石橋 幸治 | 理研

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概要

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• 同名の論文著者
• 理研の論文著者

関連著者

• 石橋 幸治

  理研

• 石橋 幸治

  (独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室

• 青柳 克信

  理研

• 落合 勇一

  千葉大工

• バード J.P.

  筑波大物質工

• 菅野 卓雄

  千葉大工

• フェリー D.

  Zrizona州立大ナノ研

• 青木 伸之

  千葉大工

• 鈴木 正樹

  理研:科技団戦略

• 菅野 卓雄

  理研

• 青柳 克信

  立命館大学coe推進機構

• 林 立弘

  千葉大vbl

• 山本 和貫

  (財)生研

• 山本 和貫

  千葉大工

• 森山 悟士

  物材機構

• 布施 智子

  理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 森山 悟士

  理研

• 布施 智子

  理研

• 青柳 克信

  理研フロンティア

• 石橋 幸治

  理化学研究所半導体工学研究室

• 石橋 幸治

  理化学研究所

• 林 立弘

  千葉大工

• 石橋 幸治

  理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 大西 大介

  千葉大工

• 佐々木 信之

  千葉大工

• フェリー D.K.

  アリゾナ州立大

• 河野 行雄

  理研

• 山口 智弘

  理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 木田 理夫

  千葉大工

• 津谷 大樹

  物材機構

• 井田 徹哉

  理化学研究所半導体工学研究室

• 津谷 大樹

  理研:東工大総理工

• 落合 勇一

  千葉大院融合

• 青柳 克信

  理化学研究所

• 鈴木 正樹

  理化学研究所半導体工学研究室

• 石渡 洋一

  佐賀大理工

• 山口 智弘

  理研

• 榎本 亮介

  千葉大工

• 河野 行雄

  理研:jstさきがけ

• 森山 悟士

  理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室

• Newbury R

  ニューサウスウェールズ大

• 落合 勇一

  千葉大VBL

• 宮本 康一郎

  千葉大工

• 青柳 克信

  理研半導体工学研究室

• 牧 英之

  理研

• 石渡 洋一

  理研

• エイキス R.

  千葉大工

• 森 純一郎

  千葉大工

• バード J.P.

  アリゾナ州立大ナノ研

• 石橋 幸治

  理研半導体

• 塚本 竹雄

  理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室

• Olatona DM

  ニューサウスウェールズ大

• 佐々木 敬彦

  Atr波動工学研究所

• 小幡 達郎

  千葉大工

• 虎谷 健一郎

  千葉大工

• 青木 伸之

  千葉大院融合

• 宇治 進也

  物材機構

• 落合 勇一

  筑波大物質工

• バード J.P.

  バッファロー大

• 町田 友樹

  東大生産研

• 飯高 敏晃

  理研フロンティア

• 青柳 克信

  東京工業大学

• 渡辺 英一郎

  物材機構

• 森 貴洋

  理研

• 小栗 暢子

  千葉大工

• 鈴木 正樹

  東洋大

• 鈴木 正樹

  東洋大工

• 井田 徹哉

  千葉大工

• 粟野 祐二

  慶大

• Ferry D.K.

  アリゾナ州立大

• 石橋 幸治

  独立行政穂人理化学研究所

• 増渕 覚

  東京大学生産技術研究所

• 河野 行雄

  理化学研究所基幹研究所

• 豊川 聖子

  理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 石橋 幸治

  独立行政法人理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 森山 悟士

  独立行政法人理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 布施 智子

  独立行政法人理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 石橋 幸治

  CREST-JST

• 内田 剛生

  理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室

• 増渕 覚

  東大生研

• 町田 友樹

  東大生研

• 川辺 光央

  筑波大物質工

• Bird JP

  理研

• フェリー D.

  アリゾナ州立大

• 鈴木 修

  千葉大工

• 佐々木 敬彦

  千葉大工

• 中尾 敬一郎

  千葉大工

• Bird J.

  Arizona州立大ナノ研

• Ferry D.

