カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
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概要
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単層カーボンナノチューブを用いて単一量子ドットおよび結合量子ドットを作成する技術を開発し、その電気的特性を測定した。電子ビーム露光の位置合わせ技術を利用して、基板上の特定のナノチューブの両端に電流を流すための金属電極およびその近傍にゲート電極を形成する。このようなデバイスが比較的高温で単電子トランジスタとして動作し、その特性を半導体量子ドットで離散化重子準位がある場合のクーロンブロッケードモデルで説明する。多重ドット的にふるまうデバイスもあることを実験的に示す。また、単一電子ドットの古典的なマイクロ波応答特性を示し、最後に2重結合童子ドット形成の試みについて述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-05
著者
-
青柳 克信
立命館大学coe推進機構
-
青柳 克信
理化学研究所
-
石橋 幸治
理研
-
井田 徹哉
理化学研究所半導体工学研究室
-
石橋 幸治
理化学研究所半導体工学研究室
-
鈴木 正樹
東洋大学工学部
-
石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
-
石橋 幸治
理化学研究所
-
鈴木 正樹
理研:科技団戦略
-
Souza M.
Jst:nagoya Univ.
-
石橋 幸治
独立行政法人理化学研究所
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