

• 難波 進

  理研フロンティア

• 塚越 一仁

  理研

• 佐藤 崇

  筑波大数理物質

• 大塚 洋一

  筑波大物理:学際物質センター

• 青柳 克信

  東工大総合理工学:crest(jst)

• 宮崎 久生

  独立行政法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 塚越 一仁

  産総研:crest(jst)

• 宮崎 久生

  理研

• 小高 隼介

  理研

• 塚越 一仁

  物材機構:産総研ナノテクノロジー:理研

• 瀬川 勇三郎

  理研フロンティア

• 小高 隼介

  産総研:東工大総理工

• Ootuka Youiti

  Institute Of Physics Tsukuba University

• バード J.P.

  筑波大物質工

• 升田 公三

  阪大工

• 飯村 靖文

  東京農工大

• 菅野 卓雄

  東洋大工

• 神田 晶申

  理研フロンティアCREST JST

• 升田 公三

  筑波大

• 落合 勇一

  千葉大工

• 布施 智子

  理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 神田 晶申

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 神田 晶申

  筑波大学物理

• 升田 公三

  阪大基工

• 難波 進

  阪大基工

• 布施 智子

  理研

• 山本 和貫

  千葉大工

• Bird J.P.

  理研フロンティア

• 森山 悟士

  物材機構

• 大塚 洋一

  筑波大物理

• 瀬川 勇三郎

  理研フォトダイナミクス研究センター

• 神田 晶申

  筑波大物理

• 後藤 秀徳

  筑波大数理物質

• 後藤 秀徳

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 佐藤 崇

  筑波大物理

• 難波 進

  阪大基礎工

• 森山 悟士

  理研

• 塚越 一仁

  独立行政法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 鈴木 正樹

  理研:科技団戦略

• 野村 晋太郎

  理研フロンティア

• Souza M.

  Jst:nagoya Univ.

• 三原 勝

  理研

• 青柳 克信

  東京工業大学

• 青柳 克信

  理化学研究所

• 石橋 幸治

  理化学研究所半導体工学研究室

• 田中 翔

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 森木 拓也

  筑波大数理物質

• 石橋 幸治

  理化学研究所

• 川辺 光央

  筑波大物質工

• 飯村 靖文

  理研フロンティア

• 川辺 光央

  筑波大学 物理工学系

• 大西 泰造

  筑波大物質工

• 大塚 洋一

  筑波大数理物質

• 神田 晶申

  筑波大数理物質

• 飯高 敏晃

  理研フロンティア

• 後藤 秀徳

  筑波大物理

• 田中 翔

  筑波大物理

• 鈴木 正樹

  理化学研究所半導体工学研究室

• 難波 進

  理研

• 森山 悟士

  理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室

• 三原 勝

  理研フロンティア

• 三浦 登

  東大物性研

• フェリー D.K.

  アリゾナ州立大

• 三沢 和彦

  東大理

• 小林 孝嘉

  東大理

• 内田 和人

  東大物性研

• 野々山 信二

  山形大地教

• 平山 秀樹

  理化学研究所

• 中村 孝夫

  住友電気工業株式会社半導体技術研究所

• 下村 哲

  理研 フロンティア

• 中村 孝夫

  山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻

• 中村 孝夫

  住友電工半導体研究所

• 一色 秀夫

  電気通信大学 電気通信学部 電子工学科

• フェリー D.

  Zrizona州立大ナノ研

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 中村 孝夫

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 秋田 勝史

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 蒲生 健次

  阪大基礎工

• 森木 拓也

  筑波大物理

• 難波 進

  大阪大学基礎工学部

• 中村 孝夫

  住友電気工業(株)半導体研究所

• 山本 和貫

  (財)生研

• エイキス R.

  千葉大工

• 三好 正毅

  山口大院理工

• 佐野 直克

  関西学院大 理工

• 草野 淳一

  理研 フロンティア

• 三原 勝

  レーザー科学研究グループ

• 侯 宏啓

  理研フロンティア

• 野々山 信二

  理研フロンティア

• 草野 淳一

  阪大基礎工

• 一色 秀夫

  理研フロンティア

• 趙 新為

  理研

• Miura N

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo

• 長岡 洋介

  京大基研

• エイキス R.