  Arizona州立大ナノ研

• 松永 泰彦

  千葉大工

• 落合 勇一

  千葉大自然

• 清野 篤郎

  千葉大院融合

• 清野 篤朗

  千葉大院融合

• 石井 啓文

  台湾NSRRC

• 河江 達也

  九大院工

• 稲垣 祐次

  九大院工

• 村上 浩一

  筑波大学, 筑波大特プロ"ナノサイエンス"

• 篠原 久典

  名大院理

• 目良 裕

  東大工

• 前田 康二

  東大工

• 大野 雄高

  名大工

• 南任 真史

  理研

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 舘野 功太

  NTT物性科学基礎研究所

• 奥野 恒久

  和歌山大シス工

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 嶋田 行志

  名古屋大学工学研究科

• 伊東 千尋

  和歌山大シス工

• 手塚 泰久

  弘前大院理工

• 原山 卓久

  ATR環境適応通信研究所

• 原田 直樹

  富士通(株):jst-crest

• 森本 崇宏

  千葉大工

• 篠原 久典

  名大理

• 目良 裕

  東大院工

• 本間 芳和

  東京理科大学

• 日野 照純

  千葉大工・院自然

• 塚越 一仁

  理研

• 佐々木 敬彦

  千葉大VBL

• 大塚 洋一

  筑波大物理:学際物質センター

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 勝又 鉱一

  理研播磨

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 日野 照純

  千葉大工

• 山崎 展樹

  理研

• 山田 明

  東工大

• 中村 勝弘

  大阪市立大学工学部

• 神田 晶申

  筑波大物理

• 木田 徹也

  九大院総理工

• 西尾 隆宏

  理研

• 上田 修

  金沢工大

• 清水 麻希

  理研

• 中嶋 健

  東京工業大学

• 鈴木 正樹

  東洋大学工学部

• 井田 徹哉

  理研

• 石川 紫文

  千葉大工

• 内野 雅史

  千葉大工

• 海下 一徳

  千葉大工

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 森田 清三

  阪大院

• バード J.

  千葉大学融合

• 重川 秀実

  筑波大物質工

• 荒川 太郎

  横浜国大

• 河野 行雄

  独立行政法人理化学研究所基幹研究所:独立行政法人科学技術振興機構さきがけ

• 塚越 一仁

  産総研:crest(jst)

• 本間 芳和

  東理大理

• 荻野 俊郎

  横国大

• 高橋 琢二

  東大

• 佐野 芳明

  沖電気

• 中嶋 健

  東工大

• 松本 和彦

  阪大

• 落合 幸徳

  JST

• 篠塚 雄三

  和歌山大

• 徳光 永輔

  東工大

• 荒川 太郎

  横国大

• 小林 慶裕

  阪大

• 佐藤 信太郎

  富士通研

• 赤澤 方省

  NTT

• 渡辺 精一

  北大

• 尾崎 信彦

  和歌山大

• 荻野 俊郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 豊川 聖子

  独立行政法人理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 山口 智弘

  独立行政法人理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 森山 悟士

  (独)理化学研究所石橋極微デバイス工学研究所

• 布施 智子

  (独)理化学研究所石橋極微デバイス工学研究所

• 河野 行雄

  (独)理化学研究所石橋極微デバイス工学研究所

• 山口 智弘

  (独)理化学研究所石橋極微デバイス工学研究所

• Martinek Jan

  ポーランド科学アカデミ-

• 内田 剛生

  理研

• 本間 芳和

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 佐野 芳明

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 森田 清三

  阪大理

• 粟野 祐二

  富士通(株):jst-crest

• 須原 理彦

  首都大

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 水林 潤

  青学理工

• 武末 出美

  青学理工

• 春山 純志

  青学理工

• 岡崎 俊也

  名大理

• 菅井 俊樹

  名大理

• 吉田 宏道

  名大理

• 嶋田 行志

  名大理

• 堀内 一永

  千葉大工

• 岡崎 俊也

  名大院理

• 篠原 久典

  名古屋大

• 渡辺 精一

  北大・工学部

• 本間 芳和

  東理大

• 武末 出美

  早大:jst-crest

• 中村 勝弘

  大阪市立大学工学研究科

• 本間 芳和

  日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所

• 原山 卓久

  Atr波動工学研究所非線形科学研究室

• 春山 純志

  青学理工:jst-crest

• 大塚 洋一

  CREST (JST)

• 篠塚 雄三

  和歌山大学大学院システム工学研究科

• 青木 伸之

  千葉大VBL

• Bird J.P.