  アリゾナ州立大学

• 趙 新為

  理研フロンティア

• Geisler M.C.

  理研

• GEISLER M.C.

  理研フロンティア

• バード J.P.

  理研フロンティア

• 丹慶 勝市

  松阪大物理

• 飯村 靖文

  東京農工大・工

• 田中 悟

  北海道大学 電子科学研究所

• 小林 駿介

  東京農工大学工学部電子情報工学科

• 木山 誠

  住友電工アドバンストマテリアル研究所

• 秋田 勝史

  住友電工アドバンストマテリアル研究所

• 中村 孝夫

  住友電工アドバンストマテリアル研究所

• 村上 浩一

  筑波大学物質工学系

• 青柳 克信

  阪大基礎工

• 大塚 洋一

  筑波大学物理学専攻・TIMS

• 津谷 大樹

  物材機構

• 佐野 直克

  関西学院大学理学部

• 石井 真史

  物質・材料研究機構

• 邑瀬 和生

  阪大理

• 目黒 多加志

  理研

• 津谷 大樹

  理研:東工大総理工

• 田中 悟

  理化学研究所半導体工学研究室

• 秋田 勝史

  住友電工半導体研究所

• 京野 孝史

  住友電工半導体研究所

• 京野 孝史

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 鷹岡 貞夫

  阪大理

• 河野 行雄

  理研

• 河野 行雄

  理化学研究所基幹研究所

• 升田 公三

  阪大基礎工

• 村上 浩一

  阪大基礎工

• 塚本 竹雄

  理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室

• 佐藤 崇

  筑波大学物理

• 後藤 秀徳

  筑波大学物理

• 田中 翔

  筑波大学物理

• 高垣 雪彦

  阪大基礎工

• バウアー ゲリット

  フィリップス研

• バウアー G.E.W

  フィリップス研究所

• 侯 宏啓

  理研

• 瀬川 勇三郎

  理研 フロンティア

• 飯村 靖文

  理研 フロンティア

• 青柳 克信

  理研 フロンティア

• 難波 進

  理研 フロンティア

• 草野 淳一

  帝京大理工

• 周 均銘

  中国科学院物理研

• Williams R.S.

  UCLA

• 下村 哲

  理研フロンティア

• Williams R.S.

  U.C.L.A.

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部

• Williams R.S.

  理研

• ストーパ マイケル

  理研フロンティアナノ電子材料

• 飯村 靖文

  農工大工

• バウアー G.e.w

  デルフト大

• 目黒 多加志

  理化学研究所

• 石井 真史

  大阪大学基礎工学部

• 久保田 浩史

  阪大理

• 石橋 幸司

  理研

• 小林 駿介

  東京農工大・工

• 久保田 浩史

  京大・理

• 津谷 大樹

  理化学研究所

• 西川 通則

  日本合成ゴム(株)東京研究所

• 石井 真史

  Spring-8高輝度光科学研究センター

• 石井 真史

  高輝度光科学研究センター:理化学研究所播磨研究所

• 高垣 雪彦

  パウル・ドルーデ固体電子研

• 田中 健一郎

  理研

• 森山 悟士

  理研東工大総理工

• 布施 智子

  理研東工大総理工

• 鈴木 正樹

  JST戦略創造

• 青柳 克信

  理研東工大総理工

• 石橋 幸治

  JST戦略創造

• 森山 悟士

  理研,東工大総理工

• 布施 智子

  理研,東工大総理工

• 鈴木 正樹

  科技団戦略

• 青柳 克信

  理研,東工大総理工

• 石橋 幸治

  科技団戦略

• CEISLER M.C

  理研フロンティア

• 武内 道一

  理化学研究所・東京工業大学

• Stopa M.

  理研フロンティア

• 高垣 雪彦

  阪大基礎工:阪大理

• 塚本 竹雄

  理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室:東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 塚本 竹雄

  理化学研究所

• Omling P

  Lund Univ. Lund Swe

• Omling P.

  Division Of Solid State Physics And The Nanometer Structure Consortium University Of Lund

• Samuelson L.

  Division Of Solid State Physics And The Nanometer Structure Consortium University Of Lund

• KOWALSKI B.

  Division of Solid State Physics and the Nanometer Structure Consortium, University of Lund

• Pistol M.-E.

  Lund大固体物理

• Hessmann D.

  Lund大固体物理

• Pryor C.

  Lund大固体物理

• Kowalski B.

  Lund大固体物理

• Omling P.

  Lund大固体物理

• Samuelson L.

  Lund大固体物理

• 大西 泰造

  筑波大物理工

• 川辺 光央

  筑波大物理工

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著作論文

• InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
• 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25p-X-19 GaAs薄膜・量子井戸の励起子
• 2a-D-3 GaAs/AlAs多重量子井戸における磁場効果 II
• 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
• 6a-B-5 GaAs/AlGaAs多重量子井戸のへき開綿発光の磁場効果
• 3a-B-13 GaAs薄膜における励起子の磁場効果
• 3p-C-17 磁場を用いたGaAs-InGaAs歪超格子のバンドオフセット値の精密決定
• 3p-C-8 GaAs/AlGaAs多重量子井戸における磁場効果
• 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
• 4a-C3-18 GaAs薄膜内励起子ポラリトンの量子化
• 4a-C3-15 GaAs/Al_Ga_As多重量子井戸におけるフォトルミネッセンスの偏光特性
• GaAs/GaAlAs量子井戸細線からの発光の過渡特性
• 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
• 多重量子井戸における励起子ダイナミクスの電界効果
• 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
• 31a-TF-1 GaAs表面-吸着子相互作用のモデル計算
• 3p-T-7 GaAs表面-吸着子相互作用のab initio法によるモデル計算
• 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
• フロンティア研究 (国際化時代の応用物理) -- (21世紀にむけての科学技術)
• 28a-A-12 強磁場中でのGaAs/AlGaAs 量子井戸二次元励起子のダイナミクス
• 28a-A-7 GaAs 量子井戸におけるエネルギー緩和
• 3a-X-1 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果II
• 29a-Z-3 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果
• カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
• 23pPSB-34 光アンテナを用いたナノスケール局所電場変調分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
• 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
• 29p-YN-8 Si超微結晶薄膜の磁気光学効果II
• 3a-G-17 Si超微結晶薄膜の磁気光学効果
• 30p-A-3 微小超伝導リングの磁束量子化II
• 28p-YG-7 微小超伝導リングの磁束量子化
• 28p-YG-6 微小超伝導ディスクへの渦糸侵入
• 31p-X-5 超伝導SETアイランドにおけるフラクソイドの振舞い
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 28p-ZH-1 GaAs二次元励起子のスピン緩和
• 1a-E-6 量子ドットの位相緩和時間と逃避時間
• 5a-F-12 GaAs広い量子井戸における励起子発光の偏光
• 1D112 光偏光記憶膜を用いた液晶配向制御
• 半導体量子ドットの磁気光学効果 : InP量子ドットの場合
• 28a-L-4 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性II
• 13p-DF-1 スプリットゲート細線における電気伝導の長さ依存性
• 13a-K-4 量子細線における局在効果
• 13a-K-4 量子細線における局在効果
• 5p-N-8 中間電極が超伝導リングからなるSETトランジスタの電気伝導II
• 4a-M-5 フタロシアニンのレーザー励起光電導
• 30p-E-3 フタロシアニンの光伝導と電気伝導
• ホログラフィックグレ-ティングの溝の形の制御-2-イオンエッチングによる方法
• 光ICにおける技術的問題点
• 8p-C-19 フタロシアニンの光電導と電気伝導
• 3p-K-9 フタロシアニンの電気伝導
• 1a-TE-4 フタロシアニンの電気伝導とESR
• 15a-C-6 フタロシアニンの電気伝導
• フタロシアニンの電気伝導と光伝導 : 分子結晶・有機半導体
• フタロシアニンの電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
• バリスティックな量子ドットにおける伝導率ゆらぎの磁場・温度依存性
• 超伝導2重微小トンネル接合における電気伝導
• 28p-G-9 GaAs-InGaAs歪超格子の励起子束縛エネルギー(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 1a-E-6 量子ドットの位相緩和時間と逃避時間(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
• 3a-YH-8 中間電極にリングのある超伝導2重微小トンネル接合における磁気抵抗振動(3aYH 低温(微小トンネル接合),低温)
• 28p-G-7 GaAs/AlGaAs系量子井戸の磁場効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))

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