  アリゾナ州立大

• 多々良 源

  理研

• 大野 雄高

  名大

• 渡辺 考太郎

  千葉大工

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 松井 真二

  日本電気(株)基礎研究所

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著作論文

• 21aGS-13 グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴励起THz光伝導の観測(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aXG-2 グラフェン結合量子ドットにおけるクーロンブロッケイド効果の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pYH-5 グラフェン量子ドットの単一電子輸送特性(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
• 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
• カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
• 25pSA-11 単層カーボンナノチューブを用いた量子ドットの形成
• 24aS-10 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性
• カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs 2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• ナノ構造技術
• カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ波応答
• カーボンナノチューブ人工原子とテラヘルツ量子応答
• カーボンナノチューブ人工原子とそのテラヘルツ波応答
• 24aTH-7 カーボンナノチューブ量子ドットにおけるコトンネリング伝導(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-1 カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光子応答(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
• 29pZP-4 二層カーボンナノチューブ量子ドットへの単一キャリア注入(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
• 30pZP-5 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化III(ナノチューブ・ピーポッド)(領域7)
• 23aXF-9 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化 II
• 24pRA-14 グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
• 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
• 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
• 29a-PS-55 Ni細線における磁化緩和
• 18aRJ-1 カーボン13ナノチューブの成長と評価(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pXB-9 カーボンナノチューブ量子ドットのスピン状態(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• カーボンナノチューブを用いた磁気接合素子における巨大磁気抵抗効果
• カーボンナノチューブ量子ドット中の単一電子スピンの発生と操作
• 単層カーボンナノチューブによる高スピン偏極電流の発現
• 13aWB-5 単層カーボンナノチューブへの高スピン偏極電流の注入(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
• 23aXF-4 単層・多層ナノチューブにおけるスピンコヒーレンス
• カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
• カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
• 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
• 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
• 28aYX-10 多層カーボンナノチューブの1次元伝導 II
• 28aYS-9 ドットアレイにおける閉じ込め効果
• 27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性
• 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
• 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
• 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
• 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
• 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
• 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
• 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
• 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
• 1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗
• 31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗
• 22pTH-13 結合量子ドット系における磁気ゆらぎのフラクタル解析
• 24pSA-1 ドットアレイにおけるキャリアー濃度のゲート依存性
• 23pL-4 ドットアレイにおける古典・量子伝導現象の競合
• 27aD-6 微小超伝導リングにおけるLittle-Parks振動の振幅減少
• 25aD-11 ドットアレイにおける金属-絶縁体移転
• 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
• 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
• 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
• 27p-YG-4 超伝導SETを流れる超伝導電流のトンネル抵抗依存性
• 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
• 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
• 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
• 壁面構造のあるスプリッドゲート型量子細線の電気伝導
• 24pYF-11 多層カーボンナノチューブの1次元伝導
• 1a-E-6 量子ドットの位相緩和時間と逃避時間
• 27pYH-6 単層グラフェンのテラヘルツ電磁波応答(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pSA-2 量子ドットにおける分子的挙動
• 21pTA-2 カーボンナノチューブ量子ドットを用いた近接場テラヘルツイメージング(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• Phase Breaking in Ballistie Quantum Dots:A Correlation Field Analysis
• Weak Locallisation in Ballistle Quantum Dots(Non Ensemble Averaged Effects)
• 5p-N-8 中間電極が超伝導リングからなるSETトランジスタの電気伝導II
• バリスティックな量子ドットにおける伝導率ゆらぎの磁場・温度依存性
• 超伝導2重微小トンネル接合における電気伝導
• 27p-X-2 Phase Breaking in Ballistic Quantum Dots: A Correlation Field Analysis
• 31p-N-2 The Spectral Characteristics of Conductance Fluctuations in Ballistic Quantum Dots
• 25aXD-12 フェムト秒パルス励起によるナノ光伝導素子のキャリアダイナミクス
• 25aHD-11 InAsナノワイヤを用いた単一モード中の超伝導電流(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• カーボンナノチューブを用いたナノデバイスプロセスの開発 (特集 新世代を拓くプロセス技術)
• 量子ドットと単電子デバイス (特集 DNA計算・光情報処理・ナノテクノロジー--新しいコンピュータの可能性)
• 半導体量子ドットを用いた量子状態制御--量子コンピューティングデバイスへの可能性 (特集 量子情報処理・量子コンピュータ--量子力学がもたらすブレークスルー)
• 27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
• 29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
• 28p-L-9 Magnetotransport Studies of Electron-interaction & Geometry Related Effects in Semiconductor Quantum Dots
• 7aSA-11 超伝導単電子トランジスタにおけるe周期性と2e周期性(量子ドット・微小ジョセフソン接合・微小SN接合,領域4)
• 26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pPSB-61 Coドープルチル型TiO_2における強磁性Coイオン(領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・スピングラス・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 6aSA-3 結合量子ドットにおけるフラクタル挙動(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)
• 26pXN-13 多層カーボンナノチューブにおける3端子伝導特性(26pXN ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 27aWE-7 量子ドット系におけるフラクタル的磁気伝導現象(27aWE 局在,量子カオス,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 26pXP-9 量子ドットアレイにおける高磁場輸送現象の数値シミュレーション(26pXP 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24pXP-3 結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎの解析(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 28pCL-2 グラフェンFETを用いたTHz波検出の温度依存性(28pCL 領域4,領域7合同 グラフェン(分光・電子状態),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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